4.2. Морфология кристаллов германия и ее связь с кинетикой кристаллизации
Рельеф боковой поверхности получаемых кристаллов отражает изменения кинетики кристаллизации, происходящие в процессе роста. На боковых поверхностях цилиндрических буль германия, вытягиваемых по Чохральскому, а также на верхних плоских поверхностях кристаллов, выращиваемых способом направленной кристаллизации, практически всегда имеются заметные даже невооружённым глазом периодические или квазипериодические неровности профиля - выступы, чередующиеся с впадинами.
В случае образцов, полученных по Чохральскому, неровности в среднем ортогональныоси вытягивания, а в случае кристаллов, полученных направленной кристаллизацией, они образуют замкнутые линии на поверхности - концентрические окружности или систему вложенных друг в друга многоугольников со сторонами, соответствующими сингулярным граням кристалла (для германия - граням {111}).
Периодические неровности профиля (соответствующий термин в зарубежной литературе - «striations») подробно рассматривались во многих работах, где сделаны выводы об их двойственной природе. Одной из причин их возникновения являются колебания температуры на фронте кристаллизации, обусловленные нерегулярной конвекцией расплава, другой - в случае изотермического расплава - уже исключительно конвекция. Отрицательное влияние крупномасштабных флуктуаций температуры на фронте кристаллизации при выращивании германия на структурное совершенство и оптическое качество материала (без рассмотрения их связи с профилем ростовых поверхностей) было показано ранее в работе [9, 10].
Результатом флуктуаций температуры и, как следствие, скорости роста, являются образование в германии существенной примесной неоднородности (как легирующей, так и фоновых примесей, в частности, кислорода), повышенная генерация дислокаций, возникновение малоугловых границ (МУТ) и полос скольжения. В задачи настоящей работы входили установление связи периодичностей в неровностях профиля кристаллов германия, выращиваемых способом Чохральского, с флуктуациями температуры и скорости роста, а также поиск пространственной корреляции между неровностями профиля и колебаниями плотности дислокаций на соответствующих участках выступов и впадин в рельефе поверхностей.
Рисунок 4.6 - Поверхность кристалла германия с характерным гексагональным расположением неровностей рельефа
Другой кристалл диаметром 105 мм был выращен способом Чохральского при вытягивании в направлении {111} со скоростью Vb= 1.0 мм/мин и при вращении кристалла с угловой скоростью) кр=20 об/мин с одновременным вращением тигля в том же направлении с угловой скоростью 5 об/мин.
Поверхности кристаллов изучались с помощью оптического поляризационного микроскопа МИМ-8, снабжённого цифровой видеокамерой, а также с помощью растрового электронного микроскопа JEOL JSM6610LV и интерференционного профилометра NanoMap 1OOOWLI. Изображения поверхности кристалла, выращенного методом направленной кристаллизации, полученные с помощью растрового электронного микроскопа, представлены на рисунке 4.7. На рисунке 4.8 представлено изображение боковой поверхности кристалла, выращенного способом Чохральского, полученное методом РЭМ.
Рисунок 4.7 - Изображение поверхности кристалла, выращенного методом направленной кристаллизации
Рисунок 4.8 - Изображение боковой поверхности кристалла, выращенного способом Чохральского
Рисунок 4.9 - Зх-мерное изображение, гистограмма распределения среднего отклонения профиля и профилограмма участка поверхности кристалла германия, полученного способом направленной кристаллизации
На рисунке 4.10 представлены: 3D-реконструкция поверхности кристалла, выращенного способом Чохральского, гистограмма распределения неровностей профиля по высоте и 2-мерный профиль по срезу, ортогональному периодической структуре, полученные с помощью интерференционного профилометра.
На кристалле германия, выращенном способом направленной кристаллизации, обнаружены периодичности двух неровностей рельефа двух временных и пространственных масштабов: 3 с, 70 мкм; 0,3 с, 7 мкм. Первая периодичность соответствует периоду вращения тигля с растущим кристаллом и обусловлена периодичностью прохождения одних и тех же участков фронта кристаллизации через более холодные или более теплые области
температурного поля, которое в реальности никогда не является строго ассиметричным.
Рисунок 4.10 - Зх-мерное изображение, гистограмма распределения среднего отклонения профиля и профилограмма участка поверхности кристалла германия, полученного способом Чохральского
Вторая периодичность связана уже с температурными флуктуациями, возникающими в следствии термогравитационной и, в меньшей степени, термокапиллярной конвекции.
