ЛИТЕРАТУРА

1. Ландау, Л.Д. К теории фазовых переходов I / Л.Д. Ландау //Собрание тру­дов. -Т.1. -M.: Наука. - 1969. - С. 23-252.

2. Ландау, Л.Д. К теории фазовых переходов II /Л.Д. Ландау //Собрание тру­дов.

3. Гинзбург, В. Л. Теория сегнетоэлектрических явлений /В. Л. Гинзбург //УФН. - 1949. - Т.38. - №4. - С. 490-525.

4. Гинзбург, В.Л. Несколько замечаний о фазовых переходах второго рода в микроскопической теории сегнетоэлектриков / В.Л. Гинзбург // ФТТ. - 1960.-Т.2.-С. 2031-2033.

5. Devonshire, A.F. Theory of ferroelectrics ∕∕ Adv. Phys. - 1954. - V.3. - №1. - P. 85-130.

6. Андерсон, Π.B. Качественные соображения относительно статистики фа­зового перехода в сегнетоэлектриках типа ВаТіОз /П.В. Андерсон //Физика диэлектриков: Труды II Всесоюзной конф. - M.: Изд-во АН СССР. - 1960. -С. 290-296.

7. Cochran, W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity∕W. Cochran //Phys. Rev. Lett. - 1959. - V.3. - №9. - P. 412-414.

8. Cochran, W. Crystal stability and ferroelectric theory II Piezoelectric crystals ∕ W. Cochran//Adv. Phys. - 1961. -V. 10. - P. 401.

9. Kristoffel, N. Displacive vibronic phase transitions in narrow-gap semiconduc­tors/N. Kristoffel, P. Konsin//Phys. Stat. Sol. - 1968. - V.28. - P. 732-739.

10. Консин, П.И. К зависимости частот мягких сегнетоэлектрических мод от электрического поля/ П.И. Консин, Н.Н. Кристофель //ФТТ. - 1968. - Т.10. - №7. - С. 2250-2252.

И. Берсукер, И.В. Межзонная теория спонтанной поляризации кристаллов и сегнетоэлектрические фазовые переходы/ И.В. Берсукер, Б.Г. Бехтер //Изв. АН СССР. Сер. физ. - 1969. - Т.ЗЗ. - С. 199-203.

12. Фридкин, В.М. Сегнетоэлектрики - полупроводники / В.М. Фридкин

- M.: Наука. - 1976. - 408 с.

13. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс // Перевод с английского под редакцией В.В.

14. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики /Г.А. Смо­ленский [и др.]. - M.: Наука. - 1971. - 476 с.

15. Бурсиан, Э.В. Нелинейный кристалл титанат бария/ Э.В. Бурсиан. - M.: Наука. - 1974. - 295 с.

16. Гинзбург, В.Л. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках (несколько исто­рических замечаний) / В.Л. Гинзбург // УФН. - 2001. - Т.171. - №10. - С. 1091-1097.

17. Гинзбург, В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений / В.Л. Гинзбург// УФН. - 1949. - Т.38. - №4. - С. 490-525.

18. Леванюк, А.П. Теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках с образо­ванием сверхструктуры, не кратной исходному параметру / А.П. Леванюк, Д.Г. Санников // ФТТ. - 1976. - Т. 18. - С. 423-428.

19. Высочанский, Ю.М. Точка Лифшица на диаграммах состояний сегнето­электриков / Ю.М. Высочанский, В.Ю. Сливка // УФН. - 1992. - Т.162. - №2.-С. 139-162.

20. Блинц, Р. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Р. Блинц, Б. Жекш Перевод с английского под редакцией Л.А. Шувалова. - M.: Мир. - 1975. - 398 с.

21. Леванюк, Л.И. Несобственные сегнетоэлектрики / Л.И. Леванюк, Д.Г. Санников//УФН. - 1974. -Т. 112. - №4. - С. 561-589.

Tl.Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кри­сталлах / Б.А. Струков, А.П. Леванюк - M.: Наука. - 1995. - 302 с.

23. Струков, Б.А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами // Соросовский Образовательный Журнал. - 1996. - Т.12. - С. 95-101.

24. Levanyuk, А.Р. Defects and Structural Phase Transitions ∕ A.P. Levanyuk, A.S. Sigov. - N. Y.: Gordon and Breach. - 1988. - 208 p.

25. Qu, B.D. Dielectric susceptibility of ferroelectric thin films ∕ B.D. Qu, P.L. Zhang, Y.G. Wang, C.L. Wang, W.L. Zhong ∕∕ Ferroelectrics. - 1994. - V. 152. -P. 219-224.

26. Fatuzzo, E. Ferroelectricity ∕ E. Fatuzzo, W.J. Merz. - Amsterdam: North- Holland Pub. Co. - 1967. - 289 p.

27. Фридкин, B.M. Фотосегнетоэлектрики ∕ B.M. Фридкин.

28. Hallers, J.J. On the influence of conduction electrons on the ferroelectric Curie temperature∕J.J. Hallers, W.T. Caspers //Phys. St. Sol. - 1969. - V.36. - №2. - P. 587-592.

29. Trunov, N.N. The influence of charge carriers on the transversal mode in ferroe­lectrics/ N.N. Trunov, E.V. Bursian ∕∕ Phys. Stas. Sol. (b). - 1974. - V.65. - P. K129-K130.

30. Natterman, Th. On the influence of screening on the ferroelectric Curie Point/ Th. Natterman//Phys. Stas. Sol. (b). - 1972. - V.51. -№1. - P. 395-405.

31. Фридкин, B.M. Некоторые эффекты, обусловленные электрон-фононным взаимодействием при фазовом переходе в сегнетоэлектрике- полупроводнике/ В.М. Фридкин //Письма ЖЭТФ. - 1966. - Т.З. - №6. - С. 252-255.

32. Борн, М. Динамическая теория кристаллических решеток / М. Борн. - Хуан Кунь. - M.: ИЛ. - 1958. - 488 с.

33. Slater, J. The Lorentz correction in barium titanate ∕ J. Slater ∕∕ Phys. Rev. - 1950. - V.78. -№6. - P. 748-761.

34. Кристофель, H.H. Теория вибронных фазовых переходов широкощельных сегнетоэлектриков/ Н.Н. Кристофель, П.И. Консин //ФТТ. - 1971. - Т.13. - №9.-С. 2513-2520.

35. Консин, П.И. О зависимости точки Кюри широкощельного сегнетоэлек­трика от неравновесной концентрации носителей/ П.И. Консин, Н.Н. Кри­стофель //Кристаллография. - 1972. - Т.17. - С. 712-715.

36. Волков, Б.А. Поведение диэлектрической проницаемости полупроводни­ков A⁴B⁶при структурных фазовых переходах/ Б.А. Волков, В.П. Кушнир, О.А. Панкратов //ФТТ. - 1982. - Т.24. - №2. - С. 415-422.

