Литература

Lord Reyleigh Proc. London Math. Soc., - 1985 - Vol.17, - p.4

Ibach H.J. Optical surface phonons in sine oxide detected by slow- electron spectroscopy //Phys.Rev.Lett. - 1970.

Lucas A.A.,Sunjc M. Fast-electron spectroscopy of surface excitations //Phys.Rev.Lett. - 1971. - Vol.26. - p.229

[4] Evans F. and Mills D. Theory of inelastic scattering of slow electron by long-wavelength surface optical phonons // Phys. Rev. Lett. B. - 1972. - Vol.5. - p.4126

Evans F. and Mills D. Theory of inelastic scattering of slow electron by long-wavelength surface optical phonons: Multiphonon processes // Phye.Rev.B. - 1973. - Vol.7. - p.868

Evans F. and Milk D. Theory of surface polarons // Solid State Comm. - 1972. - Vol.11. - p. 1098

Evans F. and Mills Interaction of slow electron with a surface of a dielectric: Theory of surface polarons // Phye.Rev.B. - 1973. - Vol.8.

p.4004

Licary I. and Evrard R. Electron-phonon interaction in a dielectric slab; effect of electronic polarizability // Phye.Rev.B. -1977. - VoLl5.

p. 1237

Fuchs R.,Kliewer K.L. Optical modes of vibration in an ionic crystal Blab // Phys.Rev. - 1966. - Vol.140 - p.A2076

Fuchs R.,Kliewer K.L.,Pardey W.J. Optical properties of an ionic crystal slab // Phye.Rev.B. - 1966. - Vol. 150,No.2 - p.589

Брыхснн В. В.,Фирсов Ю. А. Воанмоденствие електрона с поверхностными фононами в пластине полярного конного кристалла // ФТТ. - 1971. - т.113. - с.496

Camley R.E.,Mills D.Z. Collective excitations of sembinfinite super- lattice structures: Surface plasmans, bulk plasmons and the electron- energy-loee spectrum // Phye.Rev.B. - 1984. - Vol.29,No.4 - p. 1696

і

Беркл С.И.,Покатжлов Б.П. Поверхностны! полярон слабой свяож в жонных кристаллах // ФТТ. - 1978. - т.20. - с.2386

Бержл С.И.,Покатилов Б.П. Поверхностные состоання в квантовом дивяехтрихе // ФТП.

[16] Бержл С.И.,Покатилов Б.П. Поверхностный полярон на контакте двух полярных кристаллов // ФТТ. - 1981. - т.23. - с.1181

Бержл С.И.,Покатжлов Б.П.,Мовилв В. Поляроные состояния в раомерно- ограниченных кристаллах // Поверхность - 1984. - No. 8 - с.5

Pokatilov Б.Р. and Beril S.I. Electron-phonon interaction in periodic two-layer structures // Phye.Stat.Sol. (b). - 1983. - Vol.118. - p.567

Fomin V.M. and Pokatilov Б.Р. Phonon and the electron-phonon interaction in multi-layer systems // Phys.Stat.Sol.(b). - 1985. - Vol.132. - p.69

Покатидюв Б.П.,Фомжн B.M.,Бержл С.И. Колебательные вообу- жденжя, поляроны ж аксжтоны в многослойных системах ж в сверхрешетках // Кишинев. - Штжжнда - 1990. - 278 с.

Пдатцман Ф.,Вольф П. Волны ж взаимодействия в плаоме твердого тела // Москва. - Мжр - 197Б. - 436 с.

Toyozawa Y. Theorie of electronic pol&ron and ionization of trapped electron by an exciton //Progr.Theor.Phys.- 1964. - VoLl2.-No.3. - p.421

Chang L.L.,Esalri L.,Howard W.E.,Ludelce R.,Schul G. Structures grown by molecular beam epitaxy //J.Vac.Sci. and Technol. - 1973.- Vol.10. - p.665

Gho A. Y.,Arthur J.R. Molecular beam epitaxy // in Progress in Solid State Chemistry, edited by J.O.McCaldin and G.Somorjai (Perga- mon,Oxford) - 1976.- Vol.10. - р.1Б7

