<<
>>

Определение направленного пропускания в кристаллах германия[6]

Направленное пропускание в кристаллах германия, обеспечивающее получение информации от наличии рассеяния в кристаллах определялось по методикам согласно схемы рис. 2.4 раздела 2.2.2.3.

Измеряя опорный сигнал Uon в отсутствие измеряемого образца и регистрируя сигнал с исследуемым образцом ии для заданных длин волн получали коэффициенты спектрального направленного пропускания: T11∣∣(λ):

Измерения коэффициента направленного пропускания выполнялись в диапазоне длин волн 2,4-3,0 мкм.

2.3.

<< | >>
Источник: Гавалян Мамикон Юрьевич. Влияние кристаллографической ориентации и примесного состава на оптические, диэлектрические и теплофизические характеристики кристаллов германия и парателлурита. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2016. 2016

Еще по теме Определение направленного пропускания в кристаллах германия[6]:

  1. Измерение направленного пропускания кристаллов германия[I]
  2. Влияние примесного состава на оптическое пропускание германия
  3. Определение пропускания и коэффициентов ослабления в HK диапазоне длин волн
  4. Полоса пропускания ЛДС и способы ее определения
  5. 4.2. Морфология кристаллов германия и ее связь с кинетикой кристаллизации
  6. Дефекты структуры и оптические аномалии в кристаллах парателлурита и германия
  7. 3.3.2. Кинетические коэффициенты при росте кристаллов германия
  8. 4.4. Дефекты структуры кристаллов германия и связь их образования с ростовой кинетикой
  9. 1.5. Основные характеристики и области применения оптических кристаллов германия и парателлурита
  10. Определение пропускания и коэффициентов ослабления в терагерцовом диапазоне длин волн