37. Гиршберг, Я.Г. Фазовый переход и параметр порядка в системах с меж­зонной связью/ Я.Г. Гиршберг, В.И. Тамарченко //ФТТ. - 1976. - Т.18. - №11,-С. 3340-3348.

38. Стурман, Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии и родственные явления / Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. - M.: Наука. - 1992.

- 208 с.

39. Белиничер, В.И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках/ В.И.

- С. 23-28.

40. Ивченко, Е.Л. Фотогальванический эффект в полупроводниках /Е.Л Ив­ченко, Г.Е. Пикус // В кн.: Проблемы современной физики. - 1980. - С. 275-293.

41. Гиршберг, Я.Г. Неустойчивость и фазовый переход в системах с межзон­ным взаимодействием/ Я.Г. Гиршберг, В.И. Тамарченко //ФТТ. - 1976. - Т.18.-№4.-С. 1066-1072.

42. Michel-Calendini, F. Structure de bande titanate de baryum dans sa phase cubique ∕ F. Michel-Calendini, M.G. Mesnard ∕∕ Phys. St. Sol. (b). - 1971. - V.44. -P. K117-K121.

43. Michel-Calendini, F. Band structure and optical properties of tetragonal Ba- TiO3 ∕ F. Michel-Calendini, M.G. Mesnard ∕∕ Phys. C. - 1973. - V.6. - P. 1709- 1722.

44. Gawiller, Ch. Eintlub des electrischen fields auf die fundamentale absorption­skate von Bariumtitanat/ Ch. Gawiller //Phys. Kond. Materie. - 1967. - V.6. - P. 269-289.

45. Horie, T. Optical behaviours of multidomain single crystal of BaTiO₃ in de­pendence of temperature/ T. Horie, K. Kawabe, S. Sawada/∕J. Phys. Soc. Japan. - 1954. - V.9. - P. 823-825.

46. Верховская, К.А. Об аномальном температурном сдвиге края собственно­го поглощения монокристаллов BaTiO₃в области фазового перехода / К.А. Верховская, В.М. Фридкин //ФТТ. - 1966. - Т.8. -№6 - С. 1620-1621.

47. Просандеев С.А. Электронное строение цирконата и титаната свинца / С.А. Просандеев, Ю.Ю. Тарасевич, Н.М. Тесленко //Укр. физ. Ж. - 1992. - Т.37. -№5. - С. 712-716.

48. Douillard, L. The electronic structure of KNbO₃: an XPS and XAS study/ L. Douillard, F. Joliet, C. Beilin, M. Gautier, J. P. Duraud /∕J. Phys.: Condens. Ma­ter. - 1994. - V.6. - №27. - P. 5039-5052.

49. Раевский, Н.П. Фотопроводимость и термостимулированная проводи­мость монокристаллов KNbO₃и NaNbO₃/ Н.П. Раевский, М.А.Малицкая и др. //ФТТ. - 1977. - Т.19. - №2. - С. 492-494.

50.

51. Соболев, В.В. Собственные энергетические уровни соединений A^ivB^vi/ В.В. Соболев. - Кишинев: Штиинца. - 1981. -284 с.

52. Коржуев, М.А. Теллурид германия и его физические свойства / М.А. Коржуев. -M.: Наука. - 1986. - 103 с.

53. Lovett, D. Semimetals and narrow bandgap semiconductors ∕ D. Lovett - L.: Pion. Imt. - 1977. - 256 p.

54. Смит, P. Полупроводники ∕ P. Смит. Перевод с англ. Под ред. Н.А. Пени­на. - M.: Мир. - 1982. - 589 с.

55. Herman, F. Relativistic band structure of Ge, PbTe, PbSe and PbS/ F. Herman, R.L. Kortum, I.B. Otenburger, J.P. Dyke /∕J. Phys. - 1968. - V.29. - suppl. 11/12 .-P. C4-64-C4-77.

56. Otenburger, TB. Band structure of the rhombohedrally distorted form of GeTe ∕ TB. Otenburger, W.E. Rudge //Bull. Amer. Phys. Soc. - 1973. - V. 18. - №3. -P. 323BF8.

57. Poladoglou, H.M. Band structure of cubic and rhombohedral GeTe ∕ H.M. Po- Iadoglou, G. Teodonou, N.A. Economou//Lect. Notes. Phys. - 1982. -№152. - P. 221-225.

58. Levis, J.E. Optical properties and energy gap of GeTe from reflectance studies ∕ J.E. Levis ∕∕ Phys. Stat. Sol. (b). - 1973. - V.59. - №1. - P. 367-377.

59. Yamanaka S., Ogawa S., Morimoto I., Ueshima Y. Electronic structures and optical properties of GeTe and Ge₂Sb₂Te₅ ∕ S. Yamanaka, S. Ogawa, I. Morimoto, Y. Ueshima//Jap. Jour. App. Phys. Part 1. - 1998. - V.37. - P. 3327-3333.

60. Бахарев, B.H. Проводимость, термо-эдс и поглощение света монокри­сталлами NaNbO₃/ В.Н. Бахарев, Э.В. Бурсиан, Я.Г. Гиршберг //С6. Полу­металлы и сегнетоэлектрики. - Л.: JllПИ им. А.И. Герцена. - 1977. - С. 21-25.

61. Bursian, E.V. The correlation between optical absorption spectra, carrier mo­bility and phase transition temperature in some ferroelectrics I E.V.

62. Bursian, E.V. The mobility anisotropy in tetragonal BaTiO₃ in small polaron model ∕ E.V. Bursian, Y.G. Girshberg, Y.A. Grushevskiy //Ferroelectrics. - 1973. - V.6. - P. 53-55.

63. Ружников, A.B. Фотовольтаическая константа в ряде сегнетоэлектриков/

А.В. Ружников //С6. Электроны и фононы в сегнетоэлектриках. - Л.: Jll 1114 им. А.И. Герцена. - 1979. - С. 49-51.

64. Ружников, А.В. Электропроводность и спектры оптического поглощения проводящих кристаллов/ А.В. Ружников, М.В. Рождественская //С6. Эле­ментарные возбуждения в сегнетоэлектриках. - Л.: JllНИ им. А.И. Герце­на. - 1983. - С. 56-60.

65. Казаков, В.В. Влияние положительного и отрицательного давления на фа­зовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых се­гнетоэлектриках: канд. дисс. / В.В. Казаков. - Л.: ЛГПИ им. А.И.Герцена. - 1983. - 140 с.

