<<
>>

Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe

В процессе разработки технологии изготовления детекторов из теллурида кадмия (с добавлением цинка) качество изготовленных детекторов оценивалось непосредственно путем исследования гамма-спектров от различных источников (241Am, 57Co, 133Ba и 137Cs).

На спектрометрические свойства детектора влияют такие электрофизические свойства материала как подвижность носителей заряда, время жизни носителей, однородность параметров по объему детектора, а также емкость и темновой ток детектора.

Исследуя спектры гамма-линий различных энергий в зависимости от рабочего напряжения и времени формирования сигнала можно оценить фактор (или факторы), в наибольшей степени ухудшающие энергетическое разрешение.

Для спектрометрии использовалась представленная ниже аппаратура и программное обеспечение:

- предусилитель (изготовления ОАО «ИФТП»);

- формирующий усилитель фирмы «ORTEC» №572;

-амплитудно-цифровой преобразователь на 8142 канала фирмы «Аспект» (г. Дубна);

- программа накопления спектра фирмы «Аспект» (Дубна);

- специально написанная в ОАО «ИФТП» программа пакетной обработки спектров.

Исследовался материал трех производителей:

ГИРЕДМЕТ (г. Москва) - 2 планарных детектора;

CrystalNord (г. Александров) - 1 планарный детектора;

REDLEN (Канада) - 3 планарных и 2 квазисферических детектора.

Спектры для различных детекторов в зависимости от приложенного напряжения (от 50 до 2000 В) можно видеть на рисунках 4.48-4.56.

Рисунок 4.48. Спектры 241Amn 57Co, полученные на детекторе CZT№ 5при напряжениях 400, 1000 и 2000 В

Рисунок 4.49. Спектры 241Amn 57Co3полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ mpml lπpπ различных напряжениях

123

Рисунок 4.50.

Спектры 241Amn 57Co3полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ тршЗІпри различных напряжениях

124

Рисунок 4.51. Спектры zhiAitlh 'Со, полученные на детекторе REDLENmpm41 при различных напряжениях

125

Рисунок 4.52. Спектры 241Amn 57Co, полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ mpm61 при различных напряжениях

126

Рисунок 4.53. Спектры ljjBa, полученные на детекторе REDLEN(№251) при различных напряжениях

127

Рисунок 4.54. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 263) при различных напряжениях

128

Рисунок 4.55. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 280) при различных напряжениях

129

Рисунок 4.56. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 280) при различных напряжениях

130

Рисунок 4.57а. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 251) при различных напряжениях 131

Рисунок 4.576. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 251) при различных напряжениях

132

Зависимость положения пика от обратной напряженности поля

l∕E = w∕Upa6, где Е-н ап ряженн ость, w-толщин а детектора, U-напряжение

Детектор CdZnTe №5 , планар, материал -CrisiaINord

U раб W∕Upa6, мм/В центр, канат

50 кэВ

200 0,03 97
400 0,01 141
600 0,01 171
800 0,01 190
1000 0,01 205
1200 0,00 220
1400 0,00 233
1800 0,00 247
2000 0,00 260

ДетекторCdZnTe mpm 6_1, планар, материал- ГИРЕДМЕТ

U раб W∕Upa5, мм/В центр, канал

60 кэВ

100 0,017 256
200 0,009 307
300 0,006 315
400 0,004 322
500 0,003 325
600 0,003 332
700 0,002 334
800 0,002 342

Детектор CdZnTe mpm 1_1, планар, материал- ГИРЕДМЕТ

U раб W∕Upa6, мм/В центр, канат

60 кэВ

100 0,017 222
200 0,009 276
300 0,006 297
400 0,004 310
500 0,003 315
600 0,003 320
700 0,002 324
800 0,002 326
900 0,002 328

Рисунок 4.58а.

Зависимость положения пика от обратной напряженности

поля для различных материалов

Детектор CdZnTe №251, план ар, матери ал - Red Len

UpaS W∕UpaS, мм,/В центр, канат BDkjB
15D 0,03 2Б2
2 OD 0,03 277
300 0,02 289
400 OjOl 293

Детектор C dZnTe № 2 BD , пл ан ар, матери ал - Red Len

UpaS WAJpaS, мм/В центр.канал,

BD кэВ

IDD 0j0500 217
150 0,0333 250
200 0,025 D 263
300 OjOl 67 275
4DD OjOl 2 5 285
6DD OjOOB 3 292
SOO 0j0063 295
IDOD 0j0050 29В
14DD 0j003 6 299
1700 0,0029 300
2DDD 0,0025 3DD

Детектор C dZ nTe № 2 63 , пл ан ар, матери ал - Red Len

UpaS WAJpas,

мм/В

центр, канал,

BD кэВ

4DD OjOl 2 5 IBB ,.4
6DD Oj DDB 3 190 j5
800 Oj0063 193
IDDD OjODSO 194
1200 0,0042 194 j 2
14DD 0j0D3 6 194 j 6
16DD OjOD31 194 j8
IBDD Oj0028 195
2DDD Oj0025 195

Рисунок 4.586. Зависимость положения пика от обратной напряженности поля для материала REDLEN

Анализируя приведенные на рисунках 4.48-4.58 спектры и характеристики детекторов, можно сделать следующие выводы:

1.

Разрешение для детекторов с планарной структурой электродов для малых энергий (30 - 100 кэВ), как правило, заметно лучше, чем для детекторов с квази-полусферической геометрией.

Для больших энергий (300 - 600 кэВ) наоборот, разрешение существенно лучше для квази-полусферической геометрии. Наглядно это можно видеть на рисунке 4.57а и рисунке 4.576, где приведен спектр 133Ba, полученный с детектором планарной геометрией (вверху), и с тем же детектором после переделки геометрии электродов с планарной на квази-полусферическую.

2. Общий счет по всему спектру выше некоторого порога (~ 20 - 40 кэВ) для планарных детекторов меньше зависит от напряжения, чем для квази- полусферических.

3. На всех спектрах видно существенное увеличение амплитуды (номера канала анализатора) линий с увеличением рабочего напряжения на детекторе, что говорит о значительной потере заряда при малых напряжениях (при 100 - 300 В до 40-50 % от максимально возможного собирания) (см. рисунок 4.50). При напряжении от 400 до 2000 В амплитуда линии 60 кэВ (241Am) вырастает в 2 раза.

4. Визуально, сдвиг линии при повышении напряжения наименьший для детектора REDLEN № 263 (рисунок 4.54). Чтобы более корректно сравнить разные материалы с этой точки зрения, построены зависимости положения пика от обратной напряженности IZE = W∕Upa6, где E - напряженность поля, W - толщина детектора, Upa6 - рабочее напряжение (рисунок 4.58а, 4.586).

5. Построение в таких координатах позволяет провести экстраполяцию к бесконечному полю (1/Е → 0) и оценить «полный заряд» и потери заряда при различных напряжениях. Видно, что наименьшие потери на детекторах из материала REDLEN (№ 251, № 263) (кривые N = const∕E имеют наименьший наклон), а это означает, что произведения μτдля этих образцов наибольшие. О том же самом говорит и рисунок 4.54. На нем наиболее четко из всех детекторов с планарной геометрией выделяются пики 133Ba (276.4, 302.8, 356 и 384 кэВ).

Из всех приведенных на рисунке 4.58а и рисунке 4.586 зависимостей наибольший наклон и наибольшие потери (т.е.

наименьшее значение μτ) наблюдаются для детектора CZT №5 (рисунок 4.58а).

Кроме больших потерь, в нем есть большие неоднородности параметров, так как ширина пиков 60 кэВ (241Am) в 5-6 раз превышает ширину линии генератора точной амплитуды.

C ростом напряжения на детекторе токовые шумы растут, но измерение по генератору точной амплитуды показали, что эти шумы лежат в пределах 3-10 кэВ. Для малых (до 100 кэВ) энергий это может вносить вклад, но для энергий более 300 кэВ основное ухудшение разрешения до 20-30 кэВ связано с потерей заряда.

Спектрометрические возможности различения 133Ba и 137Cs показаны на рисунке 4.54, 241Am и 133Ba - на рисунке 4.60.

Предел обнаружения 133Ba и 57Co

Для оценки предела обнаружения проведены три измерения:

фон без источника;

133Ba с активностью 20 кБк на расстоянии 20 см от источника;

57Co активностью 17 кБк на расстоянии 20 см от источника.

Результаты приведены на рисунке 4.61 и в таблице 4.22.

Таблица 4.22. Предел обнаружения 133Ba и 57Co

Счет выше порога 25 кэВ за 300 с, имп Скорость счета, имп/с Счет за 20 сек,

имп

133Ba 1184 3.95 79
5'Со 908 3.03 61
фон 213 0.71 14

Как видно из таблицы 4.22, скорость счета 133Ba и 57Co в 4-6 раз превышает фон и за 20 секунд измерения эти количества изотопов (20 и 17 кБк, соответственно) обнаруживаются.

Рисунок 4.59. Спектры 133Ba и 137Cs, полученные на детекторе REDLEN (№ 280)

137

Рисунок 4.60. Спектры 133Ba и 241Am, полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ (mpm61)

Рисунок 4.61. Спектры 133Ba, фона, 57Co,

4.5.

<< | >>
Источник: СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe:

  1. Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
  2. СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
  3. ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe
  4. ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК CdTe, CdZnTe
  5. Разработка комплексной методики исследования характеристик монокристаллов CdTe и CdZnTe
  6. Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
  7. 5.1. Измерение технических характеристик детекторов копланарной конструкции на основе CdZnTe
  8. Области применения детекторов CdTe, CdZnTe
  9. Характеристики МПМ и р-і-п-детектирующих структур
  10. Тенденции развития мирового приборостроения на основе CdTe, CdZnTe
  11. ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МИРОВОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe
  12. Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe