Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом

Существует большое количество задач регистрации рентгеновского и гамма-излучений, где необходимо использование высококачественных CdTe и CdZnTe детекторов достаточно большого объема с высоким энергетическим разрешением, например, в рентгенфлюоресцентном анализе (РФА).

Токи утечки детектора при этом составляют IO'¹¹ ÷ IO^-l2A, что позволяет достичь высокого энергетического разрешения. При изготовлении барьера Шоттки обычно применяются 1п-электроды [10]. Промышленное производство таких CdTe детекторов налажено фирмой «Acrorad». Этому способу присущи недостатки, связанные с чувствительностью контактов ко внешним воздействиям и невысокой надежностью приборов. Типичные величины энергетического разрешения Шоттки CdTe-детекторов при их облучении источником ²⁴¹Am составляют 530 эВ по линии 14 кэВ и 810 эВ по линии 59,5 кэВ [7]. При альтернативном способе изготовления барьера создается глубоко расположенный р-п переход с помощью термической диффузии лития. Обратный контакт к таким детекторам создают осаждением или напылением тонкого слоя золота или платины. На CdTe p-i-n детекторах площадью 20 мм² и толщиной 1,5 мм было получено энергетическое разрешение менее 270 эВ по линии 5,9 кэВ (источник ⁵⁵Fe) и 330 эВ по линии 17,7 кэВ (источник ²⁴¹Am) [8].

На CdTe p-i-n детекторах размером 2?2?1 мм при комнатной температуре было получено энергетическое разрешение 2,1 кэВ по линии 59,5 кэВ источника ²⁴¹Am и 3 кэВ по линии 122 кэВ источника ⁵⁷Co.

1.3.3.