Материал для исследований
Для отработки технологии изготовления детектирующих структур и дальнейшей разработки комплексного исследования их характеристик и выполнения экспериментальных работ по изучению электрофизических характеристик использован монокристаллический CdTe и CdZnTe зарубежного и отечественного производства.
Были отобраны образцы кристаллов CdTe и CdZnTe различных производителей: ОАО «Гиредмет» (Россия), ЗАО «CrystalsNord» (Россия), «Redlen Technologies Inc.» (Канада), «Acrorad» (Япония), «РНИИРП» (Латвия).Продукция этих фирм, с одной стороны, доступна на мировом и российском рынке и, с другой стороны, имеет либо выдающиеся технические характеристики, либо перспективы их достигнуть. Кристаллы CdZnTe выращены методом зонной плавки THM («Redlen») и с использованием модифицированного метода Бриджмена при высоком давлении («CrystalsNord»). Кристаллы CdTe выращены методом зонной плавки THM («Acrorad») и модифицированным методом Бриджмена в ОАО «Гиредмет». Образцы кристаллов, произведенные в «CrystalsNord», «Redlen», «Acrorad» и ОАО «Гиредмет», имели структуру МПМ с контактами из Au или Pt (на детекторах «Acrorad»). При необходимости, некоторые кристаллы подвергали дополнительной шлифовке, полировке и химической обработке. На кристаллах CdTe производства ОАО «Гиредмет», контакты изготавливали химическим осаждением золота из золотохлористоводородной кислоты.
Для изготовления структур были использованы кристаллы с высокими электрофизическими характеристиками (высокая чистота материала, большой объем монокристаллов с однородным распределением свойств, высокие подвижность и время жизни носителей).
Основные параметры кристаллов приведены в таблице 4.2. На рисунках 4.2 - 4.5 приведены изображения исходных материалов для отработки технологии и изготовления детектирующих структур.
Таблица 4.2. Основные параметры исходных материалов
| № | Номер образца | Номер детектора /тип | Производитель | Размер, MM ? MM | Толщина, MM | Уд. сопротивление р, Ом см | (μτ)e cm2∕B | (μτ)p cm2∕B | Напряжение регистр, фотопика (Cs, Tkomh),В |
| 1 | 0903-1302-33 | 06 p-i-n | 5 ? 10 | 3,0 | 700 | ||||
| 2 | 0903-1302-34 | 07 p-i-n | 5 ? 10 | 3,0 | 600 | ||||
| 3 | 0903-1302-35/36 | Acrorad | 5 ? 10 | 3,0 | ~2 IO9 | 2-Ю'3 | —1,2 IO 4 | 50 | |
| 4 | 0903-1302-49/50 | 10 p-i-n | 5?5 | 3,0 | 800 | ||||
| 0903-1302-41 | 05 МПМ | 5 ? 10 | 3,0 | 50 | |||||
| 0903-1302-39/40 | 3x3 | 3,0 | 50 | ||||||
| 19728/1 CdZnTe | 08 p-i-n | Redlen | 10 X 10 | 1,0 | ~2∙101° | 12∙ IO'3 | —1,2 IO 4 | 700 | |
| 19728/2 CdZnTe | 04 МПМ | Technologies | 10 X 10 | 2,0 | 480 | ||||
| 19785CdZnTe | 09 p-i-n | Inc | 10 х 10 | 5,0 | 700 | ||||
| 1 | KT 10-24 № 11-6 | 7x7 | 1,24 | 1,5 IO9 | 1,3 IO'3 | -IlO'4 | 75 | ||
