ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe

В работе предложен и апробирован комплексный подход определения параметров монокристаллов CdTe и CdZnTe, включающий:

- разработку методики изготовления детектирующих структур для измерений на основе кристаллов;

- разработку комплексной методики исследования характеристик монокристаллов.

Методики и измерения были разработаны и выполнены для определения следующих характеристик кристаллов:

- электропроводность материала, BAX детекторов;

- подвижность носителей с помощью время-пролетной методики;

- эффективность сбора носителей CCEи измерение параметра μτдля электронов и дырок;

- спектральные характеристики фотопроводимости в диапазоне длин волн 400-1800 нм;

- зависимости фотопроводимости от напряжения.

4.1.