Основные результаты и выводы

1. Диэлектрическая проницаемость кристалла парателлурита, измеренная в направлении вытягивания кристалла [1 ТО] в процессе роста на 25% больше, чем в направлениях [110] и [010], не смотря на то, что все эти направления для кристаллов, принадлежащих классу симметрии 422, эквивалентны с кристалло­графической точки зрения.

2. Выявлено принципиальное различие в поведении дисперсии диэлек­трической проницаемости у образцов, вырезанных параллельно и перпендику­лярно направлению оптической оси ([001]). В первом случае, наблюдается ли­нейная зависимость мнимой составляющей диэлектрической проницаемости от действительной в области низких частот (меньше 1кГц), а в области высоких частот она аппроксимируется дугой окружности. Для второго случая такой за­висимости не наблюдается.

3. На диаграммах дисперсии кристаллов парателлурита ε''(ε') обнаружено существование двух областей с различным поведением комплексной диэлек­трической проницаемости у образцов, вырезанных перпендикулярно направле­ниям [010] и [1Т0]. Частота, при которой происходит изменение типа диспер­сии, не зависит от температуры и лежит в интервале от 0,9 до 1,5 кГц.

4. Проведена оценка времен релаксации для образцов кристаллов пара­теллурита, вырезанных перпендикулярно направлениям [010] и [1Т0] для двух разных областей дисперсий. Зависимости времен релаксации от температуры установлено не было. Величина времен релаксации позволяет сделать вывод о том, что поляризация обусловлена тепловым движением.

5. Коэффициент теплопроводности кристалла парателлурита, измеренный в направлении [001], на порядок меньше, а в направлении выращивания ([1Т0]) меньше в два раза, чем в направлениях [110] и [010], что коррелирует с поведе­нием диэлектрической проницаемости.

6. Максимальным пропусканием в диапазоне прозрачности обладают мо­нокристаллы германия легированные примесью электронного типа проводимо­сти до уровня ~ 5 - 10 Омсм. Абсолютная величина коэффициента поглоще­ния, соответствующая германию с заданной примесью, определяется, прежде всего, типом проводимости и концентрацией примеси.

7. Для низкой концентрации кислорода, характерной для монокристаллов германия, выращиваемых в вакууме (менее 10¹⁵ см’³), полоса поглощения соот­ветствует частоте 841 см’¹. Для монокристаллов германия с высоким содержа­нием кислорода (10¹⁶-10¹⁷см’³) наблюдается интенсивная полоса поглощения с максимумом при 855 см’¹.

8. В терагерцовом спектральном диапазоне (длина волны 130 мкм) имеет место резкая зависимость поглощения германия с ростом концентрации приме­си. Пропускание германия в терагерцовом диапазоне существенно ниже, чем в

ИК-диапазоне, что связано с относительно высокой концентрацией носителей заряда в собственном германии.

9. Выявляемая структура крупногабаритных монокристаллов германия (диаметром 150-200 мм) на этапе изготовления заготовок для оптических дета­лей, а также их электрофизические характеристики не связаны в явном виде с оптическими параметрами германия.

10. Максимальные значения коэффициентов теплопроводности и тепло­вой диффузии монокристаллического германия /1-типа наблюдаются в кристал­лографическом направлении [111], минимальные значения отвечают поликри- сталлическому германию. Увеличение концентрации легирующей примеси приводит к снижению коэффициентов теплопроводности и тепловой диффузии, эффект более ярко выражен у кристаллов германия //-типа.