Измерение удельного сопротивления. Определение объемной и поверхностной составляющей токов утечки детекторов

Удельное сопротивление материала является его важнейшей характеристикой, а стандартным методом его измерения является метод

Ван-дер-Пау. Наиболее простые измерения проводятся на плоских образцах квадратной формы, на углы которых наносятся омические контакты.

где S-площадь центрального электрода и I- ток утечки, протекающий через него.

При определении удельного сопротивления необходимо учитывать существование барьера Шоттки на электродах из-за разницы работы выхода металла и электронным сродством. Идеальная вольт-амперная термоионная зависимость диода Шоттки с учетом последовательного сопротивления Rs имеет вид:

где Is - ток насыщения.

Для высокоомного полупроводника влияние барьеров будет ограничиваться в диапазоне напряжений, в котором токи ограничиваются последовательным сопротивлением, и поведение полупроводника будет иметь квазиомический характер. Поэтому точное и надежное определение удельного сопротивления в высокоомных образцах CdTe и CdZnTe

необходимо проводить при малых напряжениях, работая при очень малых уровнях тока [15].

Измерение температурной зависимости проводимости несет информацию о механизме проводимости и глубоких центрах, контролирующих уровень Ферми в CdTe и CdZnTe.

Применение двух и четырех зондовых методов измерения проводимости удобно использовать при контроле технологических операций.

2.5.