66. Deepthi, P.R. optical, FTIR and XRD analysis of pure and L-histidine doped triglycine sulphate crystals a comparative ctudy ∕ P.R. Deepthi, J. Shanthi ∕∕ In­ternational Journal of Advanced Research. - 2014. - V.2. -1.12. - P. 815-820

67. Верховская, K.A. О поведении края собственного поглощения в тригли­цинсульфате и сегнетовой соли в области фазового перехода / К.А. Вер­ховская, В.М. Фридкин//ФТТ. - 1966. -Т. 8. -№ 10. - С. 3129-3130.

68. Ekuma, С. Е. First Principle Local Density Approximation Description of the Electronic Properties OfFerroelectric SodiumNitrite/ C. E. Ekuma, M. Jarrell,

J. Moreno, L. Franklin, G. L. Zhao, J. T. Wang, D. Bagayoko //Materials Chem­istry and Physics. -2012. - V. 136. - 1.2-3. - P. 1137-1142.

69. Kramadhati, S. Optical Properties of Pure and Doped (KNO₃ and MgC_j2) Poly­vinyl Alcohol ∕ S. Kramadhati, K. Thyagarajan ∕∕ International Journal of Engi­neering Research and Development. -2013.-V. 6.-1.8.-P. 15-18.

70. Иоффе, A.Φ. Электропроводность твердых изоляторов и полупроводни­ков / А. Ф. Иоффе// Успехи физических наук. - 1933. - Т.13. - В.1. - С. 469-490.

71. Stevens, К.Т. Identification of the intrinsic self-trapped hole center in KD2PO4∕ K.T. Stevens, N.Y. Garces, L.E. Halliburton, M. Yan, N.P. Zaitseva, J.J. DeYoreo, G.C. Catella, J.R. Luken ∕∕ Appl. Phys. Let. - 1999. - V.75. - №11. -P. 1503-1505.

72. Огородников, И.Н. Низкотемпературная люминесцентная время- разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия кристаллов KH₂PO4 / И.Н. Огородников [и др.] // ОиС. - 2001. - Т.91. - №2. - С. 243- 251.

73. Огородников И.Н. Низкотемпературная время-разрешенная вакуумная ультрафиолетовая спектроскопия автолокализованных экситонов в кри­сталлах KH₂PO₄/ И.Н. Огородников [и др.] // ОиС. - 2003. - Т.95. - №3. - С. 436-440.

74. Liu, C.S. Electronic structure calculations of intrinsic and extrinsic hydrogen point defect in KH₂PO₄ ∕ C.S. Liu, Q. Zhang, N. Kioussis, S.G. Demos, H.B. Radousky ∕∕ Phys. Rev. B. -2003. - V.68. -№22. - P. 224107/1-224107/11.

75. Бредихин, В.И. Фотоэлектрические эффекты в кристаллах KDP и DKDP при воздействии лазерного излучения / В. И. Бредихин, В. II. Генкин, А. М. Миллер, Л. В. Соустов // Изв. АН СССР. - 1979. - Т.43. - №2. - С. 43- 44.

76. Лебедев, Н.Г. Строение и электронная структура сегнетоэлектриков KDP- типа / Н.Г. Лебедев, М. Б. Белоненко// Вестник ВолГУ. Серия 1: Матема­тика. Физика. - 1997. - В.2. - С. 79-81.

77. Бахарев, В.Н. Ширина запрещенной зоны твердых растворов на основе титаната бария/ В.Н. Бахарев, О.И Зайковский //Межзонная модель сегне­тоэлектрика: Межвузовский сб. научных трудов. - Л.: JllНИ им. А.И. Герцена. - 1987. - С. 153-155.

78. Равич, Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении халь­когенидов свинца PbTe, PbSe, PbS./ Ю.И.Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смир­нов-M.: Наука. - 1968. -361 с.

79. Cohen, M.L. Crystal chemistry and band structures of the group V semimetals and the IV-VI semiconductors ∕ M.L. Cohen, L.M. Falicov, S. Golin ∕∕ IBM J. Res. and Develop. - 1964. - V.8. -№7. - P. 215-223.

80. Tung, Y.W. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe ∕ Y.W. Tung, M.L. Cohen //Phys. Rev. - 1969. - V. 180. - №3. -P. 823-826.

81. Cohen, M.L. Relativistic band structure of IV-VI compounds/ M.L. Cohen, Y. W. Tung /∕J. Phys. - 1968. - V.29. - suppl. 11/12. - P. 64-78.

82. Бушмарина, Γ.C. О стабилизации уровня Ферми в сплавах Pbι._xGe_xTe, ле­гированных Ga / Г.С Бушмарина. [и др.] //ФТП. - 1977. - Т. 11. - №10. - С. 1874-1881.

83. Скипетров, Е.П. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами/ Скипетров Е.П. [и др.] //ФТП. - 1994. - Т.28. - №9.-С. 1626-1635.

84. Абромян, Ю.А. Фотопроводимость Pbh_xSn_xTe(In) в миллиметровой обла­сти спектра / Абромян Ю.А. [и др.] //ФТП. - 1994. - Т.28. - №3. - С. 533- 538.

85. Немов, С.АВ. Сверхпроводящие и электрофизические свойства тонких пленок S∏ι._xGe_xTe: In / Немов С.А. [и др.] //ФТТ. - 1995. - Т.37. - №11. - С. 3366-3373.

86. Алтухов В.И. Теория аномальной проводимости сегнетоэлектриков- полупроводников A^ivB^vi/ В.И. Алтухов //ФТТ. - 1984. - Т.26. - №11. - С. 3426-3431.

87. Katayama, S. Anomalous resistivity in structural phase transition of IV - VI compound / S. Katayama//Sol. State Communs. - 1970. - V. 19. - P. 381-383.

88. Takaoka, S. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn)Te alloy semiconductors/ S. Takaoka, K. Murase ∕∕ Phys. Rev. B. - 1979.-V.20.-P. 2823-2333.

89. Немов, C.A. Явления переноса в твердом растворе (Pbo₈Sn₀.22)0.97h1₀.₀3Te в области прыжковой проводимости / Немов С.А. [и др.] //ФТП. - 1998. - Т.32.-№3.-С. 311-314.

90. Гришечкина, С.П. Электропроводность Pb_{0 78}Sn_{0 22}Te и Pb_bxGe_xTe п-типа в сегнетоэлектрической области / С.П. Гришечкина, И.Д. Воронова. //ФТТ. - 1995. - Т.37. - №9. - С. 2732-2744.

91. Акимов, В.В. Изменение зонной структуры в PbTe_bxS_xпри фазовом пере­ходе / В.В. Акимов, А.И. Лебедев, Л.И.Рябов // ФТТ. - 1993. - Т.35. - №1. -С. 169-172.

92. Бушмарина, Г.С. Исследование температурной зависимости ширины за­прещенной зоны Pb_bxGe_xTe / Г.С. Бушмарина [и др.] //Материалы V все­союзного симпозиума. Ч. II. - Львов. - 1980. - С. 150-153.

93. Анисимов, Б.Б. Оптическая эффективная масса дырок в а и γ -GeTe / Б.Б. Анисимов, Ш.З. Джамагидзе, Р.Р. Швангирадзе //ФТП. - 1981. - Т.15. - №8. - С. 1585-1588.

94. Лашкарев, Г.В. Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощеле­вых твердых растворов Pb_bxSn_xTe (х = 0,18) / Г.В. Лашкарев, P.O. Кикодзе, А.В. Бродовой //ФТП. - 1978. - Т. 12. - №6. - С. 1066-1073.

95. Аверкин, А.А. Исследования твердых растворов на основе PbTe при все­стороннем давлении / А.А. Аверкин [и др.] //ФТП. - 1978. - Т.12. - №6. - С. 1144- 1148.

96. Акимов Б.А. Перестройка энергетического спектра в сплавах Pbι._xSn_xTe с примесью In при изменении их состава под давлением/ Б.А. Акимов [и др.] //ФТП. - 1979. - Т. 13. - №4. - С. 752-759.

97. Аверкин, А.А. О природе примесных состояний в теллуриде свинца / А.А. Аверкин, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник //ФТП. - 1971. - Т.5. - №1. - С. 91- 95.

98. Вишняков, Е.М. Фотопроводимость кристаллов Pbι._xSn_xTe, выращенных из пара / Е.М. Вишняков, В.П. Зломанов, О.Б. Яценко. //ФТП. - 1978. - Т.12. - №6.-С. 1212-1214.

99. Сидоркин, А.С. Доменная структура и процессы переключения в сегнето­электриках/ А.С. Сидоркин// Соровский общеобразовательный журнал. - 1999. -№8.-С. 103-109.

100. Селюк, Б.В. Локализация заряда в сегнетоэлектрическом конденсаторе / Б.В. Селюк // ФТТ. - 1966. - Т.8. - №12. - С. 3500-3505.

IOE Селюк, Б.В. Пространственный компенсирующий заряд в сегнетоэлек­триках / Б.В. Селюк// Кристаллография. - 1968. - Т. 13. - №3. - С. 447-451.

102. Гуро, Г.М. C-доменный кристалл BaTiO₃в короткозамкнутом конденса­торе / Г.М. Гуро, И.И. Иванчик, Н.Ф. Ковтонюк // ФТТ. - 1969. - Т.П. -

В.7. - С. 1956-1964.

103. Ченский, Е.В. Эффект поля в сегнетоэлектрическом полупроводнике выше точки Кюри /Е.В. Ченский, В.Б. Сандомирский // ФТП. - 1969. - Т.З.-С. 857-863.

104. Kahn, А.Н. Electronic Energy Bands in Strontium Titanate ∕ A.H. Kahn, A.J. Leyendecker ∕∕ Phys. Rev. - 1964. - V. 135. - Iss.5A. - P. A1321-A1325.

105. Греков, А.А. Влияние экранирования неравновесными носителями на процесс переполяризации сегнетоэлектрика SbSi / А.А. Греков, В.А. Ляхо- вицкая, А.И. Родин, В.М. Фридкин // ФТТ. - 1968. - Т.10. - В.8. - С. 2239- 2241.

106. Бурсиан, Э.В. Нелинейная емкость тонких монокристаллических пленок ВаТіОз / Э.В. Бурсиан, Н.П. Смирнова // ФТТ. - 1964. - Т.6. - №6. - С. 1818-1820.

107. Богатин, А.С. Влияние сквозной проводимости на определение характе­ристик процессов релаксационной поляризации/ А.С. Богатин, И.В. Лиси­ца, С. А. Богатина// Письма в ЖТФ. - 2002. - Т.28. - В. 18. - С. 61-66.

108. Пошин, В.Г. Диэлектрические свойства тонких кристаллов триглицин­сульфата. / В.Г. Пошин, В.К.Новик, Б.В. Селюк., В.А. Копцик, Н.Д. Гав­рилова, В.А. Мелешина // Кристаллография. - 1974. - Т.19. - №4. - С. 809-814.

109. Селюк, Б.В. Селюк Б.В. Влияние компенсирующих зарядов на с- доменную структуру сегнетоэлектриков /Б.В. Селюк // Кристаллография. - 1971. - Т. 16. - №2. - С. 356-362.

ПО. Селюк, Б.В. Высота барьеров Шоттки в сегнетоэлектриках / Б.В. Селюк //Изв. AHCCCP. Сер. физическая. - 1971. - Т.35. -№9. - С. 1798-1801.

111. Masuno, К. Dielectric ceramics with boundary-layer structure for high fre­quency application ∕ K. Masuno, T. Murakami, S. Waku ∕∕ Ferroelectrics. - 1972. -V.3. - P. 315-319.

112. Бородзюля, B.Φ. Влияние проводимости на диэлектрические характери­стики цианэтилового эфира поливинилового спирта/ В.Ф. Бородзюля и [др] // ФТТ. - 2013. - Т.55. - В.8. - С. 1536-1539.

ИЗ. Ferroelectrics - Material Aspects. ∕ Edited by Mickael Lallart. - Publisher: InTech. -2011.-518 p. - Access via http://www.intechopen.com/books/ ferro- electrics-material-aspects.

114. Ferroelectrics - Applications. ∕ Edited by Mickael Lallart. - Publisher: InTech. - 2011. - 250 p. - Access via http://www.intechopen.com/books ∕ferroelectrics-applications.

115. Емец, Ю.П. Эффективная диэлектрическая проницаемость трехкомпо­нентных композиционных материалов с анизотропной структурой / Ю.П. Емец // ЖТФ. - 2005. - Т.75. - С. 67-72.

116. Дручинин, С.В. Исследование применимости формул смеси для описа­ния диэлектрической проницаемости сред с большим содержанием вклю­чений/ С.В. Дружинин // Радиотехника и электроника. - 2000. - Т.45. - №2. - С. 230-239.

117. Lichtenecker, К. Die Dielektrizitatskonstante naturlicher und kunstlicher Mischkorper/ К. Lichtenecker ∕∕ Physikal. Z (German). - 1926. - В.27. - Р. 115-158.

118. Wagner, K.W. Erklarung der dielektrishcen Nachwirkungsvorgange auf Grund Maxwellscher Vorstellungen ∕K.W. Wagner ∕∕ Arch. Elektrotechn. - 1914. -В.2. -Р. 371-387.

119. Оделевский, В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных си­стем. Матричные двухфазные системы с невытянутыми включениями / В.И. Оделевский // ЖТФ. - 1951. - Т.21. - №6. - С. 667-677.

120. Bruggeman, D.A. Verschidener physikalischen Konstanten von Iieterogenen Substanzen ∕ D.A. Bruggeman G. Berechnung// Ann. Phys. - 1935. - В.24. - №5. - P. 636-679.

