Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe
В процессе разработки технологии изготовления детекторов из теллурида кадмия (с добавлением цинка) качество изготовленных детекторов оценивалось непосредственно путем исследования гамма-спектров от различных источников (241Am, 57Co, 133Ba и 137Cs).
На спектрометрические свойства детектора влияют такие электрофизические свойства материала как подвижность носителей заряда, время жизни носителей, однородность параметров по объему детектора, а также емкость и темновой ток детектора.
Исследуя спектры гамма-линий различных энергий в зависимости от рабочего напряжения и времени формирования сигнала можно оценить фактор (или факторы), в наибольшей степени ухудшающие энергетическое разрешение.
Для спектрометрии использовалась представленная ниже аппаратура и программное обеспечение:
- предусилитель (изготовления ОАО «ИФТП»);
- формирующий усилитель фирмы «ORTEC» №572;
-амплитудно-цифровой преобразователь на 8142 канала фирмы «Аспект» (г. Дубна);
- программа накопления спектра фирмы «Аспект» (Дубна);
- специально написанная в ОАО «ИФТП» программа пакетной обработки спектров.
Исследовался материал трех производителей:
ГИРЕДМЕТ (г. Москва) - 2 планарных детектора;
CrystalNord (г. Александров) - 1 планарный детектора;
REDLEN (Канада) - 3 планарных и 2 квазисферических детектора.
Спектры для различных детекторов в зависимости от приложенного напряжения (от 50 до 2000 В) можно видеть на рисунках 4.48-4.56.
Рисунок 4.48. Спектры 241Amn 57Co, полученные на детекторе CZT№ 5при напряжениях 400, 1000 и 2000 В
Рисунок 4.49. Спектры 241Amn 57Co3полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ mpml lπpπ различных напряжениях
123
Рисунок 4.50.
Спектры 241Amn 57Co3полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ тршЗІпри различных напряжениях124
Рисунок 4.51. Спектры zhiAitlh 'Со, полученные на детекторе REDLENmpm41 при различных напряжениях
125
Рисунок 4.52. Спектры 241Amn 57Co, полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ mpm61 при различных напряжениях
126
Рисунок 4.53. Спектры ljjBa, полученные на детекторе REDLEN(№251) при различных напряжениях
127
Рисунок 4.54. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 263) при различных напряжениях
128
Рисунок 4.55. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 280) при различных напряжениях
129
Рисунок 4.56. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 280) при различных напряжениях
130
Рисунок 4.57а. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 251) при различных напряжениях 131
Рисунок 4.576. Спектры 133Ba, полученные на детекторе REDLEN (№ 251) при различных напряжениях
132
Зависимость положения пика от обратной напряженности поля
l∕E = w∕Upa6, где Е-н ап ряженн ость, w-толщин а детектора, U-напряжение
Детектор CdZnTe №5 , планар, материал -CrisiaINord
| U раб | W∕Upa6, мм/В | центр, канат 50 кэВ |
| 200 | 0,03 | 97 |
| 400 | 0,01 | 141 |
| 600 | 0,01 | 171 |
| 800 | 0,01 | 190 |
| 1000 | 0,01 | 205 |
| 1200 | 0,00 | 220 |
| 1400 | 0,00 | 233 |
| 1800 | 0,00 | 247 |
| 2000 | 0,00 | 260 |
ДетекторCdZnTe mpm 6_1, планар, материал- ГИРЕДМЕТ
| U раб | W∕Upa5, мм/В | центр, канал 60 кэВ |
| 100 | 0,017 | 256 |
| 200 | 0,009 | 307 |
| 300 | 0,006 | 315 |
| 400 | 0,004 | 322 |
| 500 | 0,003 | 325 |
| 600 | 0,003 | 332 |
| 700 | 0,002 | 334 |
| 800 | 0,002 | 342 |
Детектор CdZnTe mpm 1_1, планар, материал- ГИРЕДМЕТ
| U раб | W∕Upa6, мм/В | центр, канат 60 кэВ |
| 100 | 0,017 | 222 |
| 200 | 0,009 | 276 |
| 300 | 0,006 | 297 |
| 400 | 0,004 | 310 |
| 500 | 0,003 | 315 |
| 600 | 0,003 | 320 |
| 700 | 0,002 | 324 |
| 800 | 0,002 | 326 |
| 900 | 0,002 | 328 |
Рисунок 4.58а.
Зависимость положения пика от обратной напряженностиполя для различных материалов
Детектор CdZnTe №251, план ар, матери ал - Red Len
| UpaS | W∕UpaS, мм,/В | центр, канат BDkjB |
| 15D | 0,03 | 2Б2 |
| 2 OD | 0,03 | 277 |
| 300 | 0,02 | 289 |
| 400 | OjOl | 293 |
Детектор C dZnTe № 2 BD , пл ан ар, матери ал - Red Len
| UpaS | WAJpaS, мм/В | центр.канал, BD кэВ |
| IDD | 0j0500 | 217 |
| 150 | 0,0333 | 250 |
| 200 | 0,025 D | 263 |
| 300 | OjOl 67 | 275 |
| 4DD | OjOl 2 5 | 285 |
| 6DD | OjOOB 3 | 292 |
| SOO | 0j0063 | 295 |
| IDOD | 0j0050 | 29В |
| 14DD | 0j003 6 | 299 |
| 1700 | 0,0029 | 300 |
| 2DDD | 0,0025 | 3DD |
Детектор C dZ nTe № 2 63 , пл ан ар, матери ал - Red Len
| UpaS | WAJpas, мм/В | центр, канал, BD кэВ |
| 4DD | OjOl 2 5 | IBB ,.4 |
| 6DD | Oj DDB 3 | 190 j5 |
| 800 | Oj0063 | 193 |
| IDDD | OjODSO | 194 |
| 1200 | 0,0042 | 194 j 2 |
| 14DD | 0j0D3 6 | 194 j 6 |
| 16DD | OjOD31 | 194 j8 |
| IBDD | Oj0028 | 195 |
| 2DDD | Oj0025 | 195 |
Рисунок 4.586. Зависимость положения пика от обратной напряженности поля для материала REDLEN
Анализируя приведенные на рисунках 4.48-4.58 спектры и характеристики детекторов, можно сделать следующие выводы:
1.
