Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ

Исторически первыми были созданы планарные CdTe и CdZnTe детекторы фотонного излучения, имеющие структуру МПМ в силу простоты технологии изготовления и их использования. Применение планарных CdZnTe вместо CdTe при комнатной температуре может быть предпочтительнее в некоторых случаях из-за более низкого уровня токов утечки детекторов.

В результате достигнутого прогресса в технологии выращивания кристаллов CdZnTe были изготовлены детекторы большого объема (10 см²) с толщиной более 1 см [9]. Основной фактор, сдерживающий использование МПМ детекторов таких размеров, - это неполный сбор дырочных носителей при регистрации гамма-излучения с энергией более 200 кэВ, что приводит к деградации фотопика и уменьшению фактической эффективности регистрации 111111. Поэтому для использования CdZnTe в целях регистрации гамма-излучения в диапазоне энергий до 1,5-3 МэВ были предложены другие конструкции детекторов, которые будут рассмотрены ниже. При дальнейшем увеличении объема CdZnTe детекторов шумы детекторов, обусловленные токами утечки, могут стать доминирующим фактором, ограничивающим их использование при комнатной температуре. Промышленное производство

планарных детекторов объемом 500 мм³ освоено ведущими фирмами- изготовителями («eV Microelectronics и «Redlen»).

1.3.2.