2.2.4 Растровая электронная микроскопия

Для исследования микроморфологии применялся растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6610LV (Япония), показанный на рисунке 2.11. К основным характеристикам микроскопа относится диапазон увеличений от ?5 до ?300 ООО, ускоряющее напряжение от 0,3 до 30 кВ; разрешение 2,5 нм в режиме высокого вакуума (30 кВ) и 4 нм в режиме низкого вакуума.

Рисунок 2.11 - Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6610LV .

Основным требованием, предъявляемым к электропроводящим образцам, исследуемым в РЭМ, является наличие хорошего электрического контакта с держателем образца для стока избыточных зарядов. В этом плане исследования образцов германия не представляют проблем, однако проблемы могут возникать при исследованиях парателлурита, являющегося хорошим диэлектриком.

Для нейтрализации поверхностных зарядов в настоящей работе применялось напыление тонкой плёнки платины на поверхность образца. Второй метод создания проводящего слоя заключался в нанесении на поверхность электропроводящей ионной жидкости. Автором совместно C разработчиками состава ионной жидкости получен патент по этому способу подготовки диэлектрических образцов для исследований на РЭМ [173]. Перед размещением исследуемого образца в вакуумной камере РЭМ его поверхность смачивают раствором гидрофильной неиспаряемой негорючей нетоксичной токопроводящей ионной жидкостью тетрахлорферрат N-децилпиридиния в органическом растворителе. Затем осуществляют процесс испарения растворителя в течение 30 минут при комнатной температуре, тем самым обеспечивая электрический контакт жидкого токопроводящего покрытия образца с корпусом прибора при его размещении на токопроводящем предметном столике [173].

2.2.5