<<
>>

Области применения детекторов CdTe, CdZnTe

На базе неохлаждаемых детекторов создан ряд перспективных аналитических приборов, которые благодаря малым габаритам, низкому энергопотреблению, широкому диапазону рабочих температур и высоким метрологическим характеристикам, находят применение в задачах контроля ядерных материалов в МАГАТЭ, таможенного контроля, задач мониторинга технологических параметров на АЭС.

Детектирующие структуры на основе широкозонных полупроводников также позволяют создавать мозаичные детекторы, что играет существенную роль при разработке медицинских приборов и приборов для исследования космического пространства.

Области применения CdTe и CdZnTe детекторов приведены в таблице 1.1.

Таблица 1.1. Области применения CdTe и CdZnTe

Области применения аппаратуры на ППД из CdTe и CdZnTe
Атомная энергетика Изготовление ТВЭЛов Контроль однородности урана в ТВЭЛах
Реакторы Контроль при пуске реактора по потоку нейтронного и гамма-излучения
Определение повреждения оболочек ТВЭЛов и наличия прогрессирующих процессов
Контроль газовых сред
Регулировка положения стержней по потоку нейтронов
Регенерация топлива Контроль примесей и содержания урана / плутония
Учёт и контроль топлива Контроль оборота ЯМ и ДРВ
Получение урана Поиск месторождений Определение зон с повышенным фоном
Пешеходный / автомобильный / самолётный поиск
Разведка месторождения Определение концентрации в месте залегания
Оконтуривание границ месторождения
Каротаж скважин
Лабораторный анализ проб
Обогащение руд Отбор руды из породы
Сортировка руд по категориям
Контроль за содержанием урана в растворах и пульпе
Получение урана Контроль за количеством примесей
Изотопная техника Изготовление изотопов Контроль содержания изотопов и их селективного выделения
Измерение активности изотопов
Поиск полезных / разработка ископаемых Активационный анализ
Рентгено-радиометрический анализ золота и платиноидов в образцах руд
Аэрокосмическая отрасль Г амма-альтиметр
Г амма-локация
Медицина Определение содержания изотопов в тканях
Дозировка излучения при терапии
Диагностика
Биология Распределение изотопов в тканях
Определение усвояемости веществ
Химия Контроль интенсивности излучения
Разделение изотопов
Автоматизация Контроль за износом покрытий / толщиномер
Дефектоскопия
Гамма-реле
Концентратомер
Г амма-уровнемер
Г амма-плотномер

ю ω r,.

& о

S « C ей

Радиационная разведка местности (выполнение норм НРБ-99 и ОСПОРБ) Определение степени загрязнённости техники, одежды, продовольствия
О Щ О Индивидуальный дозиметрический контроль
S Исследования по термоядерному синтезу
ω щ л Й Исследования на ускорителях Космические исследования
ё

К 5 Q S

Исследования продуктов ядерных реакций
H Ж Контроль захоронения отходов производств
Защита ( излучені Определение загрязнения поверхностей Дозиметрия на рабочих местах

Контроль активности сточных вод / выбросов газов

1.2.

<< | >>
Источник: СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Области применения детекторов CdTe, CdZnTe:

  1. Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
  2. Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
  3. Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
  4. ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МИРОВОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe
  5. Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
  6. Тенденции развития мирового приборостроения на основе CdTe, CdZnTe
  7. ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК CdTe, CdZnTe
  8. Разработка комплексной методики исследования характеристик монокристаллов CdTe и CdZnTe
  9. Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe
  10. Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
  11. ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe
  12. 5.1. Измерение технических характеристик детекторов копланарной конструкции на основе CdZnTe
  13. ГЛАВА 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА СБОРА ЗАРЯДА И ФОРМИРОВАНИЯ АМПЛИТУДНОГО СПЕКТРА В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-КВАНТАМИ
  14. СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
  15. Смирнов Александр Александрович. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
  16. 1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы