<<
>>

4.4.1. Измерение BAX и удельного сопротивления образцов

На образцах измерялись BAX при комнатной температуре. Типичные зависимости для образцов различных производителей приведены на рисунке 4.7 и рисунке 4.8. Как видно из рисунка 4.7, вольт-амперные характеристики для указанных полуизолирующих образцов CdTe линейные и симметричные.

Контакты на этих детекторах можно характеризовать как квазиомические, при этом на некоторых образцах наблюдали диодную ВАХ, что свидетельствует о выпрямляющих свойствах контактов. Напротив, BAX полуизолирующих детекторов CdZnTe имеют, как правило, характеристики квазидиодов Шоттки, включенных навстречу друг другу.

Удельное сопротивление р определялось как:

где Snh-площадь центрального электрода и толщина образца, I - ток утечки, протекающий через него.

Рисунок 4.7. BAX для образцов CdTe «Acrorad» (№ 37) и «Гиредмет» (№ 11-19)

При определении удельного сопротивления на образцах с явным нелинейным поведением необходимо учитывать существование барьера Шоттки на электродах. Идеальная вольт-амперная характеристика диода Шоттки с учетом последовательного сопротивления Rsможет быть записана как: где Is-ток насыщения.

Для точного определения удельного сопротивления в исследованных высокоомных образцах CdTe и CdZnTe измерения проводились при малых напряжениях (не более 10 В) и, в некоторых случаях, не более 1 В, когда поведение полупроводника имеет квазиомический характер. Рассчитанные величины удельного сопротивления при температуре 22 oC указаны в таблицах 4.3-4.5. В этих таблицах также приведены величины дифференциальных сопротивлений при положительных и отрицательных напряжениях, и для сравнения уровня токов утечки разных образцов, плотность тока при электрическом поле 600 В/см.

Рисунок 4.8.

BAX для образцов CdZnTe «Redlen» (№ 28299) и «CrystalsNord» (№3)

Таблица 4.3. Результаты измерения удельного сопротивления на детекторах CdTe

Фирма Номер образца Размеры, мм R(-), ГОм R(+), ГОм Уд.сопротивле ние р, Ом см Плотность тока J, нА/см2

E=600 В/см

1 «Г предмет» 10-16 4,9?4,9?1,9 0,28 0,275 2,80∙ IO8 2189
2 «Г предмет» 7-16 4,9?4,9?1,9 0,217 0,202 2,15∙108 2769
3 «Г предмет» 4-16 4,9?4,9?2 0,16 0,18 l,63∙108 3589
4 «Г предмет» 14-13 4,2?4,2?1,1 1,8 6,89∙ IO8 1141
5 «Г предмет» 8-13 4,3?4,3?1,2 4,9 4,5 6,62∙ IO8 805
5 « Acr orad » 903-35 5?10?3 1,3 1,46 2,25∙ IO9 226
6 «Acrorad» 903-37 5?10?3 1,75 1,55 2,80∙ IO9 187

Таблица 4.4.

Результаты измерения удельного сопротивления на детекторах CdZnTe «CrystalsNord»
Номер образца Размеры, мм R(-), ГОм R(+), ГОм Уд.сопротивление р.

Ом см

Плотность тока нА/см2 E=600 В/см
1 3 2,5?2,5?4 169 337 2,57∙101° 14,3
2 4 0,8?3,8?2,5 83,1 86,3 l,30∙101° 51,9
3 5 1,2?3,7?2,2 43,3 49,8 8,IO-IO9 58,5

Таблица 4.5. Результаты измерения удельного сопротивления на детекторах CdZnTe производства «Redlen»

Фирма Номер образца Размеры,мм R(-),

ГОм

R(+),

ГОм

Уд.сопроти вление р, Ом см Плотность тока J, нА/см2

E=600 В/см

1 «Redlen» 13038 10?10?5 285 120 5,05∙101° 2,46
2 «Redlen» 13043 10?10?5 156 87 5,04∙101° 2,32
3 «Redlen» 27074 10?10?5 120 342 2,63∙101° 3,35
4 «Redlen» 27078 10?10?5 120 69 3,43∙101° 3,05
5 «Redlen» 27217 10?10?5 128 205 2,58∙101° 3,07
6 «Redlen» 28246 10?10?5 217 181 3,25∙101° 2,24
8 «Redlen» 28261 10?10?5 124 165 2,75∙101° 2,64
И «Redlen» 28288 10?10?5 65 98 3,78∙101° 3,70
12 «Redlen» 28299 10?10?5 133 163 3,Ol-IO10 2,66
13 «Redlen» 28308 10?10?5 47 89 4,67∙101° 4,00
14 «Redlen» 28262 10?10?5 132 211 5,96∙101° 2,33

4.4.2.

<< | >>
Источник: СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме 4.4.1. Измерение BAX и удельного сопротивления образцов:

  1. Измерение удельного сопротивления. Определение объемной и поверхностной составляющей токов утечки детекторов
  2. 24.1. Метод определения удельного электрического сопротивления
  3. Удельное сопротивление среды
  4. Удельное сопротивление трения
  5. 2.15. Удельное сопротивление
  6. Удельное сопротивление от подъема
  7. Измерение транспортных и вольт-амперных характеристик образцов
  8. Измерение шероховатости поверхности исследуемого образца
  9. Разработка средств и методов автоматизированного измерения электрофизических параметров образцов R-C-NR ЯЭФП
  10. Вторичные преобразователи, используемы для измерений сопротивления терморезистивных преобразователей.
  11. Описание нелинейности BAX и эффекта переключения
  12. Сопротивление движению транспортных средств