3.3.1. Кинетические коэффициенты при росте кристаллов парателлурита
Самым грубым способом оценки кинетических коэффициентов при росте кристаллов по Чохральскому является оценка по средней истинной вептикальной скопости поста:
Следующий способ оценки - расчет градиентов температуры на фронте кристаллизации, определяемых краевыми условиями на границе раздела фаз.
В работе [54] проводился расчет тепловой задачи для парателлурита с учетом влияния прозрачности кристаллов. Краевое условие для одномерной задачи Стефана записывалось в виде:
где Gsи Gl- температурные градиенты в твердой и жидкой фазах, L - удельная теплоемкость плавления, ps- плотность кристалла, V - скорость роста, bl- степень черноты расплава, σ - постоянная Стефана-Больцмана, ТЭф - эффективная внешняя температура, которая в расчетах варьировалась в пределах 1008-500 К.
Исходя из измерений температурных полей в окружающем кристалл пространстве, были произведены оценки эффективной температуры в настоящей работе. При осевом температурном градиенте в жидкой фазе равном 1 К-см-1, скорости роста 3∙10^5см-с-1 и температуре на верхнем экране,
Ill
находящемся на расстоянии 30 см от уровня расплава, равной 980 К, осевой температурный градиент в твердой фазе оказывается равным 5 К-см-1. Сопоставляя данный градиент со значениями переохлаждения на межфазной границе, найденными с помощью цифровых камер, находим для величины βτ среднее значение порядка 10^5см/с-К.
Третий способ оценки - расчет согласно формуле (3.18), выведенной в настоящей работе, дает значение для βτ ~ 10^6см/с-К.
Четвертый способ основан на исследовании микрорельефа боковой поверхности кристаллов парателлурита и представлен в главе 4 настоящей работы.
Еще по теме 3.3.1. Кинетические коэффициенты при росте кристаллов парателлурита:
- 3.3.2. Кинетические коэффициенты при росте кристаллов германия
- Кинетические коэффициенты роста граней и их анизотропия
- 4.1. Морфология кристаллов парателлурита и ее связь с кинетикой кристаллизации
- Дефекты структуры и оптические аномалии в кристаллах парателлурита и германия
- 4.3. Дефекты структуры кристаллов парателлурита и связь их образования с ростовой кинетикой
- Выращивание кристаллов парателлурита способом Чохральского
- 4.5. Фотолитографическое микроструктурирование поверхности кристаллов парателлурита
- 1.5. Основные характеристики и области применения оптических кристаллов германия и парателлурита
- 3.3. Расчеты кинетических коэффициентов
- Оптические свойства одноосных кристаллов парателлурита, ииобата лития и SBN, как объектов для исследований методом коноскопии
- Иванова Александра Ивановна. Микроморфология поверхности и дислокационная структура крупногабаритных оптических кристаллов германия и парателлурита. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015, 2015
- 4. Факторы накопления капитала при данной норме накопления больше нуля и меньше 100%. Нестоимостные факторы накопления, или факторы накопления при данной величине капитала. Ускорение накопления при росте капитала (концентрация, централизация, кредит)
- Гавалян Мамикон Юрьевич. Влияние кристаллографической ориентации и примесного состава на оптические, диэлектрические и теплофизические характеристики кристаллов германия и парателлурита. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2016, 2016
- Гавалян Мамикон Юрьевич. Влияние кристаллографической ориентации и примесного состава на оптические, диэлектрические и теплофизические характеристики кристаллов германия и парателлурита. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2016, 2016
- Диэлектрические свойства проводящих кристаллов KNbO3 при высоких и низких температурах
- 3.5.2 Исследование эффективности регуляризирующего алгоритма при ошибках баллистического коэффициента
- О методике исследования изменения формы и структурных характеристик наночастиц при фазовом переходе кристалл-жидкость
- Теоретическое исследование коэффициента разрыхления смеси при высокоскоростном режиме смешивании