Характеристики МПМ и р-і-п-детектирующих структур
На изготовленных образцах детекторов проведены радиометрические измерения напряжения регистрации фотопика от радионуклида 137Cs. Результаты измерений приведены в таблице 4.19.
Из приведенных данных видно, что p-i-n-структуры имеют существенно меньший ток чем МПМ структуры, что позволяет получить на их основе детекторы с более высоким энергетическим разрешением.
На рисунке 4.47 приведены спектры р-і-п-детектора.
На этапе отбора материала для изготовления экспериментальных образцов детекторов проведены измерения характеристик для расчета произведения подвижности на время жизни. Результаты приведены в таблицах 4.20 - 4.21.
Таблица 4.19. Результаты измерения напряжения регистрации
фотопика от 137Cs
| Номер образца | Номер детектора/тип | Темновой ток, нА | Напряжение смещения, В |
| KT 10-49 № 5-11 | 01 МПМ | 30 | 210 |
| КЦТС 10-41 №8 | 02 МПМ | 80 | 300 |
| KT 09-11 №6 | 03 МПМ | 92 | 350 |
| 19728/2 CdZnTe | 04 МПМ | 30 | 480 |
| 0903-1302-41 | 05 МПМ | 42 | 50 |
| 0903-1302-33 | 06 p-i-n | 0.4 | 700 |
| 0903-1302-34 | 07 p-i-n | 0.8 | 600 |
| 19728/1 CdZnTe | 08 p-i-n | 0.6 | 700 |
| 19785 CdZnTe | 09 p-i-n | 0.9 | 700 |
| 0903-1302-49/50 | 10p-i-n | 0.6 | 800 |
Таблица 4.20.
Темновой ток при положительном и отрицательномсмещении детектора CdZnTe «Redlen»
| и, V | 10 | 20 | 50 | 100 |
| I + , nA | 0.12 | 0.32 | 0.86 | 1.72 |
| InA | 0.12 | 0.29 | 0.79 | 1.62 |
Таблица 4.21. Положение центроид пиков при положительном и отрицательном смещении детектора CdZnTe «Redlen»
| и, V | A1 | Аз | Асреднее |
| -39 | 1696,2 | 2010,07 | 1842,7 |
| -58,5 | 1872,88 | 2184,48 | 2034,44 |
| -78 | 1943,9 | 2258,5 | 2114,03 |
| - 117 | 2012,1 | 2319,1 | 2177,04 |
| - 156 | 2033,7 | 2341,38 | 2196,27 |
| -234 | 2044,04 | 2350,42 | 2209,28 |
Примечание: ∆i , Δ3- положение центроиды пика 1 и пика 3 соответственно;
Рисунок 4.47. Спектры р-і-и-детектора
C помощью выражения для сбора носителей заряда (с учетом того, что
эффективность сбора заряда Т] определяется как
Считая, что в случае кремниевого детектора осуществляется сбор носителей, близкий к 100 %, получаем оценочное значение μτ для электронов равное 3,74∙10^1cm2∕B и оценочное значение μτдля дырок 1,21 IO5cm2∕B .
4.4.10.
Еще по теме Характеристики МПМ и р-і-п-детектирующих структур:
- Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
- Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
- Технологические аспекты изготовления детектирующих структур на основе кристаллов
- Разработка методики изготовления детектирующих структур
- 1. Структура и характеристика основных элементов финансового рынка. Место банков в этой структуре
- ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe
- 1. Понятие и структура криминалистической характеристики детоубийств
- Другие аналитические характеристики структуры
- § 1. Структура и содержание криминалистической характеристики получения взятки в системе высшего образования
- Дефекты кристаллической структуры (общая характеристика и основная классификация)