ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе исследованы линейные и нелинейные диэлектрические свой­ства проводящих сегнетоэлектрических материалов: монокристаллов KNbO₃(Sm); гетероструктур на основе пленок BaTiO₃(и-типа) и кремниевых подложек (Д-типа); проводящих композитов (KH₂PO4)1.χ∕(Pb0₅95θe0,05Te)χ (х = 0,2; 0,3; 0,4); калориметрические свойства композитов на основе пористых металлических матриц с внедренными сегнетоэлектриками KNO₃, NaNO₂и TGS.

1. Установлено, что наличие свободных носителей в монокристаллах KNbO₃

приводит к значительному росту как действительной, так и мнимой частей диэлектрической проницаемости. Диэлектрическая проницаемость при нагреве и охлаждении имеет различные значения. Модуль относительного изменения диэлектрической проницаемостив

первом приближении повторяет ход P_s(T).Время эволюции кристалла в первоначальное состояние зависит от концентрации свободных носителей, максимальной температуры нагрева и скорости вывода системы из равно­весного состояния.

2. Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гетеро­структур на основе и-типа пленок BaTiO₃и p-типа кремниевых подложек (100), изготовленных методом импульсно-лазерного осаждения. Показано, что нелинейные свойства тонкопленочных гетеропереходов BaTiO₃∕Si вы­ражены сильнее, чем у классических р-п переходов, но существенно зави­сят от температуры и имеют максимум вблизи фазового перехода для объ­емного BaTiO₃.

3. Из анализа температурной зависимости диэлектрической проницаемости и амплитуды третьей гармоники пленок BaTiO₃на кремниевой подложке обнаружен сдвиг фазовых переходов. Для верхнего фазового перехода (кубическая - тетрагональная фаза) температура составляет 395 К при нагреве и 385 К при охлаждении.

ромбическая фаза) температура составляет 284 К при нагреве и 250 К при охлаждении. Для третьего (ромбическая - ромбоэдрическая фаза) темпе­ратуры фазового перехода при нагреве и при охлаждении совпадают и со­ставляют 176 К.

4. Изучено влияние включений макроскопических частиц Pbo₅95θeo,o5Te

на сегнетоэлектрические свойства композитов (KH₂PO4)1.χ∕(Pb0₅95Ge0₅05Te)_x (х = 0,2; 0,3; 0,4). Показано, что с увеличением доли Pbo,95Geo,o5Te проис­ходит рост как действительной, так и мнимой частей диэлектрической проницаемости; коэффициент φ(Γ) = ∆ε^,(∙x)∕∆x на низких частотах в сегне­тоэлектрической фазе больше, чем в параэлектрической; фазовый переход размывается и на температурном ходе ε'(7^τ) появляется гистерезис.

5. Методом дифференциальной сканирующей калориметрии исследованы фазовые переходы для объемных сегнетоэлектриков и сегнетоэлектриков в порах металлических матриц (2-20 мкм). Показано, что для KNO3 в по­рах за счет разного сдвига фазовых переходов происходит расширение области существования сегнетоэлектрической фазы с 20 до 26 К. Для NaNO₂температура фазового перехода снижается на ΔT ≈ 4 К. Для TGS в металлической матрице изменение температуры перехода не наблюда­лось.

Полученные результаты свидетельствую о том, что наличие свободных носителей заряда в неоднородных сегнетоэлектрических структурах приво­дит к экранированию спонтанной поляризации и, как следствие, к изменению диэлектрических свойств и температуры Кюри.