4.3. Дефекты структуры кристаллов парателлурита и связь их образования с ростовой кинетикой
Для исследований дефектов структуры из крупногабаритных монокристаллов парателлурита, выращенных в условиях, соответствующих нормальному и тангенциальному механизмам роста, были изготовлены в соответствии с [107] образцы, представленные на рисунке 4.11.
Сравнительные исследования структуры кристаллов осуществлялись методами рентгеноструктурного анализа, растровой электронной микроскопии, атомносиловой микроскопии, интерференционной про филометрии, коноскопии, Фурье спектроскопии.Дислокационная структура исследовалась методом селективного химического травления. На рисунках 4.12, 4.13 показаны картины поверхностей (001), соответствующих объему кристалла, образованному округлой частью
фронта при нормальном механизме роста и объему кристалла, образованному плоским фронтом при послойном механизме роста.
Рисунок 4.11- Одинаковые оптические элементы в количестве 6 шт., вырезанные из одного крупногабаритного монокристалла парателлурита
Рисунок 4.12 - Распределение дислокационных ямок травления на поверхности, соответствующей нормальному механизму роста парателлурита.
Плотность дислокаций Nd = 9-Ю4 см-2
Рисунок 4.13- Распределение дислокационных ямок травления на поверхности, соответствующей послойному механизму роста парателлурита.
Плотность дислокаций Nd = 8-Ю3 см-2
Анализ связи плотности дислокаций Ndсо скоростью вытягивания кристаллов парателлурита из расплава V способом Чохральского дал следующие полуколичественные зависимости, наиболее достоверные внутри указанных ниже интервалов:
V > 3 мм/час - Nd ~ IO5-IO6см“2
1 мм/час < V < 3 мм/час -Nd ~ 8∙104-3∙104см“2
0,6 мм/час < V < 1 мм/час -Nd ~ 2∙ IO4-I-IO4см“2
парателлурита должно достигаться уже с помощью других факторов и, в первую очередь, за счет применения еще более чистого исходного сырья.
Из крупногабаритных кристаллов парателлурита вырезались, ориентировались, шлифовались и полировались элементы, предназначенные для измерений оптического пропускания.
Сами измерения проводились с помощью спектрофотометров типов «Specord», ИКС-29 и Tensoz 27. Один из оптических элементов, выращенный из кристалла диаметром 87 мм, выросшего при истинной вертикальной роста V = 0,35 мм/час и скорости вращения со = 13 об/мин, показан на рисунке 4.14.
Рисунок 4.14 - Элемент из кристалла парателлурита с длинной стороной вдоль ось z [001], предназначенный для измерений оптического пропускания
На рисунке 4.15 и представлены результаты измерения коэффициента пропускания света T кристаллами парателлурита, полученными при различных скоростях вытягивания V и вращениям. Согласно полученным данным, наилучшие интервалы скорости вытягивания V и вращениям кристаллов парателлурита, обеспечивающие максимальное оптическое пропускания при минимальных рассеянии и поглощении в рабочем спектральном диапазоне составляют: 0,15 мм/час < V
Еще по теме 4.3. Дефекты структуры кристаллов парателлурита и связь их образования с ростовой кинетикой:
- 4.4. Дефекты структуры кристаллов германия и связь их образования с ростовой кинетикой
- 4.1. Морфология кристаллов парателлурита и ее связь с кинетикой кристаллизации
- Дефекты структуры и оптические аномалии в кристаллах парателлурита и германия
- 4.2. Морфология кристаллов германия и ее связь с кинетикой кристаллизации
- 3.3.1. Кинетические коэффициенты при росте кристаллов парателлурита
- Иванова Александра Ивановна. Микроморфология поверхности и дислокационная структура крупногабаритных оптических кристаллов германия и парателлурита. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015, 2015
- Выращивание кристаллов парателлурита способом Чохральского
- 4.5. Фотолитографическое микроструктурирование поверхности кристаллов парателлурита
- 1.5. Основные характеристики и области применения оптических кристаллов германия и парателлурита
- Оптические свойства одноосных кристаллов парателлурита, ииобата лития и SBN, как объектов для исследований методом коноскопии
- Секториальное распределение дефектов структуры
- Методы исследования дефектов кристаллической структуры
- Дефекты кристаллической структуры (общая характеристика и основная классификация)
- Доменная структура кристаллов SBN
- 9. Соотношение первичного и вторичного в структуре дефекта как параметр псих дизонтогенеза.
- Гавалян Мамикон Юрьевич. Влияние кристаллографической ориентации и примесного состава на оптические, диэлектрические и теплофизические характеристики кристаллов германия и парателлурита. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2016, 2016
- Гавалян Мамикон Юрьевич. Влияние кристаллографической ориентации и примесного состава на оптические, диэлектрические и теплофизические характеристики кристаллов германия и парателлурита. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2016, 2016
- Кристаллическая структура кристаллов SBN