Технологические аспекты изготовления детектирующих структур на основе кристаллов
Для исследования параметров монокристаллов в виде детектирующих структур в работе была разработана и апробирована технологическая методика изготовления структур.
Детектирующие структуры изготавливали из высокоомного CdTe и CdZnTe в соответствии с технологическими операциями, приведенными в таблице 4.1.
Таблица 4.1.
Технологические операции изготовления детектирующих структур из CdTe, CdZnTe| № п/п | Технологическая операция | Примечания |
| 1. | Резка слитка/шайбы на отдельные кристаллы: - фиксация слитка/шайбы на оправке пицеином; - групповая резка струной с алмазным покрытием; - нагрев подложки и демонтаж кристаллов. | Малогабаритный станок абразивной проволочной резки AJITEK-13 009 |
| 2. | Отмывка кристаллов от остатков пицеина: - выдерживание в нагретом четырёххлористом углероде; - промывка в воде; - визуальный контроль кристалла. | |
| 3. | Нумерация кристаллов. | |
| 4. | Измерение геометрических размеров кристалла. | |
| 5. | Удаление методом шлифовки дефектов резки кристалла: - наклейка на шлифовальную оправку; - шлифовка; - отмывка в четырёххлористом углероде и промывка в деионизованной воде. | |
| 6. | Измерение геометрических размеров. | |
| 7. | Приведение образца в заданный размер методом шлифовки: - наклейка образца на шлифовальную оправку; - снятие избыточной толщины; - промывка в водном мыльном растворе; - отклейка образца; - промывка в четырёххлористом углероде и в деионизованной воде; - контроль размеров. | Настольный станок LS2P.04 |
| 8. | Полировка: - полировка фасок; - полировка граней; - полировка плоскостей. | Настольный станок LS2P.04 |
| 9. | Отмывка после полировки: - водный мыльный раствор - промывка в деионизованной воде - отмывка в четырёххлористом углероде. | |
| 10. | Формирование контактов. | Термодиффузия индия и золота |
| И. | Контроль электрофизических характеристик: - измерение вольтамперной характеристики; - измерение амплитудного спектра. | Спектрометр на базе ЦСУ-Н-1К |
Для изготовления детектирующих структур отбирали исходный материал с высокими электрофизическими характеристиками (низкая концентрация остаточных примесей, высокая чистота материала, большой объем монокристаллов с однородным распределением свойств, высокие подвижность и время жизни носителей), выращенный методом движущегося нагревателя с компенсацией хлором (THM), производства фирм «Acrorad» (подразделение японской энергетической корпорации) и «Redlen Technologies Inc.» (Канада).
Используемые монокристаллы для изготовления детектирующих структур имели следующие характеристики.
Монокристаллы CdTe: удельное сопротивление р = IO9Омсм; время жизни носителей не менее IO'6с; произведение подвижности электронов и дырок на их время жизни (1,0 - 2,4)∙10'3cm2∕B и(1,0 - l,4)∙10'4cm2∕B, соответственно. В настоящее время это лучшие кристаллы CdTe, которые позволяет получать современная технология.
Монокристаллы CdZnTe: удельное сопротивление p = 2∙101° Ом см; произведение подвижности электронов и дырок на их время жизни 1,2∙ IO'2cm2∕Bи 1,2∙ IO'4cm2ZB,соответственно.
Все образцы имели одинаковую кристаллографическую ориентацию - контакты в плоскости (111). Из исходного кристалла вырезали прямоугольные параллелепипеды, которые затем шлифовали и полировали, с целью удаления нарушенного слоя после резки. Характерные размеры детектирующих структур: толщина 1-3 мм, длина и ширина 2-10 мм. Для обеспечения плоскопараллельности исследуемых детектирующих структур, получаемых при обработке кристаллов на мягких полировальниках, нами были внесены изменения в технологический процесс - заготовки детектирующих структур приклеивали на металлическую оправку с плоскопараллельными гранями и полировали на стекле.
4.1.2.
Еще по теме Технологические аспекты изготовления детектирующих структур на основе кристаллов:
- Разработка методики изготовления детектирующих структур
- СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
- Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
- Характеристики МПМ и р-і-п-детектирующих структур
- Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe
- Доменная структура кристаллов SBN
- Кристаллическая структура кристаллов SBN
- Технологический аспект
- 4.3. Дефекты структуры кристаллов парателлурита и связь их образования с ростовой кинетикой
- Дефекты структуры и оптические аномалии в кристаллах парателлурита и германия
- Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
- 4.4. Дефекты структуры кристаллов германия и связь их образования с ростовой кинетикой
- Дефектная структура кристаллов германия
- Формирование функционально-технологической структуры бизнеса.
- Технологический и кибернетический аспекты понятия возвышенное Technological and cybernetical aspects of the sublime
- 2.4. Метод экспертного анализа функционально- технологической структуры бизнеса
- Глава 1. Теоретические основы технологического маркетинга
- Основа коммуникативного аспекта
- 11.1. Подделка кредитных карточек путем изготовления их фальшивых копий на основе дублирования законного оригинала на компьютерном устройстве.