>>

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), интенсивное изучение которых началось в середине 50х годов 20 века после открытия Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горюновой у них полупроводниковых свойств [1], выдвинули перед исследователями ряд фундаментальных вопросов, решение которых в той или иной степени за прошедшие 50 лет привело к практическому использованию ХСП в разнообразных приборах [2].

Известно, что возможность легирования кристаллических полупроводников явилась одним из важнейших факторов, способствовавших развитию полупроводниковой электроники [3]. Практически начиная с первых экспериментальных исследований [4], было обнаружено, что ХСП не легируются в том смысле как это принято в кристаллических полупроводниках. Н.Ф.Мотт [5] объяснил такую характерную нелегируемость ХСП способностью атомов насыщать свои ковалентные связи уже в расплаве, которая затем сохраняется и в твердом состоянии [6]. Экспериментально было показано, что некоторые примеси [7] способны сильно изменять электрические свойства, и в большинстве случаев это трактуется как изменения состояний в щели подвижности, связанные с дефектными состояниями, что позволяет сделать предположения о природе как примесных, так и собственных дефектов [8].

Одно из основных свойств ХСП, используемых в современной микроэлектронной промышленности, является изменение фазового состояния и как следствие проводимости под воздействием внешних воздействий. Данное свойство находит все более широкое применение в промышленности, что обуславливает актуальность исследований в данном направлении.

Цель работы. Целью настоящего диссертационного исследования является исследование особенностей фазового перехода ХСП на основе GST-225 в целях повышения их термостабильности для дальнейшего использования в ячейках энергонезависимой фазовой памяти (ЯЭФП). Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

• выявить основные токовые характеристики и установить

механизмы функционирования стеклообразных халькогенидных

полупроводников, легированных азотом и бором;

• разработать математическую модель физических процессов фазового перехода в неупорядоченных полупроводниках структуры GST-225;

• разработать модель массива ЯЭФП с учетом неоднородности свойств ХСП состава GST-225;

• разработать оптимизированные алгоритмы анализа, синтеза и параметрической идентификации ЭЯФП;

• выявить оптимальные параметры импульсов напряжения для изменения фазового состояния и получить значения числа циклов перезаписи для образцов ХСП легированных бором и азотом.

Методы исследований.

Поставленные задачи решались с помощью различных методов, включая численные методы, методы линейных преобразований, функций Грина, метод ЛПЦВ, методы дифференцирования. Для решения задачи определения механизма переноса носителей в пленках ХСП был предложен метод генерации и переноса носителей за счёт токов термоэмиссии. Для расчёта ВАХ структуры ХСП и распределения в ней потенциала было решено уравнение Пуассона, распределение концентрации носителей в котором даётся уравнением Максвелла-Больцмана. Вычисление вероятности термостимулированной туннельной ионизации U-минус центров основывалось на модели Хуанга-Риса. Для синтеза ЭЯФП различных конструктивных вариантов использовались генетические алгоритмы, при этом для их оптимизации использовался в частности метод Катхилла-Макки.

Научная новизна. В диссертационной работе впервые:

• детально исследовано влияние легирования ХСП состава GST- 225 бором и азотом на изменение проводимости при изменении фазового состояния;

• разработана математическая модель физических процессов в полупроводниковых структурах состава GST-225 и в частности термостимулированной туннельной ионизации U-минус центров;

• проведено моделирование работы основных элементов устройства памяти, образующих, с учетом неоднородности по площади свойств ХСП, неоднородную диссипативную среду;

• получены оптимальные параметры импульсов напряжения для изменения фазового состояния легированных бором и азотом ХСП состава GST-225, а так же выявлено предельное количество циклов изменения фазового состояния для каждого типа ХСП.

Научная и практическая значимость диссертационного исследования состоит в том, что полученные результаты существенно дополняют известные результаты по изучению применения ХСП в устройствах ЯЭФП. Установлены механизмы протекания токов в ХСП материалах. Разработанные в диссертации методы моделирования ЯЭФП позволяют прогнозировать поведение больших массивов с учетом неоднородности структуры отдельных элементов, что может быть использовано при расчете надежности данных элементов.

Полученный в диссертации макет ячейки энергонезависимой фазовой памяти на основе ХСП состава GST-225 легированной азотом может стать основой для изготовления ячеек в промышленных масштабах.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В интересующей области электрических полей наиболее вероятна термостимулированная туннельная ионизация электрона. Характерная величина энергии центров в халькогенидах системы GeSbTe составляет порядка 0,3-0,4 эВ.

2. Генетические алгоритмы синтеза и параметрической идентификации ЯЭФП в совокупности с методом оптимизации Катхилла-Макки позволяют получить валидную модель массива ЯЭФП в виде пленочной резистивной-

емкостной среды с распределенными параметрами. При этом возможно моделирование поведения ЯЭФП в диапазоне частот до 3 ГГц.

3. ХСП состава GST-225 легированные азотом являются более предпочтительными нежели легированные бором для использования в ЯЭФП. Количество циклов изменения фазового состояния (циклов перезаписи) ХСП легированного азотом составляет 1011, а аналогичный показатель ХСП легированного бором - 107.

Личный вклад автора. Основные экспериментальные результаты исследования получены в соавторстве, теоретические исследования полученных результатов выполнены соискателем. Формулировка защищаемых положений и основных выводов диссертационной работы принадлежат автору.

Работа по теме диссертации проводилась в рамках реализации проектной части государственного задания № 3.2448.2014/К.

Апробации работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на международной конференции «Фундаментальный и прикладной наноэлектромагнитизм» (FANEM'12) (Минск, БГУ, 2012г.), международной конференции «Наноинноватика 2013» (Рязань, РГРТУ, 2013), XVIII Всероссийской научно-технической конференции студентов, молодых ученых и специалистов "Новые информационные технологии в научных исследованиях " (НИТ-2013) (Рязань, РГРТУ, 2013), опубликован доклад на международной конференции FM&NT 2014, проходившей в институте твердотельной физики Латвийского университета.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 работ в журналах, рекомендуемых ВАК РФ для опубликования основных научных результатов диссертаций, получен патент на полезную модель

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 80 наименований. Общий объем диссертации составляет 101 страницу, включая 48 рисунков и 12 таблиц.

| >>
Источник: Батуркин Сергей Александрович. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СОСТАВА GST-225, ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ И БОРОМ. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ:

  1. Общая характеристика работы
  2. I. Общая характеристика диссертационной работы
  3. Глава I. Общая характеристика специальности 040110 – Общая врачебная практика (семейная медицина) и квалификационная характеристика специалиста - врача общей практики (семейного врача)
  4. Средства описания комплекса работ проекта, связей между работами и их временных характеристик
  5. 89. Западноевропейский абсолютизм, его типологизация и общая характеристика. Позднее средневековье (13-15 вв. ). Характеристика периода.
  6. 12.1. Общая характеристика проблемы
  7.   1.1. Общая характеристика акционерного правоотношения 
  8. § 2. Общая характеристика Свода законов
  9. 1. Общая характеристика
  10. Общая характеристика понятия
  11. Понятие, виды и общая характеристика секвестра.
  12. 11.1. Общая характеристика периода
  13. ЧАСТИЦЫ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИК
  14. 15. Общая характеристика филологических словарей.
  15. Общая характеристика больных
  16. Общая характеристика погребального обряда
  17. 12.1. Общая характеристика
  18. 23.1. Общая характеристика
  19. 17.1. Общая характеристика