Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
Дальнейшее моделирование выполнялось аналитически на основе данных, полученных для каждого исходного гамма-кванта с энергией Wo. Сбор заряда в детекторе учитывался на трехмерной координатной сетке с шагом Т.
В результате взаимодействия фотона с материалом детектора и окружающих его конструктивных элементов производился расчет 61трехмерной матрицы неравновесного заряда Qljmв объеме детектора. Индекс m относится к оси OZ, направлению параллельному толщине детектора.
Неравновесный заряда в ячейке материала детектора рассчитывался исходя из величин поглощенной энергии Wи энергии образования пары е:
Эффективность сбора заряда ηрассчитывалась для планарного детектора по уравнению Гехта из условия постоянного поля Eи отсутствию обратного выброса носителей [13]:
где
- подвижность, время захвата электрона и дырки на ловушку
соответственно, h - толщина детектора.
Для исходной конфигурации с заданными транспортными характеристиками μe,τe, μp,τpвычислялась матрица эффективности сбора
Расчет индуцированного заряда на электроде Q = Qe + Qpвыполнялся суммированием по всем ячейкам сетки:
Баллистический эффект учитывался проверкой соотношения времен пролета электронов teи дырок tpсо временем формирования tF.Например, заряд, индуцированный в результате движения дырки (при отсутствии его захвата), равен:
3.4.6.
Еще по теме Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе:
- 3.2. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
- Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
- 1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
- Моделирование процесса сбора заряда и влияния электрофизических характеристик на формирование спектра в детекторах
- Исследование глубоких центров захвата и рекомбинации неравновесных носителей заряда в детекторах
- Лекция 3. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда
- 8. Индуцированные топологии и фактортопология
- Планарные графы
- 3.11. Детекторы рентгеновского излучения
- Борьба с аберрациями, индуцированными ЛАСИК
- §2.4. Раскраски графов. Планарность