<<
>>

Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе

Дальнейшее моделирование выполнялось аналитически на основе данных, полученных для каждого исходного гамма-кванта с энергией Wo. Сбор заряда в детекторе учитывался на трехмерной координатной сетке с шагом Т.

В результате взаимодействия фотона с материалом детектора и окружающих его конструктивных элементов производился расчет 61

трехмерной матрицы неравновесного заряда Qljmв объеме детектора. Индекс m относится к оси OZ, направлению параллельному толщине детектора.

Неравновесный заряда в ячейке материала детектора рассчитывался исходя из величин поглощенной энергии Wи энергии образования пары е:

Эффективность сбора заряда ηрассчитывалась для планарного детектора по уравнению Гехта из условия постоянного поля Eи отсутствию обратного выброса носителей [13]: где- подвижность, время захвата электрона и дырки на ловушку

соответственно, h - толщина детектора.

Для исходной конфигурации с заданными транспортными характеристиками μee, μppвычислялась матрица эффективности сбора

Расчет индуцированного заряда на электроде Q = Qe + Qpвыполнялся суммированием по всем ячейкам сетки:

Баллистический эффект учитывался проверкой соотношения времен пролета электронов teи дырок tpсо временем формирования tF.Например, заряд, индуцированный в результате движения дырки (при отсутствии его захвата), равен:

3.4.6.

<< | >>
Источник: СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе:

  1. 3.2. Сбор индуцированного заряда в планарном детекторе
  2. Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
  3. 1.3.4 Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Копланарные детекторы
  4. Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
  5. Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
  6. Моделирование процесса сбора заряда и влияния электрофизических характеристик на формирование спектра в детекторах
  7. Исследование глубоких центров захвата и рекомбинации неравновесных носителей заряда в детекторах
  8. Лекция 3. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда
  9. 8. Индуцированные топологии и фактортопология
  10. Планарные графы
  11. 3.11. Детекторы рентгеновского излучения
  12. Борьба с аберрациями, индуцированными ЛАСИК
  13. §2.4. Раскраски графов. Планарность