Поглощение излучения в материале детектора
При прохождении гамма кванта через материал детектора его электромагнитное поле взаимодействует с электрически заряженными электронами и ядрами. В результате этого взаимодействия происходит полная или частичная передача энергии гамма-кванта.
Интенсивность гамма- излучения по мере его прохождения падает в соответствии с законом
где I - интенсивность гамма-излучения, I0- интенсивность после прохождения слоя x,μ-линейный коэффициент ослабления излучения.
Процессы взаимодействия удобно рассматривать с помощью сечения взаимодействия σ гамма-квантов на одном атоме поглотителя. Если п - число атомов поглотителя на см'3, то сечение взаимодействия и линейный коэффициент ослабления связаны соотношением μ = n∙σ.
Существуют три основных эффекта, в результате которых происходит поглощение энергии гамма-излучения:
- фотоэлектрическое поглощение с сечением поглощения σph
- комптоновское рассеяние с сечением рассеяния σc;
- рождение электрон-позитронной пары с сечением процесса σp.
Поэтому суммарное эффективное сечение взаимодействия можно представить как
Другие эффекты, связанные с поглощением энергии гамма-кванта ядром, имеют порог ядерного фотоэффекта более 6 МэВ (соответствует энергии связи нуклона). Вероятность этих процессов гораздо меньше по сравнению с процессом образования электрон-позитронных пар, поэтому их вклад пренебрежимо мал и влияние этих процессов можно не учитывать.
Возникающие в результате указанных эффектов быстрые электроны и позитроны теряют свою энергию при ионизации атомов материала поглотителя и посредством испускания тормозного излучения. Кроме того, небольшой вклад в потери энергии вносит упругое рассеяние электронов и позитронов на электронах (Мёллеровское рассеяние и рассеяние Баба). Позитроны кроме этого могут терять энергию при их аннигиляции C электронами среды с испусканием двух гамма- квантов с энергией более 511 кэВ, сопровождаемых иногда дополнительными гамма-квантами.
В CdTe и CdZnTe вероятность эффектов взаимодействия гамма-квантов с атомами /-го материала равна
где ni- концентрация /-го элемента.
3.1.1.
Еще по теме Поглощение излучения в материале детектора:
- Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
- 3.11. Детекторы рентгеновского излучения
- 2.3 Поглощение ИК - излучения в монокристаллах германия
- Возможность аномально высокого поглощения излучения образцом
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
- 1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы
- Ионизирующие излучения Общие сведения об ионизирующих излучениях. Источники ионизирующих излучений
- Рогалин Владимир Ефимович. Стойкость материалов силовой оптики к воздействию мощных импульсов излучения CO2- лазеров. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Тверь - 2015, 2015
- 3.2. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
- Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
- Коэффициенты поглощения, рассеяния и ослабления
- Поглощение
- Слияния и поглощения
- Области применения детекторов CdTe, CdZnTe