ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы. Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), интенсивное изучение которых началось в середине 50х годов 20 века после открытия Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горюновой у них полупроводниковых свойств [1], выдвинули перед исследователями ряд фундаментальных вопросов, решение которых в той или иной степени за прошедшие 50 лет привело к практическому использованию ХСП в разнообразных приборах [2].
Известно, что возможность легирования кристаллических полупроводников явилась одним из важнейших факторов, способствовавших развитию полупроводниковой электроники [3]. Практически начиная с первых экспериментальных исследований [4], было обнаружено, что ХСП не легируются в том смысле как это принято в кристаллических полупроводниках. Н.Ф.Мотт [5] объяснил такую характерную нелегируемость ХСП способностью атомов насыщать свои ковалентные связи уже в расплаве, которая затем сохраняется и в твердом состоянии [6]. Экспериментально было показано, что некоторые примеси [7] способны сильно изменять электрические свойства, и в большинстве случаев это трактуется как изменения состояний в щели подвижности, связанные с дефектными состояниями, что позволяет сделать предположения о природе как примесных, так и собственных дефектов [8].Одно из основных свойств ХСП, используемых в современной микроэлектронной промышленности, является изменение фазового состояния и как следствие проводимости под воздействием внешних воздействий. Данное свойство находит все более широкое применение в промышленности, что обуславливает актуальность исследований в данном направлении.
Цель работы. Целью настоящего диссертационного исследования является исследование особенностей фазового перехода ХСП на основе GST-225 в целях повышения их термостабильности для дальнейшего использования в ячейках энергонезависимой фазовой памяти (ЯЭФП). Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:
• выявить основные токовые характеристики и установить
механизмы функционирования стеклообразных халькогенидных
полупроводников, легированных азотом и бором;
• разработать математическую модель физических процессов фазового перехода в неупорядоченных полупроводниках структуры GST-225;
• разработать модель массива ЯЭФП с учетом неоднородности свойств ХСП состава GST-225;
• разработать оптимизированные алгоритмы анализа, синтеза и параметрической идентификации ЭЯФП;
• выявить оптимальные параметры импульсов напряжения для изменения фазового состояния и получить значения числа циклов перезаписи для образцов ХСП легированных бором и азотом.
Методы исследований.
Поставленные задачи решались с помощью различных методов, включая численные методы, методы линейных преобразований, функций Грина, метод ЛПЦВ, методы дифференцирования. Для решения задачи определения механизма переноса носителей в пленках ХСП был предложен метод генерации и переноса носителей за счёт токов термоэмиссии. Для расчёта ВАХ структуры ХСП и распределения в ней потенциала было решено уравнение Пуассона, распределение концентрации носителей в котором даётся уравнением Максвелла-Больцмана. Вычисление вероятности термостимулированной туннельной ионизации U-минус центров основывалось на модели Хуанга-Риса. Для синтеза ЭЯФП различных конструктивных вариантов использовались генетические алгоритмы, при этом для их оптимизации использовался в частности метод Катхилла-Макки.Научная новизна. В диссертационной работе впервые:
• детально исследовано влияние легирования ХСП состава GST- 225 бором и азотом на изменение проводимости при изменении фазового состояния;
• разработана математическая модель физических процессов в полупроводниковых структурах состава GST-225 и в частности термостимулированной туннельной ионизации U-минус центров;
• проведено моделирование работы основных элементов устройства памяти, образующих, с учетом неоднородности по площади свойств ХСП, неоднородную диссипативную среду;
• получены оптимальные параметры импульсов напряжения для изменения фазового состояния легированных бором и азотом ХСП состава GST-225, а так же выявлено предельное количество циклов изменения фазового состояния для каждого типа ХСП.
Научная и практическая значимость диссертационного исследования состоит в том, что полученные результаты существенно дополняют известные результаты по изучению применения ХСП в устройствах ЯЭФП. Установлены механизмы протекания токов в ХСП материалах. Разработанные в диссертации методы моделирования ЯЭФП позволяют прогнозировать поведение больших массивов с учетом неоднородности структуры отдельных элементов, что может быть использовано при расчете надежности данных элементов.
Полученный в диссертации макет ячейки энергонезависимой фазовой памяти на основе ХСП состава GST-225 легированной азотом может стать основой для изготовления ячеек в промышленных масштабах.Основные положения, выносимые на защиту:
1. В интересующей области электрических полей наиболее вероятна термостимулированная туннельная ионизация электрона. Характерная величина энергии центров в халькогенидах системы GeSbTe составляет порядка 0,3-0,4 эВ.
2. Генетические алгоритмы синтеза и параметрической идентификации ЯЭФП в совокупности с методом оптимизации Катхилла-Макки позволяют получить валидную модель массива ЯЭФП в виде пленочной резистивной-
емкостной среды с распределенными параметрами. При этом возможно моделирование поведения ЯЭФП в диапазоне частот до 3 ГГц.
3. ХСП состава GST-225 легированные азотом являются более предпочтительными нежели легированные бором для использования в ЯЭФП. Количество циклов изменения фазового состояния (циклов перезаписи) ХСП легированного азотом составляет 1011, а аналогичный показатель ХСП легированного бором - 107.
Личный вклад автора. Основные экспериментальные результаты исследования получены в соавторстве, теоретические исследования полученных результатов выполнены соискателем. Формулировка защищаемых положений и основных выводов диссертационной работы принадлежат автору.
Работа по теме диссертации проводилась в рамках реализации проектной части государственного задания № 3.2448.2014/К.
Апробации работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на международной конференции «Фундаментальный и прикладной наноэлектромагнитизм» (FANEM'12) (Минск, БГУ, 2012г.), международной конференции «Наноинноватика 2013» (Рязань, РГРТУ, 2013), XVIII Всероссийской научно-технической конференции студентов, молодых ученых и специалистов "Новые информационные технологии в научных исследованиях " (НИТ-2013) (Рязань, РГРТУ, 2013), опубликован доклад на международной конференции FM&NT 2014, проходившей в институте твердотельной физики Латвийского университета.
Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 работ в журналах, рекомендуемых ВАК РФ для опубликования основных научных результатов диссертаций, получен патент на полезную модель
Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 80 наименований. Общий объем диссертации составляет 101 страницу, включая 48 рисунков и 12 таблиц.
Еще по теме ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ:
- Общая характеристика работы
- I. Общая характеристика диссертационной работы
- Глава I. Общая характеристика специальности 040110 – Общая врачебная практика (семейная медицина) и квалификационная характеристика специалиста - врача общей практики (семейного врача)
- Средства описания комплекса работ проекта, связей между работами и их временных характеристик
- 89. Западноевропейский абсолютизм, его типологизация и общая характеристика. Позднее средневековье (13-15 вв. ). Характеристика периода.
- 12.1. Общая характеристика проблемы
- 1.1. Общая характеристика акционерного правоотношения
- § 2. Общая характеристика Свода законов
- 1. Общая характеристика
- Общая характеристика понятия
- Понятие, виды и общая характеристика секвестра.
- 11.1. Общая характеристика периода
- ЧАСТИЦЫ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИК
- 15. Общая характеристика филологических словарей.
- Общая характеристика больных
- Общая характеристика погребального обряда
- 12.1. Общая характеристика
- 23.1. Общая характеристика
- 17.1. Общая характеристика