<<
>>

Поглощение излучения в материале детектора

При прохождении гамма кванта через материал детектора его электромагнитное поле взаимодействует с электрически заряженными электронами и ядрами. В результате этого взаимодействия происходит полная или частичная передача энергии гамма-кванта.

Интенсивность гамма- излучения по мере его прохождения падает в соответствии с законом

где I - интенсивность гамма-излучения, I0- интенсивность после прохождения слоя x,μ-линейный коэффициент ослабления излучения.

Процессы взаимодействия удобно рассматривать с помощью сечения взаимодействия σ гамма-квантов на одном атоме поглотителя. Если п - число атомов поглотителя на см'3, то сечение взаимодействия и линейный коэффициент ослабления связаны соотношением μ = n∙σ.

Существуют три основных эффекта, в результате которых происходит поглощение энергии гамма-излучения:

- фотоэлектрическое поглощение с сечением поглощения σph

- комптоновское рассеяние с сечением рассеяния σc;

- рождение электрон-позитронной пары с сечением процесса σp.

Поэтому суммарное эффективное сечение взаимодействия можно представить как

Другие эффекты, связанные с поглощением энергии гамма-кванта ядром, имеют порог ядерного фотоэффекта более 6 МэВ (соответствует энергии связи нуклона). Вероятность этих процессов гораздо меньше по сравнению с процессом образования электрон-позитронных пар, поэтому их вклад пренебрежимо мал и влияние этих процессов можно не учитывать.

Возникающие в результате указанных эффектов быстрые электроны и позитроны теряют свою энергию при ионизации атомов материала поглотителя и посредством испускания тормозного излучения. Кроме того, небольшой вклад в потери энергии вносит упругое рассеяние электронов и позитронов на электронах (Мёллеровское рассеяние и рассеяние Баба). Позитроны кроме этого могут терять энергию при их аннигиляции C электронами среды с испусканием двух гамма- квантов с энергией более 511 кэВ, сопровождаемых иногда дополнительными гамма-квантами.

В CdTe и CdZnTe вероятность эффектов взаимодействия гамма-квантов с атомами /-го материала равна

где ni- концентрация /-го элемента.

3.1.1.

<< | >>
Источник: СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Поглощение излучения в материале детектора:

  1. Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
  2. 3.11. Детекторы рентгеновского излучения
  3. 2.3 Поглощение ИК - излучения в монокристаллах германия
  4. Возможность аномально высокого поглощения излучения образцом
  5. Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
  6. Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
  7. Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
  8. 1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы
  9. Ионизирующие излучения Общие сведения об ионизирующих излучениях. Источники ионизирующих излучений
  10. Рогалин Владимир Ефимович. Стойкость материалов силовой оптики к воздействию мощных импульсов излучения CO2- лазеров. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Тверь - 2015, 2015
  11. 3.2. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
  12. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
  13. Коэффициенты поглощения, рассеяния и ослабления
  14. Поглощение
  15. Слияния и поглощения
  16. Области применения детекторов CdTe, CdZnTe