Raseghi M.,Duchemin J.P. // Springer Ser.SoLState Sci. - 1984.- Vol.53. - p.220

[26] Dingle R.,Stormer H.L.,Goesard A.C.,Wiegmann W. Electron mobili- tiee in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices // Appl.Phys.Lett. - 1978.- Vol.33. - p.666

[26] Stormer H.L.,Dingle R.,Goesard A.C.,Wiegmann W. and Sturge M.D. Two-dimensional electron gas at a semiconductor-semiconductor interface // Solid State Comm. - 1979. - Vol.29. - p.706

«і

Tsui D. С., Lagan It A. Observation of Two-dimensional electrons in LPE-grown GaAs-AlGaAs heterojunction //Appl.Phys.LeU.- 1979.- Vol.35. - p.99

Лжфшжц И.M.,Каганов Н.И. Некоторые вопросы электронной теорнк металлов.

Lntskii V.N. Quantum size effect - present state and perspectives of experimental investiogatione // Pbys.Stat.Sol. - Al. - 1970. - p. 199

[SO] ІЬвгер Б. А. ,Демшвовскжй В.Я. Квантовые равмерные аффекты в полупроводниковых ж полуметалшпеехжх пленках // УФН. - 1968.

т.9в.,Вып.1 - с.61

Rndin S.,Reinecke T.L. Electron - LO-phonon scattering rates in semiconductor quantum wells // Phys.Rev.B. -1990. - Vol.41.,No.ll.

p. 7713

Licaiy J.J. Polaron self-energy in a dielectric slab // Solid State Comm. - 1979. - VoL29. - p.625

Liang X.X.,Gu S.,Lin D.L. Polaronic states in slab of a polar crystal //Phys.Rev.B. - 1986. - Vol.34.,No.4. - p.2807

Gu S.,Li C., Zheng L. Intermediate-coupling polaron in polar cry stall slab // Phys.Rev.B. - 1989. - Vol.3».,No.2. - p. 1346

Miller R.C.,Kleinmann D.A., Gossard A.C. Energy gap discontinuties and effective masses for GaAs-AlGaAs quantum well // Phys.Rev.B.

1984. - Vol.29. - p.7085

Miller R.C.,Kleinmann D.A.,Nordland N.A.,Goesard A.C. Luminescence studies of optically pumped quantum well in GaAs-AlGaAs multi-layer structures // Phys.Rev.B. - 1981. - Vol.22. - p.863

Блох М.Д.,Маргулжс В.А.,ТЬвгер Б.А. Квантовые равмерные ос- іртіяр кинематических коэффициентов в пленках при неупругом рассеянии электронов на оптических фононах // Фивика и техника полупроводников - 1971. - т.5., вып.7 - с. 1336

Hassan Н.Н and Spector H.N. Optical absorption in semicon-ducting quantum-well structures: Inderect interband transition // Phys.Rev.B. - 1985. - Vol.35.,No.8 - p.5466

Adamska H.,Spector H.N. Free carrier absorption in quantum-well structures for polar optical phonon scattering // J.Appl.Phys. - 1984.

VoL56.,No.4 - p. 1123

Trallero Giner C. and Anton M. Quantum theory of free- carrier absorption in quasi-two-dimensional semiconducting structures //Phys.Stat.Sol.(b). - 1986. - Vol.133.

«

ГУревнч В. Л.,Паршин Д.А.,Штенгепь К.Э. Поглощение света свободными носителями при участии оптических фононов в кваоид- вумерных системах //ФТТ. - 1988. - т.30.,вып.5. - с. 1466

Bastard B.,Mendez Е.Е.,Chang L.L.,Eealri L. Exciton binding energy in quantum wells // Phys.Rev.B. - 1982. - Vol.26. - p. 1974

Vojak V.A.,Holotyak N.,Laeding M.D. at. al. The eciton recombination in GaAs-AlGaAs quantum wett-heteroetructures //Solid State Comm. - 1980. - Vol.36. - p.4776

Lee T.D.,Low F.E., Pines D. The motion of slow electron in a polar crystals // Phys.Rev.B. - 1953. - Vol.90,No.2. - P.297

Tokuda N. The surface polaron and its phase diagram // J.Phys.C: Solid State Phys. - 1982. - Vol.15.,No.6. - p. 1963

Huybrecht W.I. Internal excited state , of the optical polaron // J.Phys.C: Solid State Phys. - 1977. - VoL10.,No.l9. - p.3761

Lee T.D.,Pines D. Interaction of a nonrelativity particle with a scalar field with application to slow electron in polar crystals // Phys.Rev.B.

