<<
>>

Создание контактов на исследуемых пластинах и кристаллах

Контакты на полированные кристаллы наносили электрохимическим осаждением золота из золотохлористоводородной кислоты, при положительных результатах (ВАХ, спектр) формировали износостойкие контакты, получаемые магнетронным распылением золота.

Для изготовления структур p-i-n типа применили термическую диффузию индия. Последовательность технологических операций приведена на рисунке 4.1.

г) Детектор с защитным силиконовым покрытием на боках

Рисунок 4.1. Последовательность технологических операций создания контактов на пластинах и кристаллах. Характеристики исходного кристалла μe = 1000 -1200см2IB • с ; μh = 100 - 140см2/В • с; τe = τh = 10^6с; p = ιo9o.w∙ см

4.2.

<< | >>
Источник: СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Создание контактов на исследуемых пластинах и кристаллах:

  1. Изготовление ножевидных пластин
  2. Обработка пластин для получения разнообразных орудий
  3.   § 2. Актуализация деловых контактов Постановка цели деловых контактов
  4. Исследуемые материалы
  5. §3. Кулоновское взаимодействие и поляронные экситонные состояния в полярной пластине
  6. Исследуемые образцы
  7. Физико-механические характеристики исследуемых материалов
  8. Характеристики исследуемых образцов
  9. Исследуемые материалы
  10. Исследуемые образцы