Измерение транспортных и вольт-амперных характеристик образцов
На отобранных образцах производилось измерение транспортных характеристик носителей μτeи μτp.Номера образцов и их характеристики указаны в таблице 4.12.
Измерения показали хорошую воспроизводимость методики измерения μτ.Сбор заряда исследовался при облучении образцов источниками альфа-излучения с радионуклидом 239Pu.Таблица 4.12. Транспортные характеристики исследованных детекторов
| Образец | Материал | Фирма | Метод выращивания | μτe, cm2∕B | μτp, cm2∕B |
| №1 | CdTe | «Acrorad» | THM | 2,2∙ IO'3 | 9,2∙ IO'5 |
| №2 | CdTe | «Г предмет» | HPBM | 1,3 10^3 | 9∙ IO'5 |
| №10 | CdZnTe | «Г предмет» | HPBM | TTc5 | IlO'5 |
| №3 | CdTe | «Acrorad» | THM | 1,5∙ IO'3 | 9-Ю'5 |
| №4 | CdZnTe | « Redl еп» | THM | 1,4∙ IO'3 | 2-Ю'5 |
| №5 | CdZnTe | « Redl еп» | THM | 1,7∙ IO'3 |
На образцах детекторов измерялись при комнатной температуре вольт-
амперные характеристики (ВАХ).
Измеренные BAX некоторых образцов представлены на рисунке 4.26. Видно, что образец №1 самый низкоомный, а контакты, в первом приближении, можно считать омическими. Сопротивление образца в темноте минимально при первом измерении BAX и вырастает после термической активация глубоких центров при нагреве образца в процессе измерений спектров ТРСГУ (до температур 360-390К) в
4-5 раз. После засветки образца №2 белым светом его сопротивление уменьшилось примерно до исходного значения (см. рисунок 4.27).
Рисунок 4.26. BAX при комнатной температуре
Рисунок 4.27. Влияние предыстории на ВАХ. 1 - первое измерение ВАХ; 2 -
BAX после измерений спектров ТРСГУ; 3 - BAX после засветки образца светом 660 нм; 4 - BAX через 20 минут после засветки образца светом 660 нм
Измерение температурных зависимостей темновой проводимости
В процессе измерений выяснилось, что сопротивление образцов №2 и №10 меняется в процессе измерений (рисунки 4.28 и 4.29): сопротивление и энергия активации темновой проводимости растут после нагрева до температур 350-400 К.
На рисунке 4.30 приведены температурные зависимости для четырех образцов в состоянии после отжига до температур 380 К. Из рисунков 4.28 и 4.24 видно, что образцы №2 и №10 обладают очень близкими сопротивлениями и энергиями активации темновой проводимости, несмотря на то, что один из них изготовлен из CdTe, а другой из CdZnTe.
Рисунок 4.28. Влияние предыстории на температурные зависимости тока (образец № 2)
Температурные зависимости тока для образцов № 1 и № 3, изготовленных фирмой «Acrorad», существенно отличаются: в обоих образцах при низких температурах энергия активации проводимости равна 0.32-0.33 эВ, а при высоких температурах в образце № 3 она равна 0.82 эВ.
По-видимому, концентрация центров 0.32 эВ в образце № 3 ниже, чем в образце № 1. Отличается и поведение этих образцов при температурных циклах нагрева-охлаждения - их сопротивление изменилось гораздо меньше.
C другой стороны, зависимость тока от температуры в образце №3 не воспроизвелась: первое измерение при 40 В показало два наклона в зависимости Ig(I) от 1000/Т (0.33 эВ и 0.82 эВ), а в последующих измерениях (при напряжениях 4 В) обнаружен только один наклон, соответствующий энергии активации 0.81 эВ.
Рисунок 4.29. Влияние предыстории на температурные зависимости тока
(образец №10)
Рисунок 4.30. Температурные зависимости темнового тока
На рисунке 4.31 приведены температурные зависимости величины темнового тока для образца №5 CdZnTe («Redlen»).
Рисунок 4.31. Температурная зависимость темнового тока образца №3
4.4.6.
Еще по теме Измерение транспортных и вольт-амперных характеристик образцов:
- Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - золото
- Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - серебро
- Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - хром
- Вольт-амперные характеристики пленок PZT
- Полная вольт-амперная характеристика перехода
- Лекция 13. Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику перехода
- Обратная ветвь вольт-амперной характеристики перехода
- Сравнительный анализ вольт-амперных характеристик
- 4.4.1. Измерение BAX и удельного сопротивления образцов
- Вольт-фарадные характеристики пленок PZT
- 3.2.1. Вольт-фарадные характеристики
- Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Измерение шероховатости поверхности исследуемого образца
- Вольт-фарадные характеристики и тангенс угла диэлектрических потерь
- Разработка средств и методов автоматизированного измерения электрофизических параметров образцов R-C-NR ЯЭФП