1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы
Копланарный детектор, как было упомянуто, впервые был предложен в 1995 г. Его анод состоит из пары параллельных вложенных вдруг друга стриповых «гребенок». Потенциалы, поданные на аноды относительно катода, различаются на небольшую величину, которая гораздо меньше напряжения смещения.
Электрод с более высоким потенциалом служит для собирания заряда, другой электрод служит для подавления индукции заряда, обусловленной движением дырок. При движении дырок к катоду они индуцируют на анодах одинаковые сигналы. При движении электрона в непосредственной близости от анодной плоскости он дрейфует к электроду C более высоким потенциалом и сигнал от собирающихся электронов быстрорастет. При этом чистый сигнал, получающийся при вычитании анодных сигналов друг из друга не зависит от вклада дырочных носителей.
Для компенсации захвата электронов обычно используется подстройка усиления анодных сигналов до подачи на схему вычитания. На копланарном CdZnTe детекторе объемом 2,3 см3 было получено энергетическое разрешение около 1,6% по линии Cs137 662 кэВ. Несмотря на полученные результаты, необходимо учитывать ряд факторов, сдерживающих их применение. К ним можно отнести:
- сложность конструкции. Для получения хороших величин энергетического разрешения необходимость искать оптимальные конструктивные и геометрические характеристики анодных электродов;
- высокие требования к однородности материала;
- используемая электронная компенсация зависит от температуры. Это обстоятельство может влиять на ограниченный температурный диапазон детекторов.
Еще по теме 1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы:
- Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
- 5.1. Измерение технических характеристик детекторов копланарной конструкции на основе CdZnTe
- Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
- 3.2. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
- Моделирование процесса сбора заряда и влияния электрофизических характеристик на формирование спектра в детекторах
- Исследование глубоких центров захвата и рекомбинации неравновесных носителей заряда в детекторах
- 3.11. Детекторы рентгеновского излучения
- Области применения детекторов CdTe, CdZnTe
- Измерение распределения электрического поля в детекторе
- Поглощение излучения в материале детектора
- Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- Измерение удельного сопротивления. Определение объемной и поверхностной составляющей токов утечки детекторов
- Объемный заряд электронного газа