1953. - Vol.ea.NoJ. - P.883

Meyer H.I. Interaction of the excitons with lattice vibrations in polar crystals. I.General theory // Physica 1956. - Vol.21,No.l. - P. 109

Haken H. Zur quantum theoric dee Mehrelelectronensystems im swin- genden Getter. // Zeit.fur Funk. 1956. - т. 146, No. 5. - S.527

Горьков Л.П.Даялошжнскжй И.Е. К теорія экситона Мотта в сильном магнитном попе // ЖЭТФ. - т.1967. - т.53. - No.2. - с. 717

Лернер И.В.Дооових Ю.Е. Экситон Ванье-Мотта в кваоидву- мерных полупроводниках в сильном магнитном none // ЖЭТФ.

1980. - т. 78. - с. 1167

Ridley В.К. The electron-phonon interaction in quasi-two-dimensional semiconductor quantum-well structures // J.Phys.C: Solid State Phys. - 1982. - Vol.15. - p.5899

Riddoch F.A.,Ridley.B.K. On the scattering of electrons by polar optical phonons in quasi-two-dimensional quantum wells // J.Phys.C: Solid State Phys. - 1983. - Vol. 16. - p.6971

Копьев П.С.,Мирлин Д.Н.,Поляков Д.Г.,Рентна И.И.,Сапега В.Ф., Сиренко А.А.

л

[56] Андо Т.,Фаулер А.,Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем //Москва. - Map - 1985. - 415 с.

Beril S.I.,Pokatilov E.P.,Fomin V.M. and Pogorilko G.A. Wannier- Mott exciton in two-layer periodic structures // Phys. Stat. Sol. (b). - 1985. - VoLlSO. - p.278

Fomin V.M.,Pokatibv E.P. Exciton in multi-layer systems // Phye. Stat. Sol. (b). - 1985. - Vol 120. - p.203

Miller R.C.,Kleiman D.A./Tsang W.T.,Goesard A.C. Observation of the excited level of excitons in GaAs quantum wells. // Phye.Rev.B. - 1981. - Vol.24,No.2. - P.1134

Bastard B.,Mendes E.E.,Chang L.L.,Esalri L. Exciton binding energy in quantum wells // Phye.Rev.B. - 1982. -Vol.26,No.2. - P.1974.

Greene Ronald L.,Bajaj K.K. Binding energies of Wannier excitons in GaAs-GaAlAs quantum well structures // Solid State Comm. - 1983. - VoL45,No.9. - p.831;

Greene Ronald L.,Bajaj K.K. Energy levels hydrogenic impurity states in GaAs-GaAlAs quantum well structures // Solid State Comm. - 1983. - VoL45,No.9. - p.825

Preieter C.,Allan G.,Lannoo M. Wannier excitons in GaAs-GaAlAs quantum well structures: Influence of the effective-mas mismaihch // Phye.Rev.B. - 1984. - VoL30,No.l2. - p.7302;

Shinozuka Y.,Matsuura M. Wannier exciton in quantum well // Phye.Rev.B. - 1983. - VoL28,No.8. - p.4878

Эфрос Ал.Л. Экснтоны в структурах с квантовыми ямами // ФТП. - 1988. - том 20.,выл 7 - с. 1281

Polmann L,Buttner Н. Effective hamiltonian and binding energies of Wannier excitons in polar semiconductors // Phye.Rev.B. - 1978. - Vol.16. - p.4480

Bednarek S.,Adamovski J.,Suffczyneki M. Effective hamiltonian for few-particle system in polar semiconductors // Solid State Comm. - 1977. - VoL21,No.l. - p.l

Берил С.И.,Покатшюв Е.П.Дебан И.С. Раомернні аффект потери инерционной экранировки екситоном Ванье-Мотта в пленке полярного кристалла // ФТП.

Покатилов Е.П.,Берил С.И.,Фомин В.М. Проявление аффекта самовоодеіствия в екситонных спектрах многослойных структур // ФТТ. - 1985. - т.27.,выл 6 - с. 1893

Е

Брыхсин В.В.,Миряни Д.Н.,Фжрсов Ю.А. Поверхностные оп-тические фононы в ионных кристаллах // УФН. - 1973. - т.111. - с.30

Келдыш Л.В. Кулоновсхое воаимодеіствие в тонхнх полярных швнхах полупроводняков і полуметаллов // Пясьма ЖЭТФ. - 1979. - т.29. - в.11 - с.716

Le Chi Thang,Depeursinge G.,Levi F.,Moo*er E. The band gap excitons in PbJ // J.Phye.Chem.Sol. - 1976.- Vol.37. - No 7/8 - p.699

LucovskyG.,Whiete R.M. and Liang W.Y. The lattice polarizability of PbJ // Solid State Comm. - 1976. - Vol.18. - p. 811

Goto T. Resonant brillouin scattering of exciton polaritons in 2Н-РЫ //J. of Phys. Soc. of Japan - 1982. - Vol.61.,No.l. - p.3

Бабаев Н.А.,Багаев В.С.,ГЬрин Ф.В.,Кочемасов А.В.,Парамонов Л.В., Поярюв А.Г.,Салащенхо Н.Н.,Стопачннскии В.Б. Раомеряое квантованяе ахсктонов в CdTe // Пясьма ЖЭТФ. - 1984. - т.40. - вып. б - с. 190

Дьяконов М.И.Даецкиі А.В. Раомерное квантованяе дырок в полупроводниках со сложной валентной о оной н носителей в бесщелевом полупроводнике // ЖЭТФ. - 1982. - т.82.,вып.6. - с. 1684

[76] Бабаев Н. А.,Багаев В. С.,Копыдовскии Б. Д.,Поярков А. Г.,- Салащенхо Н. Н., Стопачинский В. Б. Иомереняе особенностей в оптическом поглощении тонких полупроводниковых пленок // ФТТ. - 1984. - т.26.,вып.12. - с.3611

[76а] Cardoma М. Band parametrs of semiconductors with sincblende, wunite and germanium structure // J. Phys. Chem. Sol. - 1963.- Vol.24. - p. 1643

Андрюшин E.A., Силин А.П. Экснтоны в тонких полупроводниковых пленках И ФТТ. - 1980. - т.22.,вып.9. - с.2676

Pokatilov Е.Р. and Beril S.I. Spatialy extended optical modes in two- layer periodical Structure //Phys. Stat. Sol. (b). - 1982. Vol.110. - p. 76

Shi-Wei Gu and Meng-Jan Shen. Exciton in a slab of polar crystal //Phys.Rev.B. - 1987. - VoL18.,No.l8. - p.9817

Degani M. and Hipolito O. Polaran effects on exciton in GaAs- GaAlAs quantum wells //Phys. Rev. B. - 1987. - Vol.35.,No.9. - p.4607

a

[76] Pokatilov E.P.Beril S.I.,Fomiii V.M.,Litovchencko V.G. at all The size-quantized states of Wannier-Mott exciton in structures with su- perthin films //Phys. Stat. Sol. (b). 1988., VoL145. p. 19

Pokatilov E.P.Beril S.I.,Fomin V.M. and Kalinovskii V.V. The size- quantised states of the Wannier-Mott exciton in structures with su- perthin Film of CdTe. // Phye.Stat.Sol.(b). 1990.- Vol.161.,- p.603.

Maan J.C.,Belle G.,Fasolino A.,Altareli M.,Ploog K. Magneto-optical determination of exciton binding energy in GaAs-GaAlAs quantum wells // Phys.Rev.B. - 1984. - Vol30.,No.4. - p.2263

Оахарченя Б.П., Сеісян Р.П. Джамагшггиые охснтоны в полупро- водшхах // УФН. - 1973. - т.111. - с.ЗО

Elliot R. J.,London R. Theory of the absorption edge in semiconductor in a high magnetic field // J.Phys.Chem.Sol. - 1959. - Vol.15. - p. 196

Hasegawa H.,Howard R.E. The spectrum of hydrogen atom optical absorption in a strong magnetic field //J.Phys.Chem.Sol. - 1961. - Vol.21. - p. 179

Baldareski A.,Bassani F. //In: Proc. of the Physics of semiconductors. Cambridge,Mass., - 1970. - p. 191.

Ландау Л.Д.,Лжфшхц E.M., Квантовая механжка. // Москва. - Наука - 1974.

Hess К. Impurity and phonon scattering in layered structures // Appl.Phys.Lett. - 1979. - Vol.35. - p.484

Price P.J. Polar-optical-mode scattering for an ideal quantum-well heterostructure // // Phys.Rev.B. - 1984. - Vol.30. - p.2234

Ridley B.K. Electron-scattering by confined Lo-polar phonons in a quantum well // Phys.Rev.B. - 1989. - Vol.39. - p.5282

Babiker M.,Ghosal A.,Ridley B.K. Intrasubband transitions and well capture via confined,guided and interface LO-phonons in super lattices // Superlattices and Microstructures - 1989. - Vol.39. - p.5282

Haupt R.,Wender L. Electron-phonon interaction and electron scat-tering by modified confined LO phonons in semiconductor quantum wells // Phys.Rev.B. - 1991. - Vol.44.,No.4. - p.I860

Constantinon N.C.,Ridley B.K. Electron energy relaxation via LO- phonon emission in free-standing GaAs wafers. //J.Phys.C: Con- denced Matter - 1990. - Vol.2.,p.7465

Spector H.N. Free-carrier absorption in quasi-two dimensional semiconducting structures // Phys.Rev.B. - 1983. - Vol.28. - p.971

96] Hassan H.H.,Spector H.N. Optical absorption in semiconducting quantum-well structures: Indirect interband transitions //Phys.Rev.B. - 1986. - Vol.33. - p.6466

Comas F./Trallero Giner C.,Leon H. Quantum theory of free-carrier absorption in quaei-two dimensional semiconducting structures degenerate carrier GaSb //Phye.Stat.Sol.(b) - 1986. - Vol.138. - p.219

Scwarti G.P.,Gualtieri G.J.,Sunder W.A.,Fbjtov L.A. Light scattering from quantum confined and interface from optical vibrational modes in strained-layer GaSb/AlSb superlattices //Phys.Rev.B. - 1987-П. - Vol.36.,No.9. - p.4868

Maciel A.C.,Campek> Crns L.C.,Ryan J.F. Resonant Raman scattering from confined phonons and interface phonons in a GaAs/GaAlAs superlattice //J.Phys.C: Solid State Phys. - 1987. - VoL20. - p.3041

Suh Б. - K.,Bartholomev D. U.,Ramdaa A. K.,Rodrigues S. //Phys. Rev. B. - 1987. - Vol.36. - p.4316

Seilmeier A.,Hubner I. - J.,Abetreiter G.,Weunann G.,Schlapp W. Intersubband relaxation in GaAs-AlGaAs quantum well structures observed directly by infrared bleaching technique //Phys.Rev.Lett. - 1987. - Vol.59. - p. 1345

Tbtham M.C.,Ryan J.F.,Faxon C.T. Time-resolved Raman measurements of intersubband relaxation inGaAs quantum wells //Phys.Rev.Lett. - 1989. - Vol.63.,No. 15. - p. 1637

Sood A.K.,Menendez J.,Cardona M.,Ploog K. Interface vibrational modes in GaAs-AlAs superlattices //Phys.Rev.Lett. - 1986. - Vol.54. - p.2116

Klein M.V. Phonons in semiconductor superlattices //IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1986. - Vol.22.,No.9 - p. 1760

Cardona M. Folded,cofined,interface,surface, and slab vibrational modes in semiconductor // Superlattices and Microstructures - 1989.- Vol.5.- p.27

106] Mori N.,Ando T. Electron-optical-phonon interaction in single and double heterostructures //Phys.Rev.B. - 1989. - Vol.40. - p.6176

іУремп В.Л.,Ланг И.Г.,Фжрсов Ю.А. О Роет оптических фононов в инфракрасном поглощенне свободными носителями в полупроводниках // ФТТ. - 1962. - т.4.,вьш.5. - с. 1252

Schiff L. Quantum mechanics. //N.J.:McGram-HilL - 1966.

Ridley B.K. Quantum processes in semiconductors //Oxford, Clarendon Press. - 1982.

Q

Кіш Huang,Bang-Fen Zhy Long-wavelength optic vibration in a superlattice // Phys.Rev.B. - 1988. - Vol.38.,No.S. - p.2138

Lassing R. Optical interface phonons and Frohlich interaction in double heteroetructuree //Phys.Rev.B. - 1984. - Vol.30.,No.12 - p.71S2

Lambin Ph.,Vigneron J. P.,Lucas A. A.,Thiry P. A. at all Observation of long-wavelenth interface phonons in a GaAs/AlGaAs super lattices // Phys.Rev.Lett. - 1986. - Vol.56.,No.l7. - p. 1842

Fang F.F. .Howard W.E. Negative field-effect mobility oil (100) Si surface //Phys.Rev.Lett. - 1966. - Vol.16. - p.797

Harrang J.P.,Higgins R.J.,Goodall R.K.,Jay P.R.,Laviron M., Deleo- clase P. Quantum and classical mobility determination of the dominant scattering mechanism in the two-dimensional electron gas of an AlGaAs/GaAs heterojunction //Phys.Rev.B. - 1987. - Vol.32.,No.l2. - p.8126

Stern F.F. and Howard W.E. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum level //Phys.Rev.B. - 1967. - Vol.163. - p.816

Hess K. Review of experimental aspects of hot electron transport in MOS structures //Solid State Electron. - 1978. - Vol.21. - p. 123

Harstein A.,Ning Т.Н.,Fowler A.B. Electron scattering in silicon inversion layers by oxide and surface roughness //Surf.Sci. - 1976. - Vol.68. - p.178

Fang F,F.,Fowler A.B. Hot electron effects and saturation velocities in silicon inversion layers // J. Appl. Phys. - 1970. - Vol.41. - p. 1826

Ferry D.K. Hot electron effects in silicon quantized inversion layers //Phys.Rev.B. - 1976. - Vol. 14. - p.5364

Vinter B. Many-body effects in n-type Si inversion layers. I. Effects in the lowest subband // Phys. Rev. B. - 1976. - Vol.13. - p.4447

Sab C.T.,Ning Т.Н. and Tschopp L.L. The scattering of electron by surface oxcide charges and by lattice vibrations at the silicon- silicon dioxide interface // Surf. Sci. - 1972. - Vol.32. - p.561

Basu P.K. Monte Carlo calculation of hot electron drift velocity in silicon (100)-mverek>n layer by including three subbands //Solid State Comm. - 1978. - VoL27. - p.6S7

Hess K. and Vogl P. Remote polar scattering in silicon inversion layers //Solid State Comm. - 1979. - Vol.30. - p.807

n

Работы опубликованные по теме диссертации

Похатшюв Е.П., Берил С.И., Фомин В.М., Калиновсхии В.В., Литовченхо В.Г. н др. Ршзмерно-квантованные состояния вкситона Ванье-Мотта в пленочных структурах // Кишинев. - 1987. - ч.1. -

с. - Дел. в МолдНИИНТИ. - No 846.

Покатнлов Б.П., Берил С.И., Фомин В.М., Калиновсхии В.В., Литовченхо В.Г. н др. Раамерно-квантованные состояния вкситона Ванье-Мотта в пленочных структурах // Кишинев. - 1987. - ч.2. -

с. - Дел. в МолдНИИНТИ. - No 846.

Покатнлов Б.П., Берил С.И., Фомин В.М., Калиновсхии В.В., Литовченхо В.Г. и др. Раомерно-квантованные состояния экситона Ванье-Мотта в пленочных структурах // Кишинев. - 1987. - ч.З. - 18 с. - Деп. в МолдНИИНТИ. - No 1064М.

Берил С.И.,Покатнлов Е.П.,Кажухарь Д.И.,Калиновскиі В.В. Экситон Ванье-Мотта в полярной полупроводниковой пленке в сильном магнитном поле // Кишинев. - 1986. - 21 с. - Деп. в МолдНИИНТИ. - No 707-М.

[6] Берил С.И., Покатнлов Б.П., Кокухарь Д.И., Калиновсхии В.В. Влияние сильного магнитного поля на кулоновское воаимодеиствие в тонкой пленке // Кишинев. - 1984. - 19 с. - Деп. в МолдНИИНТИ. - No 388М.

Берил С.И.,Покатнлов Е.П.,Кажухарь Д.И.,Калиновсхии В.В. Магнитный поляронный екситон в РЪТе // ХПІ Всесоюзное совещание по теории полупроводников // Ереван. - 1987. - с.63.

Берил С.И.,Покатнлов Е.П.,Фомин В.М.,Погорилко Г.А., Калиновсхии В.В., Семеновская Н.Н. Электронные состояния в компоои- ционных сверхрешетхах GaAs/AlGaAe и InAs/GaSb // V Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение". - Т.2. - 1987. - с. 142. - Кишинев-Верховннаг 1987.

Бержл С.И.,Калиновсхии В.В.,Мадкур С.,Фахуд М. Особенности поглощения света свободными носителями варяда в тонких пленках ж в сверхрешетках при рассеянии на оптических фононах // XIV Всесоихшое (Пехаровское) совещание по теории полупроводников. - Донецк. 1989.

Beril S.I., Pokatilov E.P, Kalinovekii V.V. Coulomb interaction and polaronic exciton states in compositional snperlattices. // Phys.Stat.Sol.(b). 1992.- v. 169.,- p.587.

Беркп С.И.,Покатшюв Е.П.,Калнновскии B.B. Кулоновсжое воа- имодеіствие я поляронные экситонные СОСТОЯНЖЯ В КОМПООИ- цяонных сверхрешетках // Кяппшев. - 1990. - 23 с. - Деп. в Молд- НИИНТИ. - No 1197. - М90.

Берил С.И.,Покатилов Е.П.,Калиновский В.В. Кудоновское воа-имодеіствие в экситонных состояниях Ванье-Мотта в компоеи- ционных сверкрешетках // Киев. - XIII Всесоюоная конференция no физике полупроводников. - 1990. - т.2.- с.297.

Берил С.И.,їїохатилов Е.П.,Калниовсхий В.В.,Мадкур С. Рассеяние носителей варяда на оптических фононах и заряженных примесях в инверсионных каналах МДП-структур и в тонких пленках. // Ивано-Франковск - 1990. - Ш Всесоюоная конференция по физике и технологии тонких пленок.

Берил С.И.,Покатшюв Е.П.,Кадиновскяи В.В. Кудоновское воаимодеіствие и вхснтонные состояния Ванье-Мотта в комповя- ционных сверкрешетках // Кишинев. - 1990. - Научная конференция профессорско-ясследовательсхои работы оа XII пятилетку. - ТЪм 1. - с.81.

Берил С.И.,Каляновсхяя В.В.,Мадкур С.,Калжновсіжі В.В. Рассе-яние на поверхностных оптических колебаниях и оаряжен- ных примесных центрах в инверсионных каналах и в тонких полупроводниковых пленках. // Кишинев. - 1990. - Научная конференция профессорсно-исследовательсхоі работы оа XII пятилетку. - ТЪм 1. - с. 82.

Pokatilov Е.Р,Beril S.I.,Fomin V.M. and Kalinovekii V.V The size- quantized states of the Wannier-Mott exciton in structures with su- perthin Film of CdTe. // Phys.Stat.Sol.(b). 1990.- v.161.,- p.603.

Покатилов E.П.,Берил С.И.,Фомин В.М.,Калиновсхий В.В. *Экси- тон Ванье- Мотта в тонкоі полярной пленке с вырожденной валентной о оной // Кишинев. - 1988. - XI Всесоюоная конференция по фявике полупроводников. - Т.2. - с. 106.

Pokatilov Е.Р,Beril S.L,Kalinavski V.V. Electron scattering by polarisation optical vibrations in quantum well structures. 1. Quantum well with infinitely high walls // J.Phys.C.: Condensed Matter. 1992. (to be published)

Pokatilov E.P.,Beril S.I.,Kalinovski V.V. IR - light absirption by free charge carriers with the participation of optical phonons in structures with quantum wells. 1. Quantum well with infinitely high sides // J.Phys.C.: Solid State Phys. 1992. (to be published)