Правильное гексагональное расположение взаимно параллельных неровностей (они ортогональны шести из восьми проекциям нормалей к граням октаэдра {111} на плоскость (Ill)), одинаковый шаг между соседними неровностями, - все это говорит, с одной стороны, о послойном (тангенциальном) механизме нарастания большей части объема кристалла германия, полученного способом направленной кристаллизации. C другой стороны, сам рост кристалла в радиальном направлении происходитскачкообразно - в моменты достижения на фронте кристаллизации максимальных, критических переохлаждений расплава.
На кристалле германия, выращенном способом Чохральского, обнаружены периодичности неровностей двух временных и пространственных масштабов: 3 с, 60 мкм; 0,3 с, 6 мкм. Первая периодичность соответствует скорости вращения кристалла относительно тигля (сам тигель вращался в том же направлении, что и кристалл). Вторая - мелкомасштабная периодичность свидетельствует об осцилляциях температуры на фронте кристаллизации, связанных с проявлением нестационарной конвекции расплава.
Теоретические соображения указывают на возможные способы экспериментального определения зависимостей скорости роста кристаллов V от переохлаждений ΔT. Если известны колебания температуры вблизи фронта кристаллизации с двойной амплитудой ΔT, то за переохлаждения можно условно принять величинуХТ. Исследуя поверхность кристалла, мож но по измеренным значениям среднего отклонения профиля Raи среднего шага неровностей профиля Sm, связанным со скоростью вытягивания Vbочевидным соотношением Ra=VB- Sm, найти скорость роста Vrв радиальном направлении:
Тогда, если известно переохлаждение расшййщ можно оценить кинетический коэффициент βκ, считая, в первом приближении, механизм роста кристалла нормальным, из соотношения
Измерения флуктуаций температуры ΔT вблизи фронта кристаллизации при росте германия способом Чохральского, осуществлённые в работах [4, 9, 76], дают для
значения 1 -2 К.
выращивались кристаллы германия, исследованные в настоящей работе,
составляет 1.7∙10^5cm∙c^1.Величины профиля Raи Smизмеренные с помощью интерференционного профилометра: Rh=6mkm; Sm = 60 мкм. Подстановка указанных значений в формулу (4.2) дает для кинетического коэффициента βκ≈ 2-Ю"4cm∙c^1∙K^1.На гранях {111}, проявляющихся на поверхностях кристаллов германия, среднее отклонение профиля Raприблизительно в три раза меньше, и, соответственно, кинетический коэффициент в три раз меньше: βκ≈7∙10"5cm∙c^1-К"1.
Таким образом, в микрорельефе поверхностей германия, выращиваемых способами направленной кристаллизации и Чохральского, обнаружены периодичности неровностей профиля отражающие колебания температуры на фронте кристаллизации. Для обоих видов кристаллов наиболее выражены периодичности двух различных временных и пространственных масштабов - 0,3 с и 3 с; 6 мкм и 60 мкм. На основании данных о параметрах профиля и о флуктуациях температуры на фронте кристаллизации произведены оценки кинетического коэффициента к, которые дают значения 2-10^ и 7-Ю"5 см-с"1 -К"1.
Еще по теме 4.2. Морфология кристаллов германия и ее связь с кинетикой кристаллизации:
- 4.1. Морфология кристаллов парателлурита и ее связь с кинетикой кристаллизации
- 4.4. Дефекты структуры кристаллов германия и связь их образования с ростовой кинетикой
- 4.3. Дефекты структуры кристаллов парателлурита и связь их образования с ростовой кинетикой
- Предмет и задачи морфологии. Связь морфологии с фонетикой, лексикой, словообразованием, синтаксисом.
- Морфология кристаллов, растущих послойным механизмом
- Определение направленного пропускания в кристаллах германия[6]
- Дефекты структуры и оптические аномалии в кристаллах парателлурита и германия
- 3.3.2. Кинетические коэффициенты при росте кристаллов германия
- 1.5. Основные характеристики и области применения оптических кристаллов германия и парателлурита
- Дефектная структура кристаллов германия
- Морфология «лазерных» повреждений в германии
- Измерение направленного пропускания кристаллов германия[I]
- Глава 4. Исследования оптических и тепловых характеристик кристаллов германия
- Связь синтаксиса с лексикой и морфологией
- § 2. Связь морфологии с лексикой, словообразованием и синтаксисом
- Иванова Александра Ивановна. Микроморфология поверхности и дислокационная структура крупногабаритных оптических кристаллов германия и парателлурита. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015, 2015