ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

Наличие свободных носителей заряда в неоднородных сегнетоэлек­трических структурах приводит к экранированию спонтанной поляриза­ции и, как следствие, к изменению диэлектрических свойств и температу­ры Кюри.

1. Установлено, что наличие свободных носителей в монокристаллах KNbO3 приводит к значительному росту как действительной, так и мнимой частей диэлектрической проницаемости. Диэлектрическая проницаемость при нагреве и охлаждении имеет различные значения. Модуль относительного изменения диэлектрической проницаемости δε(T) = (∣ε 'heat- ε ' cooi∖)∕ε'heatв первом приближении повторяет ход Ps(T). Время эволюции кристалла в первоначальное состояние зависит от концентрации свободных носителей, максимальной температуры нагрева и скорости вывода системы из равновесного состояния.

2. Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гете­роструктур на основе n-типа пленок ВаТіОз и р-типа кремниевых под­ложек (100), изготовленных методом импульсно-лазерного осаждения. Показано, что нелинейные свойства тонкопленочных гетеропереходов ВаТіОз/Si выражены сильнее, чем у классических p-nпереходов, но существенно зависят от температуры и имеют максимум вблизи фазо­вого перехода ВаТіОз.

3. Из анализа температурной зависимости диэлектрической проницаемо­сти и амплитуды третьей гармоники пленок BaTiO3 толщиной 70 нм на кремниевой подложке обнаружен сдвиг фазовых переходов. Для верх­него фазового перехода (кубическая - тетрагональная фаза) температу­ра составляет 395 К при нагреве и 385 К при охлаждении. Для второго

перехода (тетрагональная - ромбическая фаза) температура составляет 284 К при нагреве и 250 К при охлаждении. Для третьего (ромбическая - ромбоэдрическая фаза) температуры фазового перехода при нагреве и при охлаждении совпадают и составляют 176 K.

4. Изучено влияние включений макроскопических частиц Pb0,95Ge0,05Te на сегнетоэлектрические свойства композитов (КН2PO4)1-х ∕(Pb0,95Ge0,05Te)χ (х= 0,2; 0,3; 0,4). Показано, что с увеличением доли Pb0,95Ge0,05Te про­исходит рост как действительной, так и мнимой частей диэлектриче­ской проницаемости. Коэффициент φ(T) = Δε^,(x)∕Δxна низких частотах в сегнетоэлектрической фазе больше, чем в параэлектрической; фазо­вый переход размывается и на температурном ходе ε'(T) появляется ги­стерезис.

5. Методом дифференциальной сканирующей калориметрии исследованы фазовые переходы для объемных сегнетоэлектриков и сегнетоэлектри­ков в порах металлических матриц (2-20 мкм). Показано, что для KNO3 в порах за счет разного сдвига фазовых переходов происходит расши­рение области существования сегнетоэлектрической фазы с 20 до 26 К. Для NaNO2 температура фазового перехода снижается на ΔT ≈ 4 К. Для TGS в металлической матрице изменение температуры перехода не наблюдается.