Список цитируемой литературы

1. Цэндин КД. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках/ под ред. К.Д. Цэндина //СПб, Наука, - 1996 - с. 25-46.

2. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах/ М.

3. Костылев С.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках/ С.А. Костылев, В.А. Шкут.// Киев. - Наук. Думка. - 1978. - с. 56-59.

4. Сандомирский В.Б. Зарубеж. электрон./ В.Б Сандомирский, А.А. Суханов. // 9, 68 - 1976. - с. 12-29.

5. Медеи А. Шо М. Физика и применение аморфных полу про вод hhkob∕∕M.Мир, - 1991.

6. Popescu М.А. Non-CrystalHne Chalcogenides,/ Solid State Science and Technology Library, vol 8∕/ Dordrecht-Boston-London, Kluwer Academic Publishers, - 2000.

7 Yamada N, Ohno E., Nishiuchi K, Akahira N, Takao M ∕J. Appl. Phys. ∕∕ - 69 (5), - 2849- 1991.

8. Wuttig M., Yamada N./ Nature Mater.// 6 - 824 -2007.

9. WelnicW., WuttigMYMaterialsToday//- 11 (6)- 20-2008.

10. Lencer D , Salinga V, Wuttig M./ Adv. Mater.// 23, 2030 (2011).

11. Lacaita L.A.,/Sol. St-Electron.// 50,- 24-2006.

12. Redaelli A., Pirovano A., Benvenuti A., Lacaita LA, ∕J. Appl. Phys.// 103, - 111 101-

2008.

13. TsendinK.D., BogoslovskiyRA./! Opt. Adv. Mat.//11-12, - 1429-2011.

14. Raoux S, Welnic W, Ielmini D./Chem Rev ∕∕ HO (1), - 240-2010.

15. Sekander S., Wright C.D. ∕J. Appl. Phys.// 95 (2), - 504 - 2004.

16. Burr GW., Breitwisch MJ, Franceschini M, Garetto D , Gopalakrishnan K, Jackson B., KurdiB, LamC., LastrasLA, PadillaA, RajendranB, RaouxS., Shenoy R.S. ∕J. Vac. Sci. Technol.// B, 28 (2), - 223 - 2010.

17. Fons P, Kolobov AV., Tominaga M., Andrikopoulos KS., Yannopoulos S N., Voyiatzis G.A., UrugaT./Phys. Rev.//B. 82, - 155209 - 2010.

18. Matsunaga T., Fons P., Kolobov A.V., Tominaga J., Yamada N./ Appl.

19. Krbal M, Kolobov A.V, FonsP., Tominaga J., Elliott S.R, Hegedus J, Uruga J.// Phys. Rev. B,- 83, - 054 203 -2011.

20. Sousa V./ Microelectron. Eng./ 88, - 807 - 2011.

21 KrebsD _jRaouxS., RettnerCT., BurrGW., ShelbyRM., SalingaM./J.Appl. Phys.// 106,-054 308-2009.

22. Bruns G. et al./ Appl. Phys. Lett.// 95, - 043 108 - 2009.

23. Lai S. IEDMTech Dig / 10 1, - 255-2003

24. Ha YH et al ∕ Symp VLSI Techn. Dig. Techn. Pap.// 12B-4, - 175 - 2003

25. Pirovano A, Lacaita L.A, Benvenuti A, Pellizzer F., Hudgens E., Bez R./ IEDM Tech Dig.,-699-2003.

26. Kostylev S., Czubatyj W./ ed. by M.A. Popescu// In: Physics and Applications of Disordered Materials - Bucharest, - INOE, - 2002 - p. 305.

27. Cho E., Yon Y. and S. Han. J./ Appl. Phys. Iett. 99, - 2011.

28. Lacaita L.A. and Wouters D. J./ Phys. Status Solidi - a 205 - 2281 - 2008.

29. Kresse G and Hafner J ∕ Phys Rev. - B 47- 558 - 1993.

30. Blochl P. E ∕ Phys Rev - B 50 - 17953 - 1994.

31. Heyd J., Scuseria G. E and Emzerhof M. J.∣ Chem Phys. - 118 - 8207 - 2003

32. http√∕www.pwscf org.

33. Kojima R, Okabayashi S et al./ Jpn. J.Appl. Phys. - 37 (4B), - 2098 - 1998.

34 Horii H , Yi J H et al ∕ Symp. VLSI Techn , Dig Techn. Papers, - paper 12B-5, - 177 - 2003.

35. Privitera S., Rimini E., Zonca R./ Appl. Phys. Lett. - 85 (15), - 3044 - 2004.

36. Lee T.-Y., Kim K.H.P. et al./ Appl. Phys. Lett. - 94, - 243 103 - 2009.

37. Lee T.-Y., Yim S.-S. et al./ Appl. Phys. Lett. - 89, - 163 503 - 2006.

38 Rivera-Rodriguez C., Prokhorov E., Kovalenko Yu., Morales-Sanchez E , Gonzalez- Hernandez J./ Appl Surf. Sci, - 247, - 545 - 2005.

39. Kim SM, Shin M.J., ChoiD J., LeeK.N , Hong S.K , ParkYJJThinSoLFilms,- 469-470, - 322 - 2004.

40. Horii H., Yi J.H et al.,/ in Proceedings of the 2003 Symposium on VLSI Technology - IEEE, Piscataway, - 177 - 2003.

41. Privitera S., Rimini E. and Zonca R./ Appl.

42. Kim Y., Jang H , Jeong K. et al./ Appl. Phys. Lett. - 92 - 061910 - 2008.

43. Shelby R.M., Raoux S./J. Appl. Phys. - 105, - 104902 -2009.

44. Jeong T.H., Seo H. et al∕ Jpn. J. AppL Phys. - 40, - 1609 - 2001.

45. Jeong M., Kim K H., Choi S M., Lee H.L ∕ Jpn J Appl Phys - 48, - 045503 - 2009

46. Borisenko K.B., Chen Y, Song S , and Cockayne D J H. /Chem. Mater - 21, - 5244 -

2009.

47. Sun Z., Zhou J , and Ahuja R.,∕Phys. Rev. Lett. - 96, - 055507 - 2006.

48 Eom J.-H., Yoon Y.-J. et al./ Ihm, Phys. Rev. - B 73, - 214202 - 2006

49 Akola J and Jones R O ∕ Phys. Rev - B 76, -235201 -2007.

50. Caravati S , Bernasconi M., Kuhne T.D., Krack M, and Parrinello M ∕ AppL Phys Lett - 91, - 171906 -2007.

51. Hegedus J. and Elliott S.R./ Nat. Mater. - 7, - 399 - 2008.

52. Akola J., Jones R.O. et al./ Phys. Rev. - B 80, - 020201(R) - 2009.

53 Sun Z., Zhou J , Blomqvist A., Johansson B , and Ahuja R./ Phys Rev Lett. - 102, - 075504 -2009.

54 ChoE , Im J et al ∕ Phys : Condens. Matter. - 22, -205504-2010.

55 ImJ., ChoE., KimD., Horii H., Ihm J , and Han S /Phys. Rev - B 81, - 245211 -

2010.

56. Huang B and Robertson J ∕ Phys. Rev - B 81, -081204(R) -2010.

57. Sun Z., Zhou J., Shin H., Blomqvist A Ahuja R ∕ Appl. Phys Lett - 93, - 241908 - 2008.

58. Kim S.J., Choi J.H., et al./ J. Appl. Phys. - 107, - 103522 - 2010.

59 Kresse G. and Hafner J /Phys Rev - B 47, - 558 - 1993.

60. BlochlP E. / Phys. Rev. - B 50, - 17953 - 1994.

61 Perdew J P , Burke K , and ErnzerhofM./Phys. Rev Lett. - 77, - 3865 - 1996.

62. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 66th ed.,/ edited by R C. Weast// CRC Press,- BocaRaton,- 1986

63. KimK., Park J -C et al ∕ Appl. Phys. Lett -89, -243520-2006.

64 Lee B S., AbelsonJ R., BishopS G ₇KangD -H., Cheong B. and Kim J.-B. ∕J Appl. Phys. - 97, - 093509 - 2005.

65. Caravati S , Bernasconi M, Kuhne T D., Krack M., and Parrinello M / J.

66. DongJ., SankeyO.F., DebSK₅WolfG McMillan P.F./Phys. Rev.-B 61, - 11979 - 2000.

67. MitraM., JungY., GianolaD.S. Agarwal R./Appl. Phys. Lett. - 96, - 222111 -2010.

68. Ielmini D. Zhang Y./ J Appl. Phys. - 102, - 054517 - 2007.

69. Kim Y., Hwang U. et al./ Appl. Phys. Lett. - 90, - 021908 - 2007.

70. Street R. A. States in the Gap in Glassy Semiconductors ∕ R. A. Street, N. F. Mott ∕∕ Phys. Rev Lett. - 1975. - Vol. 35, no 19. - Pp. 1293-1296.

71. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр / В. Н. Абакумов, И А. Меркулов, В. И. Перель, И H Яссиевич // ЖЭТФ. - 1985. - Т. 89. - С. 1472- 1486.

72. Kapnyc, В. Термоионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле / В. Kapnyc, В И Перель //Письма в ЖЭТФ. - 1985 - Т. 42 - C 403-405

73. Kapnyc, В. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле ∕ В. Kapnyc, В. И. Перель // ЖЭТФ. - 1986. - Т. 91. - С. 2319- 2331.

74. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов / В. Н. Абакумов, В. Kapnyc, В. И. Перель, И H Яссиевич // ФТП - 1988 - Т. 22 - C 262-267

75. Термополевая ионизация примесей многомодовое рассмотрение / В. Н. Абакумов, В Kapnyc, В И. Перель, И Н. Яссиевич // ФТТ. - 1988 - Т. 30, вып. 8. - C 2498- 2504.

76. Абакумов В. Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В И. Перель, И. H Яссиевич - СПб.: изд. ПИЯФ, 1997

77. Ганичев С. Д. Ионизация глубоких примесных центров дальним инфракрасным излучением / С. Д Ганичев, И. H Яссиевич, В. Преттл // ФТТ - 1997. - Т. 39, вып.

11. -С. 1905-1932.

78 Ландау Л Д. Курс теоретической физики: Учеб, пособ. В 10 т. T III Квантовая механика (нерелятивистская теория) / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. - 6-е изд., испр. -M.: ФИЗМАТЛИТ, 2004 - 800 с - ISBN 5-9221-0530-2

79. Богословский Н. А. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров ∕ H А. Богословский, К Д Цэндин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 10. - С. 1378-1382.

80. Максимов К.О. Идентификация параметров плёночных элементов на основе резистивно-ёмкостной среды ∕ A A Потапов, П.А Ушаков. // Нелинейный мир, №

12, 2011.-С. 773 -778.