Разрешение для детекторов с планарной структурой электродов для малых энергий (30 - 100 кэВ), как правило, заметно лучше, чем для детекторов с квази-полусферической геометрией.Для больших энергий (300 - 600 кэВ) наоборот, разрешение существенно лучше для квази-полусферической геометрии. Наглядно это можно видеть на рисунке 4.57а и рисунке 4.576, где приведен спектр 133Ba, полученный с детектором планарной геометрией (вверху), и с тем же детектором после переделки геометрии электродов с планарной на квази-полусферическую.
2. Общий счет по всему спектру выше некоторого порога (~ 20 - 40 кэВ) для планарных детекторов меньше зависит от напряжения, чем для квази- полусферических.
3. На всех спектрах видно существенное увеличение амплитуды (номера канала анализатора) линий с увеличением рабочего напряжения на детекторе, что говорит о значительной потере заряда при малых напряжениях (при 100 - 300 В до 40-50 % от максимально возможного собирания) (см. рисунок 4.50). При напряжении от 400 до 2000 В амплитуда линии 60 кэВ (241Am) вырастает в 2 раза.
4. Визуально, сдвиг линии при повышении напряжения наименьший для детектора REDLEN № 263 (рисунок 4.54). Чтобы более корректно сравнить разные материалы с этой точки зрения, построены зависимости положения пика от обратной напряженности IZE = W∕Upa6, где E - напряженность поля, W - толщина детектора, Upa6 - рабочее напряжение (рисунок 4.58а, 4.586).
5. Построение в таких координатах позволяет провести экстраполяцию к бесконечному полю (1/Е → 0) и оценить «полный заряд» и потери заряда при различных напряжениях. Видно, что наименьшие потери на детекторах из материала REDLEN (№ 251, № 263) (кривые N = const∕E имеют наименьший наклон), а это означает, что произведения μτдля этих образцов наибольшие. О том же самом говорит и рисунок 4.54. На нем наиболее четко из всех детекторов с планарной геометрией выделяются пики 133Ba (276.4, 302.8, 356 и 384 кэВ).
Из всех приведенных на рисунке 4.58а и рисунке 4.586 зависимостей наибольший наклон и наибольшие потери (т.е.
наименьшее значение μτ) наблюдаются для детектора CZT №5 (рисунок 4.58а).Кроме больших потерь, в нем есть большие неоднородности параметров, так как ширина пиков 60 кэВ (241Am) в 5-6 раз превышает ширину линии генератора точной амплитуды.
C ростом напряжения на детекторе токовые шумы растут, но измерение по генератору точной амплитуды показали, что эти шумы лежат в пределах 3-10 кэВ. Для малых (до 100 кэВ) энергий это может вносить вклад, но для энергий более 300 кэВ основное ухудшение разрешения до 20-30 кэВ связано с потерей заряда.
Спектрометрические возможности различения 133Ba и 137Cs показаны на рисунке 4.54, 241Am и 133Ba - на рисунке 4.60.
Предел обнаружения 133Ba и 57Co
Для оценки предела обнаружения проведены три измерения:
фон без источника;
133Ba с активностью 20 кБк на расстоянии 20 см от источника;
57Co активностью 17 кБк на расстоянии 20 см от источника.
Результаты приведены на рисунке 4.61 и в таблице 4.22.
Таблица 4.22. Предел обнаружения 133Ba и 57Co
| Счет выше порога 25 кэВ за 300 с, имп | Скорость счета, имп/с | Счет за 20 сек, имп | |
| 133Ba | 1184 | 3.95 | 79 |
| 5'Со | 908 | 3.03 | 61 |
| фон | 213 | 0.71 | 14 |
Как видно из таблицы 4.22, скорость счета 133Ba и 57Co в 4-6 раз превышает фон и за 20 секунд измерения эти количества изотопов (20 и 17 кБк, соответственно) обнаруживаются.
Рисунок 4.59. Спектры 133Ba и 137Cs, полученные на детекторе REDLEN (№ 280)
137
Рисунок 4.60. Спектры 133Ba и 241Am, полученные на детекторе ГИРЕДМЕТ (mpm61)
Рисунок 4.61. Спектры 133Ba, фона, 57Co,
4.5.
Еще по теме Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe:
- Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
- СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
- ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe
- ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК CdTe, CdZnTe
- Разработка комплексной методики исследования характеристик монокристаллов CdTe и CdZnTe
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- 5.1. Измерение технических характеристик детекторов копланарной конструкции на основе CdZnTe
- Области применения детекторов CdTe, CdZnTe
- Характеристики МПМ и р-і-п-детектирующих структур
- Тенденции развития мирового приборостроения на основе CdTe, CdZnTe
- ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МИРОВОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe
- Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe