<<
>>

Измерение распределения электрического поля в детекторе

Распределение электрического поля внутри детектора оказывает большое влияние на собирание носителей. Известно несколько способов для характеризации поля в детекторах CdTe и CdZnTe.

Прямой и наиболее мощный метод основан на электрооптическом эффекте и широко используется при измерении распределения поля [21, 22]. CdTe и CdZnTe относятся к группе кристаллических материалов, в которых наблюдается электрооптический эффект, заключающийся в изменении плоскости поляризации света, проходящего через полупроводник, пропорционально напряженности электрического поля. Если фокусировать ИК свет вдоль поверхности, то можно измерять распределения электрического ПОЛЯ C пространственным разрешением вплоть до 20 мкм.

Другой метод - метод переходных токов [23] - основан на измерении токовых импульсов, разрешенных во времени, возникающих при индуцировании сигнала на электроде. В соответствии с теоремой Рамо [11] токовый импульс связан с полем как:

Регистрация токовых импульсов осуществляется с помощью быстрого токового предусилителя.

Третий метод использует зависимость собранного заряда в зависимости от места возникновения неравновесного заряда х0, полученную сканированием возбуждающего пучка протонов. Выражение для собранного заряда можно записать как:

где λeи λh -средние длины дрейфа электронов и дырок связаны с временем жизни и скоростью дрейфа электронов и дырок как:

Решение (1.9) относительно поля E само по себе является сложной задачей. Существуют подходы его решения, связанные с моделированием отклика детектора методом Монте-Карло, либо численным дифференцированием уравнения [24].

Результаты главы опубликованы в работе [А 12].

<< | >>
Источник: СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Измерение распределения электрического поля в детекторе:

  1. Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
  2. Напряжённость электрического поля
  3. 7.1.1. Зависимость ЭЭГ от электрического поля Земли
  4. 5.1. Измерение технических характеристик детекторов копланарной конструкции на основе CdZnTe
  5. 2.11. Энергия электрического поля
  6. Средства измерения электрических величин
  7. 2.1 Электрические заряды, поля и силы.
  8. Измерение удельного сопротивления. Определение объемной и поверхностной составляющей токов утечки детекторов
  9. 7.1 Зависимость ЭЭГ от магнитного и электрического поля Земли
  10. 4.2. Обобщение Максвеллом закона электромагнитной индукции. Гипотеза о существовании вихревого электрического поля
  11. 2.6 Трехфазный ток. Генерация, передача, распределение и потребление электрической энергии
  12. 1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы
  13. Электрический ток, электрические сети, электроустановки как источники опасности поражения электрическим током Источники повышенной опасности электротравматизма
  14. 3.11. Детекторы рентгеновского излучения
  15. 3.2. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
  16. 7.4 р-адическая квантовая теория поля 7.4.1 р-Адическая теория поля и евклидова теория поля
  17. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
  18. Распределение Пирсона (или “хи”-квадрат распределение)