121. Емец, Ю.П. Моделирование электрофизических характеристик диэлек­трической среды с периодической структурой/ Ю.П. Емец // ЖТФ. - 2004. -Т.74.-С. 1-9.

122. Ландау, Л.Д. Теоретическая физика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц ∕∕ Т.8. Электродинамика сплошных сред. - M.: ФИЗМАТ ЛИТ. - 2001. - 856 с.

123. Ролов, Б.Н. Термодинамика фазовых переходов в сегнетоактивных твер­дых растворах / Б.Н. Ролов, В.Э. Юркевич. - Рига: «Знатие». - 1976. - 216 с.

124. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов станната бария в титанате бария / Г.А. Смоленский, В.А. Исупов // ЖЭТФ. - 1954. - Т.24. - В.7. - С. 1375-1386.

125. Фрицберг, В.Я. Физическая природа поляизации в твердых растворах титанатов стронция и висмута / В.Я. Фрицберг // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук. - 1961. -№5. - С. 39-51.

126. Ландау, Л.Д. Статистическая физика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. - M.: Наука. - 1964. - 567 с.

127. Shen, Лап Long-range coupling interactions in ferroelectric sandwich struc­tures ∕ Лап Shen, Yu-qiang Ma ∕∕ Journal of applied physics. - 2001. - V.89. - P. 5031-5035.

128. Шацкая, Ю.В. Роль диполь-дипольное взаимодействия в сегнетоэлек­трических композитах / Ю.В. Шацкая, Е.В. Стукова, С.В. Барышников // НТВ.-2010.-№1.-С. 36-41.

129. Стукова, Е.В. Диэлектрические свойства сегнетоэлектрического компо­зита на основе KNO₃-BaTiO₃и KNO₃-LiNbO₃/ Е.В. Стукова, В.В. Маслов,

С.В. Барышников // Известия РГПУ имени А.И. Герцина. - 2011. - №138. -С. 58-65.

130. Kretschmer, R. Surface effects on phase transitions in ferroelectrics and dipo­lar magnets ∕ R. Kretschmer, K. Binder ∕∕ Phys. Rev. B. - 1979. - V.20. - P. 1065-1071.

131. Стукова, Е.В. Физика малых частиц и наностуктурных материалов/ Е.В. Стукова, С.В. Барышников, А.Ю. Милинский // Учебное пособие. Благо­вещенск: Амурский гос. ун-т. - 2010. - 150 с.

132. Kretschmer, R. Surface effects on phase transitions in ferroelectrics and dipo­lar magnets ∕ R. Kretschmer, K. Binder ∕∕ Phys. Rev. B. - 1979. - V.20. - P. 1065-1071.

133. Tilley, D.R. Landau theory of phase transitions in thick films ∕ D.R. Tilley, B. Zeks ∕∕ Solid State Communication. - 1984. - V.49. - Iss.8. - P. 823-828.

134. Фрелих, Г. Теория диэлектриков ∕ Г. Фрелих. - M.: ИЛ. - 1960. - 251 с.

135. Rosenstock, H.B. On the Optical Properties of Solids ∕∕ J. Chem. Phys. - 1955.-V.23.-P. 2415-2421.

136. Berreman, D. W. Infrared Absorption at Longitudinal Optic Frequency in Cu­bic Crystal Films ∕∕ Phys. Rev. - 1963. - V. 130. - P. 2193-2199.

137. Glinchuk, M.D. The internal electric field originating from the mismatch ef­fect and its influence on ferroelectric thin film properties ∕ M.D. Glinchuk, A.N. Morozovska ∕∕ J. PhyszCondens. Matter. - 2004. - V. 16. - P. 3517-3531.

138. Фридкин, B.M. Критический размер в сегнетоэлектрических нанострук­турах // УФЫ. - 2006. - Т. 176. - С. 203-212.

139. Струков, Б.А. Фазовые переходы в наноразмерных сегнетоэлектриках / Б.А. Струков, С.Т. Давитадзе // Сборник докладов Международной науч­ной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». ФТТ. - 2005.-Т.1.-С. 11-13.

140. Кенциг, В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / В. Кенциг. Пере­вод с англ. Б.Н. Мацонашвили. -M.: Изд. Иностранная литература. - 1960. - 117 с.

141. Бурсиан, Э.В. Межзонная модель сегнетоэлектричества. Теория и экспе­римент/ Э.В. Бурсиан, Я.Г. Гиршберг, Н.Н. Трунов //Изв. ВУЗов. Физика. -1981,-№8.-С. 94-109.

142. Бурсиан, Э.В. Полярные и когерентные эффекты в сегнетоэлектриках/ Э.В. Бурсиан //Межзонная модель сегнетоэлектрика: Сб. научных трудов. Л.: JllПИ им. А.И. Герцена. - 1987. - С. 88-107.

143. Бурсиан, Э.В. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках/ Э.В. Бурсиан, Я.Г. Гиршберг. -M.: Прометей. - 1989. - 198 с.

144. Грошик, И.И. Сдвиг температуры Кюри в сегнетоэлектрике- полупроводнике / И.И. Грошик, П.В. Ионов, В.М. Фридкин // ФТТ. - 1968. -Т.2.-С. 1630-1635.

145. Ларкин, А.И. О слоистой структуре в сегнетоэлектриках- фотопроводниках / А.И. Ларкин., Д.Е. Хмельницкий // ЖЭТФ. - 1968. - Т.55. - С. 2345-2354.

146. Kreher, К. Screening of local fieldsin in SbSi and lowering of the curie tem­perature ∕ K. Kreher ∕∕ Phys. Letters. - 1969. - A.30. - 384 p.

147. Пасынков, P.E. 0 термодинамической теории сегнетоэлектриков- полупроводников / Р.Е.Пасынков // Изд. АН СССР, сер. Физич. - 1970. - Т.34. - №12. - 2466 с. - Т.34. - №12. - С. 2466-2479.

148. Zubko, P. Interface physics in complex oxide heterostructures ∕ P. Zubko, S. Gariglio, M. Gabay, P. Ghosez, J.-M. Triscone ∕∕ Annu. Rev. Cond. Mat. Phys. -2011. - №2.-P. 141-165.

149. Γypo, Γ.M. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г.М. Гуро, И.И. Иванчик, Н.Ф. Ковтонюк//ФТТ. - 1968. -Т. 10. - В. 1. - С. 135-143.

150. Farokhipoor, S. Conduction through 71 domain walls in BiFeO3 thin films /S. Farokhipoor, B. Noheda //Zemike Institute for Advanced Materials. University of Groningen. - 2011. - №19. - 9747 p.

151. Dagotto, E. When oxides meet face to face ∕ E. Dagotto //Science. - 2007. - V.318. - P. 1076-1077.

152. Mannhart, J. Oxide interfaces - an opportunity for electronics/ J. Mannhart,

D. G. Schlom//Science.-2010.-V.327.-P. 1607-1611.

153. Yamada, H. Engineered interface of magnetic oxides/ H. Yamadaet ∕∕ Sci­ence. - 2004. - V.395. - P. 646-648.

154. Ohtomo, A. Artificial charge-modulation in atomic-scale perovskite titanate superlattices/ A. Ohtomo, D. A. Muller, J. L. Grazul, H. Y. Hwang// Nature. - 2002.-V.419.-P. 378-380.

155. Thiel, S. Tunable quasi two-dimensional electron gases in oxide heterostruc­tures/ S. Thiel, G. Hammerl, A. Schmehl, C. W. Schneider, J. Mannhart// Sci­ence. -2006. -V.313. -P. 1942-1945.

156. Chakhalian, J. Magnetism at the interface between ferromagnetic and super­conducting oxides/ J. Chakhalian et al// Nature Phys. - 2006. - V.2. - P. 244- 248.

157. Salje, E. K. H. Multiferroic domain boundaries as active memory devices: Trajectories towards domain boundary engineering/ E. K. H. Salje// Phys. Chem.-2010.-V. 11.-P. 940-950.

158. Gopalan, V. Defect-domain wall interactions in trigonal ferroelectrics/ V. Gopalan, V. Dierolf, D. A. Scrymgeour ∕∕ Annu. Rev. Mater. Res. - 2007. - V.37. - P. 449-489.

159. Seidel, J. Conduction at domain walls in oxide multiferroics ∕J. Seidel et al// Nature Mater. - 2009. - V.8. - P. 229-234.

160. Farokhipoor, S. Conduction through 71^o domain walls in BiFeO₃ thin films/ S. Farokhipoor₅B. Noheda ∕∕ Phys. Rev. Lett. -2011. - V. 107. - P. 127601.

161. Hill, N. A. Why are there so few magnetic ferroelectrics?/ N. A. Hill ∕∕ J. Phys. Chem. - 2000. - V. 104. - P. 6694-6709.

162. Wu, W. Polarization-modulated rectification at ferroelectric surfaces/ W. Wu et al//Phys. Rev. Lett. -2010. - V. 104. - P. 217601.

163. Meyer, B. Ab initio study of ferroelectric domain walls in PbTiO₃/ B. Meyer, D. Vanderbilt ∕∕ Phys. Rev. - 2002. - V.65. - P. 104111.

164. Sluka, T. Free-electron gas at charged domain walls in insulating BaTiO₃/ T. Sluka, A. Tagantsev, P. Bednyakov, N. Setter ∕∕ Nature Communications. - 2013.-V.4.-P. 1808-1814.

165. Jia, C.-L. Atomic-scale study of electric dipoles near charged and uncharged domain walls in ferroelectric films/ C.-L. Jia, S.-B. Mi, K. Urban, I. Vrejoiu, M. Alexe, D. Hesse// Nature Mater. - 2008. - V.7. - P. 57-61.

166. Conti, S. Coupling of order parameters, chirality and interfacial structures in multiferroic materials/ S. Conti, S. Muller, A. Poliakovsky, E. K. H. Salje ∕∕ J. Phys. Cond.-Mat. -2011. - V.23. - P. 142203.

167. Eliseev, E. A. Static conductivity of charged domain walls in uniaxial ferroe­lectric semiconductors/ E. A. Eliseev, A. N. Morozovska, G. S. Svechnikov, V. Gopalan, V. Y. Shur ∕∕ Phys. Rev. - 2011. - V.83. - P. 235313.

168. Mokry, P. Pressure on charged domain walls and additional imprint mecha­nism in ferroelectrics/ P. Mokry, A. K. Tagantsev, J. Fousek ∕∕ Phys. Rev. -

2007. - V.75. - P. 094110.

169. Коханчик, Л.С. Формирование регулярных доменных структур и осо­бенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами / Л.С. Коханчик, Д.В. Ир- жак //ФТТ. - 2010. - Т.52. - В.2. - С. 285-289.

170. Коханчик, Л.С. Периодические доменные структуры, сформированные электронным лучом в пластинах LiNbO3 и планарных волноводах Ti:LiNbO3 Y-ориентации/ Л.С. Коханчик и [др] //ФТТ. - 2010. - Т.52. - В.8. - С. 1602-1609.

171. Турик, А.В. Релаксационные процессы в диэлектриках с недебаевскими спектрами / А.В.Турик, А.С.Богатин, Е.В.Андреев //ФТТ. - 2011. - Т.53. - В. 12.-С. 59-65.

172. Cochran, W. The crystal dynamics of lead telluride/ W. Cochran, R.A. Cow­ley^. Dolling, M.M. Eicomb∕∕Proc. Roy. Soc. - 1966. - V.A293. - P.433. - 451 p.

173. Powley, G.S. Diotomic ferroelectrics ∕ G.S. Powley,W. Cochran,R.A. Cow­ley,G. Dolling//Phys. Rev. Lett. - 1966. - V. 17. -P. 753-755.

174. Kinch, M.A. Far IR determination of the transverse optic lattice mode in PbTe at low temperature ∕ M.A. Kinch, D.D. Buss //Sol. State Communs. - 1972.-V.lL-P. 319-322.

175. Коржуев, M.A. Теллурид германия и его физические свойства. / М.А. Коржуев - M.: Наука. - 1986. - 103 с.

176. Powley, G.S. Evidence of ferroelectricity in IV-VI compounds ∕ G.S. Powley /∕J. Phys. - 1968. - V.29. -№11/12. - P. 145-150.

177. Goldak, J. Structure of alpha GeTe/ J. Goldak, C.S. Barret, D. Innes,W. Youdelis /∕J. Chem. phys. - 1966. - V.41. - P. 3323-3325.

178. Iizumi, M. Phase transition in SnTe with low carrier concentration ∕ MTizumi M, D.F. Hamaguchi, S. Kamatsubara, Y. Kato∕∕J. Phya. Soc. Jap. - 1975. - V.38. - P. 443-449.

179. Sugai, M. Carrier density dependence of soft TO-phonon in SnTe by Raman scattering ∕ M. Sugai, K. Murase, S. Katayama, S. Takaoka, H. Kawamura //Sol. State. Communs. - 1977. - V.24. - P. 407-409.

180. Muldawer, L. New studies of the low temperature transformation in SnTe ∕ L. Muldawer/∕J. Nonmetals. - 1973. -№1. - P. 177-182.

181. Akiko, N. Displacive phase transition in narrow-gap semiconductors∕N. Aki­ko/∕J. Phys. Soc. Jap. - 1976. - V.40. -№1. - P. 163-171.

182. Kramadhati, S. Optical Properties of Pure and Doped (KNO₃ and MgCj₂) Pol­yvinyl Alcohol Polymer Thin Films ∕ S. Kramadhati, K.Thyagarajan ∕∕ Interna­tional Journal of Advanced Research. - 2013. - V.6. -1.8. - P. 15-18.

