ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МИРОВОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe
История развития приборостроения на основе CdTe и CdZnTe началась с середины 60-х годов с появления первых CdTe детекторов. В настоящее время детекторы на основе CdTe и CdZnTe являются единственными из всей группы широкозонных материалов (с шириной запрещённой зоны более 1,5 эВ), изготовление которых осваивается промышленно.
Существует большое количество способов выращивания CdTe. Различные модификации метода Бриджмена дают возможность выращивать крупные слитки CdTe, но загрязнения расплава фоновыми примесями ограничивают применение метода. Основным способом выращивания кристаллов CdTe в настоящее время остается метод зоной плавки (THM). Фирма «Acrorad», основной производитель кристаллов CdTe и детекторов на его основе, использует данный метод в качестве основного. Для получения высокоомного CdTe, в материал во время выращивания добавляется примесь (обычно хлор) [7], компенсирующая фоновые примеси и снижающая концентрацию структурных дефектов; таким образом достигается удельное сопротивление IO9-1010Om∙cm.C появлением в начале 90-х годов CdZnTe детекторов началась новая эра развития, с которой связано существенное расширение функциональных возможностей и областей применения приборов. Добавление Zn в расплав позволяет существенно снизить плотность дислокаций, других дефектов и выращивать крупные слитки с высокими транспортными характеристиками. Удельное сопротивление кристаллов CdZnTe при этом достигает величины IOio-IO11Ом-см, существенно повышая температурный диапазон использования детекторов вплоть до 50-70 С. Ширина запрещенной зоны у этого полупроводника имеет более высокие величины в сравнении с CdTe (1,53 - 1,64 эВ в зависимости от содержания Zn). Для выращивания монокристаллов CdZnTe используются различные методы. Так фирма практикует в основном метод Бриджмена под высоким
давлением (HPVB), в то время как фирмы «Redlen» и «Eurorad» слитки CdZnTe получают методом THM.
В настоящее время на мировом рынке CdTe, CdZnTe присутствуют как отечественные так и зарубежные производители исходных материалов (кристаллов) для производства спектрометрических, дозиметрических и токовых детекторов рентгеновского и гамма-излучения.
Производство детекторов на основе кристаллов CdTe и CdZnTe ежегодно увеличивается на 10-15%. Расширение областей применения детекторов излучений на основе кристаллов CdTe и CdZnTe идет параллельно с повышением требований к качеству кристаллов (отсутствием или минимизацией дефектов - границ блоков, двойников, включений, наличием преципитатов, дислокаций), к их размерам. Важным условием является воспроизводимость процесса производства для повышения выхода конечной продукции и обеспечения приемлемой цены.
За рубежом активно идут разработки аппаратуры и модулей на основе широкозонных детекторов. В 2000 году CdZnTe детекторы были предложены для замены HPGe (особо чистый германий) при работе в полевых условиях, но, несмотря на значительный прогресс в области детекторных технологий и электроники, эта задача до конца ещё не решена.
1.1.
Еще по теме ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МИРОВОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe:
- Тенденции развития мирового приборостроения на основе CdTe, CdZnTe
- Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
- ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК CdTe, CdZnTe
- ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe
- Области применения детекторов CdTe, CdZnTe
- ГЛАВА 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА СБОРА ЗАРЯДА И ФОРМИРОВАНИЯ АМПЛИТУДНОГО СПЕКТРА В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-КВАНТАМИ
- СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
- Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
- Разработка комплексной методики исследования характеристик монокристаллов CdTe и CdZnTe
- Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe
- Смирнов Александр Александрович. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
- 5.1. Измерение технических характеристик детекторов копланарной конструкции на основе CdZnTe
- Глава 1. Анализ состояния и тенденции развития системы снабжения нефтепродуктами автомобильного транспорта в условиях рыночной экономики
- Глава 2. Методики исследования, теоретические основы анализа и обработки результатов
- Глава 2. Сравнительный анализ государственной политики Российской Федерации и ведущих мировых стран в области поддержки доходов и обеспечения социальных выплат людям с инвалидностью
- Анализ финансового состояния, цели и задачи финансового анализа предприятия
- Лаптев Сергей Бениаминович. Основы теории государственных финансов, учеб, пособие для студентов вузов, обучающихся по специальностям "Финансы и кредит», «Бухгалтерский учет, анализ и аудит», «Мировая экономика» / СВ. Лаптев. — 2-е изд., перераб. и доп. — М,2012. - 240 с, 2012
- Глава 4. КОНСТИТУЦИОННЫЙ СУД В ГОСУДАРСТВЕННОМ МЕХАНИЗМЕ РОССИИ (на основе анализа Конституций РФ 1978 и 1993 гг.)