Список цитируемой литературы

1. Цэндин, К.Д. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / под ред. К.Д. Цэндина //СПб: Наука. - 1996 - с. 25-46.

2. Lacaita, L.A. Phase change memories: State-of-art, challenges and perspectives / A.

L. Lacaita // Sol. St. Electron. - 2006. - v.50. - № 1. - p. 24.

3. Redaelli, A. Threshold switching and phase transition numerical models for phase change memory simulations / A. Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti,

L. A. Lacaita //J. Appl. Phys. - 2008. - v.103. - p. 111 101.

4. Burr, G.W. Phase change memory technology / G.W. Burr, M.J. Breitwisch,

M. Franceschini, D. Garetto, K. Gopalakrishnan, B. Jackson, B. Kurdi, C. Lam, L.A. Lastras, A. Padilla, B. Rajendran, S. Raoux, R.S. Shenoy /J. Vac. Sci. Technol. B. - 2010. - v. 28 (2). - p. 223.

5. Fons, P. Phase transition in crystalline GeTe: Pitfalls of averaging effects / P. Fons, A.V. Kolobov, M. Krbal, M. Tominaga, K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G.A. Voyiatzis, T. Uruga // Phys. Rev B. - 2010 - v.82. - p.155209.

6. Matsunaga, T. The order-disorder transition in GeTe: Views from different length-scales / T. Matsunaga, P. Fons, A.V. Kolobov, J. Tominaga, N. Yamada // Appl. Phys. Lett. - 2011. - v. 99. - P.231907.

7. Lee, T.-Y. Separate domain formation in Ge₂Sb₂Te₅-SiO_x mixed layer / T.-Y. Lee, S.-S. Yim et al.// Appl. Phys. Lett. - 2006. - v. 89. - p.163 503.

8. Rivera-Rodriguez, C. Study of laser crystallization and recording properties ofoxygen doped Ge: Sb: Te films / C. Rivera-Rodriguez, E. Prokhorov, Yu. Kovalenko, E. Morales-Sanchez, J. Gonzalez-Hernandez // Appl. Surf. Sci. - 2005. - v. 247. - p. 545.

9. Kim, S.M. Electrical properties and crystal structures of nitrogen-doped Ge₂Sb₂Te₅ thin film for phase change memory / S.M. Kim, M.J. Shin, D.J. Choi, K.N. Lee, S.K. Hong, Y.J. Park // Thin Sol. Films. - 2004. - v. 469-470. - p.322.

10. Street, R. A. States in the Gap in Glassy Semiconductors / R. A. Street, N. F. Mott // Phys. Rev. Lett. - 1975. - v. 35. - № 19. - P. 1293-1296.

11. Абакумов, В. Н. Термополевая ионизация примесей многомодовое рассмотрение / В. Н. Абакумов, В. Карпус, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич // ФТТ. - 1988. - т. 30. - № 8. - С. 2498-2504.

12. Абакумов, В. Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич - СПб.: ПИЯФ. - 1997.

<< |

↑

Источник: Батуркин Сергей Александрович. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СОСТАВА GST-225, ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ И БОРОМ. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме Список цитируемой литературы:

- Альтернативные научные исследования по физике - Основы физики - Физика конденсированного состояния -

- Архитектура и строительство - Безопасность жизнедеятельности - Библиотечное дело - Бизнес - Биология - Военные дисциплины - География - Геология - Демография - Диссертации России - Естествознание - Журналистика и СМИ - Информатика, вычислительная техника и управление - Искусствоведение - История - Культурология - Литература - Маркетинг - Математика - Медицина - Менеджмент - Педагогика - Политология - Право России - Право України - Промышленность - Психология - Реклама - Религиоведение - Социология - Страхование - Технические науки - Учебный процесс - Физика - Философия - Финансы - Химия - Художественные науки - Экология - Экономика - Энергетика - Юриспруденция - Языкознание -