183. Deepthil, P.R. Optical, FTIR and XRD analysis of pure and L-histidine doped triglycine sulphate crystals a comparative study ∕ P.R. Deepthil, J. Shan- thi ∕∕ International Journal of Advanced Research. - 2014. - V.2. - 1.12. - P. 815-820.

184. Грабовский, C.B. Влияние примесей органических красителей на ди­электрические свойства кристаллов KDP/С.В. Грабовский, И.В. Шнайдштейн, Б.А. Струков // ФТТ. - 2003. - Т.45. - С. 518-522.

185. Khanum, F. Structural and Optical Properties of Triglycine Sulfate Single Crystals Doped with Potassium Bromide ∕ Farhana Khanum, Jiban Podder //Journal of Crystallization Process and Technology. - 2011. - №1. - P. 26-31.

186. Дрождин, С.Н. Температурное и временное поведение параметров до­менной структуры кристаллов триглицинсульфата вблизи фазового пере­хода /С.Н. Дрождин, О.М. Голицына // ФТТ. - 2012. - Т.54. - В.5. - С. 853- 858.

187. Лебедев, А.И. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические переходы в Pbι-_xS_xTe и Pbι._xGe_xTe / А.И. Лебедев, И.А. Случинская //ФТТ.

- 1993. -Т.35. - №3. - С. 629-635.

188. Лебедев, А.И. Нецентральность примесных атомов Pb и Sn, индуциро­ванная сильным локальным напряжением в решетке GeTe / А.И. Лебедев //ЖЭТФ. - 1996. - Т.63. - №8. - С. 601-604.

189. Лебедев, А.И. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe / А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро //Изв. РАН. Сер. физ. - 1996. - Т.60. - №10. - С. 46 -52.

190. Леванюк, А.И. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов / А.И. Лева­нюк, В.В. Осипов, А.С. Сигов, А.А. Собянин //ЖЭТФ. - 1979. - Т.76. - №1.-С. 345-368.

191. Виноградов, В.С. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Pbι._xSn_xTe ( х= 0,25) / В.С. Виноградов, И.В. Кучеренко //ФТТ. - 1991. - Т.ЗЗ. - №9

- С. 2572-2578.

192. Ueda, S. Change in the dielectric constant of SbSI caused by illumination/ S. Ueda, I. Tatsusaki, J. Schinodo //Phys. Rev. Lett. - 1967. - V. 18. - P. 453-454.

193. Григас, Б.П. Температурный гистерезис фазового перехода в сульфоио­дате сурьмы / Б.П. Григас, И.П. Григас, Р.П. Беляцкас //ФТТ. - 1967. - Т.9. -№5.-С. 1532-1534.

194. Беляев, Л.М. Фоточувствительный фазовый переход в сегнетоэлектрике- полупроводнике SbSI/ Л.М. Беляев и [др] //Письма в ЖЭТФ. - 1967. - Т.6. -С. 481-484.

195. Кудзин, А.Ю. Фотодиэлектрический эффект кристаллов SbSI / А.Ю. Кудзин, А.Н. Сухинский, Р.В. Осипов //ФТТ. - 1968. - Т.10. - №5. - С. 1577-1580.

196. Волк, Т.Р. Влияние освещения на доменную структуру и температуру Кюри в ВаТЮз/ Т.Р. Волк, А.А. Греков, Н.А. Kocohotob,В.М. Фридкин //ФТТ. - 1972. -Т. 14. - №11. - С. 3214-3218.

197. Kocohotob,Н.А. Фото доменный эффект и фотопереключение в сегнето­электрике BaTiO₃и ферроэластике Sb₅O₇I/ Н.А. Косоногов: Автореферат канд. дис. - Ростов-на-Дону. - 1983. -24 с.

198. Герзанич, Е.И. Оптическое наблюдение фазового перехода в SbSI вблизи критической точки Кюри/ Е.И. Герзанич, В.М. Фридкин //Письма ЖЭТФ. - 1968. - Т.8. - №10. - С. 553-556.

199. Maslov, V.V. Photostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroe­lectric - semiconductor/ V.V. Maslov, S.V. Baryshnikov, Y.V. Copelevich. //Ferroelectrics. - 1982. - V.45. - P. 51-54.

200. Волк, T.P., Греков A.A., Косоногов H.A., Родин А.И., Фридкин В.М. Фо­топроводность и фотосегнетоэлектрические явления в BaTiO₃/Т.Р. Волк и [др] //Кристаллография. - 1971. -№16. - С. 241-243.

201. Fridkin, V.M. Photodomain effect in BaTiO₃ ∕ V.M Fridkin, Grekov A.A., Kosonogov N.A. and Volk T.R. //Ferroelectrics. - 1972. - V.4. - №1-3. - P. 169-175.

202. Fridkin, V.M. The influence of nonequilibrium carriers on the BaTiO₃ domain structure ∕ V.M. Fridkin, A.A. Grekov, N.A. Kosonogov, B.F. Proskuryakov, T.R. Volk //Ferroelectrics. - 1974. - V.8. - №1-2. - P. 429-432.

203. Волк, Т.Р. Фотоэлектрические явления в фоторефрактивных сегнето­электриках / Т.Р. Волк: Автореферат диссертации д-ра физ.-мат. наук. - Москва. - 1995. - 37 с.

204. Бурсиан, Э.В. Изменение диэлектрической проницаемости сегнето­электрика в поле сильной электромагнитной волны/ Э.В. Бурсиан, В.В. Маслов, С.В. Барышников, В.А. Ляховицкая, Я.Г. Гиршберг //Изв. АН СССР. Сер. Физ. - 1983. - Т.47. - №4. - С. 746-749.

205. Baryshnikov, S.V. Permittivity and refraction index of ferroelectric in inten­sive external field/ S.V. Baryshnikov, E.V. Bursian, Ya.G. Girshberg, I.V. Kosolapov, V.V. Maslov, G.N. Pryakhin //Ferroelectrics. - 1989. - V.96. - P. 289-293.

206. Барышников, C.B. Переход сегнетоэлектрика в состояние с периодиче­ской структурой в интенсивном электромагнитном поле/ С.В. Барышни­ков, Э.В. Бурсиан, Я.Г. Гиршберг, В.В. Маслов, В.А. Ляховицкая //ФТТ. - 1984. - Т. 26. - №6. - С. 1872-1874.

207. Bursian, E.V. The connection between electron spectrum parameters and fer­roelectric parameters in displasive ferroelectrics ∕ E.V. Bursian, Ya.G. Girsh- berg, S.V. Baryshnikov, V.N. Bacherev //Ferroelectrics. - 1978. - V.21. - P. 393-394.