| 2 | № 11-10 | 7x7 | 1,27 | 2-Ю9 | 9-Ю'4 | -IlO'4 | 75 | ||
| 3 | № 11-14 | 5x5 | 1,0 | 5-Ю9 | 1,2 10 3 | -IlO'4 | 50 | ||
| 4 | ТНМ-2 № 14-7 | 4x4 | 0,87 | 1-Ю10 | 4,5 IO'4 | - | 75 | ||
| 5 | № 14-13 | 4x4 | 1,22 | 9-Ю9 | 2-Ю'4 | - | 100 | ||
| 6 | ТНМ-6 № 1-13 | 4x4 | 1,05 | 5-Ю8 | 5-Ю'4 | - | 75 | ||
| 7 | № 15-13 | 4x4 | 1,52 | 1,2 IO9 | 7,6∙ IO'4 | -IlO'4 | 75 | ||
| 8 | № 4-13 | 5x5 | 1,47 | 1,3 IO9 | 8,3 IO'4 | -IlO'4 | 50 | ||
| 9 | № 9-13 | ОАО «Г предмет» | 5x5 | 1,85 | 1,3 IO9 | 5-Ю'4 | -IlO'4 | 75 | |
| 10 | КЦТС 10-27 № 4-14 | 7x7 | 1,12 | 2-Ю9 | 1,3 IO'3 | 5,1-Ю'5 | 50 | ||
| 11 | KT 10-49 №5-11 | 01 МПМ | 5x5 | 2,58 | 3-Ю9 | 8-Ю'4 | 1,5 IO'4 | 210 | |
| 12 | ТНМ-5 № 4-14 | 4x4 | 1,38 | 3,5 IO8 | 9-Ю'4 | 5,7∙ IO'5 | 50 | ||
| 13 | № 9-14 | 4x4 | 1,4 | 3,2∙ IO8 | 9,2∙ IO'4 | 6,5 IO'5 | 50 | ||
| 14 | № 13-14 | 4x4 | 1,29 | 3,5 IO8 | 9,5 IO'4 | 4,8∙ IO'5 | 50 | ||
| 15 | КЦТ 07-64 № 1 | 3x3 | 1,45 | 4-Ю8 | 3-Ю'4 | - | 150 | ||
| Пластины | |||||||||
| 1 | KT 10-24 № 3 | 0 40 | 2,5 | -IlO9 | -IlO'3 | -IlO'4 | |||
| 2 | КЦТС 10-41 №8 | 02 МПМ | 0 40 | 3,0 | -3-Ю9 | -5 IO'4 | -IlO'4 | 300 | |
| 3 | KT 09-11 №6 | 03 МПМ | 0 40 | 3,0 | -6-Ю8 | -5 IO'4 | -IlO'4 | 350 | |
| 4 | KT 10-43 № 1 | 0 40 | 3,0 | >1 IO9 | -IlO'3 | -IlO'4 | |||
| 5 | КЦТ 11-04 №6 | 0 40 | 2,5 | -2-Ю9 | ~4∙ IO'4 | -7-Ю'5 | |||
Рисунок 4.2. Монокристаллический CdTe фирмы «Асгогаё»для изготовления
детектирующих структур
Рисунок 4.3.
Монокристаллический CdZnTe фирмы «Redlen» дляизготовления детектирующих структур
Рисунок 4.4. Монокристаллический CdTe РНИИРП для отработки технологии и режимов резки и шлифовки детектирующих структур
Рисунок 4.5. Монокристаллический CdTe ОАО "Гиредмет" для изготовления
детектирующих структур
4.3.
Еще по теме Материал для исследований:
- Материал для исследования
- Методы исследования материала в словообразовании
- Материал исследования
- Донорский материал для кератопластики
- 4.2. Экспериментальные исследования влияния СОЖ и обрабатываемого материала на процесс стружкообразования
- 2.5 Теоретические исследования условий разрушения частиц материала встречным лобовым ударом в центробежной противоточной мельнице
- Материал для развитияпрактической грамотности.
- Задание 12. Вставьте подходящие по смыслу союзные слова. Используйте материал для справок.
- 5 Вопросы и упражнения для закрепления теоретического материала по вычислительной геометрии
- Исследование зависимости действительной площади срезаемого материала от технологических параметров изношенной цапфы в форме усеченного конуса при ротационной обработке
- Выбор объектов исследования и технической базы для исследований
- Задание 15. Замените придаточные уступительные, используя конструкции из материала для справок.