208. Chen, A. Nature of feroelectricity in KNO3 ∕ A. Chen, A. Chernow ∕∕ Phys. Rev. - 1967. - V. 154. - №2. - P. 493-505.

209. Иона, Φ. Сегнетоэлекрические кристаллы ∕ Φ. Иона, Д. Ширане // Пере­вод на русский под редакцией Л.А. Шувалова. M.: Мир. - 1965. - 555 с.

210. Busch, G. A New Seignette-electric Substance ∕ G. Busch, P. Scherrer ∕∕ Naturwiss. - 1935. - V.23. - P. 737-738.

211. Барышников, С.В. Особенности диэлектрических аномалии в Pbb_xGe_xTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода/ С.В. Барышников, А.С. Барышников, А.Ф. Баранов, В.В. Маслов// ФТТ. -

2008. - Т.50. - №7. - С. 1270-1273.

212. Измеритель иммитанса LCR-816/817/819/821/826/827/829. Руководство по эксплуатации. - М. - 2006. - 26 с.

213. Измеритель иммитанса Е7-25. Руководство по эксплуатации УШЯИ. 411218.015 РЭ. - Минск. - 2012. - 35 с.

214. Измерители температуры CENTER-300/301/302/303/304/305/306/307 /308/309. Руководство по эксплуатации. - М. - 2005. - 32 с.

215. Mesureurs et Calibrateurs de temperature. Руководство по эксплуатации. - Printed France Ris-Orangis. - 2011. - 78 с.

216. Антонов, А.А. Регистратор диэлектрических свойств для прибора «Из­меритель иммитанса Е7-25 / А.А. Антонов, А.Ю. Милинский// Свидетель­ство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015615394.

217. Ikeda, S. Nonlinear dielectric constant and ferroelectric-to-paraelectric phase transition in copolymers of vinylidene fluoride and trifluoroethylene ∕ S. Ikeda, H. Kominami, K. Koyama, Y. Wada ∕∕ J. Appl. Phys. - 1987. - V.62. - №8. - P. 3339-3342.

218. Модуль АЦП-ЦАП ZET 230. Паспорт. Инструкция по эксплуатации. - М.-2008.-19 с.

219. Бессонов, Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи / Л.А. Бессонов. - M.: Гардарики. - 2002. - 638 с.

220. Милинский, А.Ю. Метод нелинейной диэлектрической спектроскопии для исследования сегнетоэлектриков в случае сильных полей / А.Ю. Ми­линский, Ю.А. Шацкая, А.А. Антонов, С.В. Барышников // Известия Са­марского Научного центра. - 2014. - Т.16. - №4. - С. 83-89.

221. Емелина, А.Л. Дифференциальная сканирующая калориметрия / А.Л. Емелина. - M.: Лаборатория химического факультета МГУ. - 2009. - 42 с.

222. Программное обеспечение ZetLab. Руководство пользователя. - М. - 2010. - 178 с.

223. Аналого-цифровой преобразователь ZET 210 Sigma USB. Паспорт. Ин­струкция по эксплуатации. - М. - 2010.-18 с.

224. Предварительный усилитель ZET 411. Паспорт. Инструкция по эксплуа­тации. - М. - 2010. - 18 с.

225. Авакян, Е.И. Влияние высокотемпературного отжига на диэлектрические свойства кристаллов PbTiO₃/ Е.И. Авакян, А.Ф. Семенчёв, В.Г. Гавриляченко// ФТТ. - 2009. - Т.51. - В.7. - С. 1369-1371.

226. Поплавко, Ю.М. Физика диэлектриков / Ю.М. Поплавко. - Вища шк. Киев. - 1980. - 400 с.

227. Hunter, D. Junction characteristics of SiTiO₃ or BaTiO₃ on p-Si (100) hetero­structures/ D. Hunter, K. Lord, T. M. Williams, K. Zhang, A.K. Pradhana, D. R. Sahu and J.-L. Huang. ∕∕ Appl. Phys. Lett. - 2006. - V.89. - P. 092102.

228. Lanzhong, H. Forward tunneling effect and metal-insulator transition in the BaTiO₃ film∕Si n-nheterojunction ∕ H. Lanzhong, X. Qingzhong, G. Xili, L. Qun, Z. Qingbin and Y. Keyou ∕∕ Appl. Phys. Lett. - 2007. - V.91. - P. 212105.

229. Liu, G. Z. Resistance switching in BaTiO₃-Si_p-n_heterostructure/ G. Z. Liu,

K. J. Jin, J. Qiu, M. He, H. B. Lu, J. Xing, Y. L. Zhou, G. Z. Yang ∕∕ Appl. Phys. Lett. -2007. - V.91. - P. 252110.

230. Jona, F. Ferroelectric crystals ∕ F. Jona, G. Shirane. - INC. New York. - 1993. -402 p.

231. Morgan, D. V. Physics and technology Ofheterojunction devices ∕ D. V. Mor­gan, R. H. Williams. - London. U.K.: P. Peregrinus Ltd. - 1991. - 311 p.

232. Mattes, B. L. Secondary Piezoresistivity in Oxygen Deficient BaTiO3 Single Crystals ∕ B. L. Mattes ∕∕ Appl. Phys. Lett. - 1963. - V.34. - P. 682-687.

233. Вендик, O.Γ. Моделирование и расчет емкости планарного конденсато­ра, содержащего тонкий слой сегнетоэлектрика / О.Г. Вендик, С.П. Зубко, М.А. Никольский //Журнал технической физики. - 1999. - Т.69. - В.4. - С.1-7.

234. Барышников, С.В. Особенности диэлектрических аномалий Pbμ _xGe_xTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода / С.В.Барышников, А.С.Барышников, А.Ф.Баранов, В.В.Маслов // ФТТ. - 2008. - Т.50. - В.7. - С. 1270-1273.

235. Андреева, А.В. Основы физикохимии и технологии композитов / А.В. Андреева. -M.: Радиотехника. -2001. - 191 с.

236. Виноградов, А.П. Электродинамика композитных материалов / А.П. Ви­ноградов. - M.: Эдиториал УССР. - 2001. - 208 с.

237. Pintilie, L. Ferroelectric polarization-leakage current relation in high quality epitaxial Pb(Zr₅Ti)O₃ films ∕ L. Pintilie, LVrejoiu, D. Hesse, G. LeRhun, M. Alexe ∕∕ Physical Review B. - 2007. - V.75. - P. 104103-104108.

238. Глинчук, М.Д. Размерные эффекты в сегнетоэлектрических наноматери­алах/ М.Д. Глинчук, Е.А. Елисеев, А.Н. Морозовская // Украинский физи­ческий журнал. - 2009. - №5. - С.34- 62.

239. Блинц, Р. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Р. Блинц, Б. Жекш. - Перевод с английского под редакцией Л.А. Шувалова. M.: Мир. - 1975. -398 с.