Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - хром

Нами было изучено влияние параметров туннельной системы на вид BAX на примере модельной системы острие (вольфрам) - образец (хром на стекле). На рис. 72 приведены результаты серии измерений ВАХ, сделанных без замены острия.

Рис. 72. Кривые BAX серии измерений контакта вольфрам - хром.

Фактически полученные результаты хорошо коррелируют с данными, полученными для золота, где в качестве подложки использовался поликарбонат [242]. В данном случае термический разогрев острия, вызванный энергией, выделяющейся в приповерхностной области острия в процессе туннелирования электронов (термическое расширение острия, связанное с выделением энергии

Джоуля - Ленца, и термическое расширение острия, связанное с выделением энергии Ноттингама) [168], при напряжениях порядка U = ±0,8 В приводит в к уменьшению тока (по абсолютной величине) практически на 35% как для правой, так и для левой ветки ВАХ. Этот эффект также оказывает влияние на форму BAX туннельного барьера, т.к. ширина зазора зависит от приложенного напряжения. Насколько сильно влияние описанных выше эффектов на ВАХ, можно видеть из сравнения черной и голубой кривых (см. рис. 72) во всем диапазоне напряжений. При этом, в частности, в [247] в частности показано, что геометрия зонда, а также расстояние между его вершиной и поверхностью образца являются ключевыми факторами, определяющими межмолекулярные и поверхностные силы взаимодействия, что может оказывать влияние на определяемые в эксперименте характеристики. Вопрос, насколько сильно влияние описанных выше эффектов на ВАХ, требует дополнительного рассмотрения и, по нашему мнению, зависит прежде всего от выбранных экспериментальных образцов и типа рельефа их поверхности.

Отметим, что для исследования морфологических и фрактальных характеристик металлических пленок в качестве подложек мы использовали ювенильную поверхность слюды и высокого качества шлифованное стекло. C одной стороны это позволило избежать актефактов, связанных с повтором рельефа подложки, возможность которого отмечена в [234, 242], с другой стороны это позволяет нам предполагать, что на механизм образования фрактальных структур в данном случае подложка если и влияет, то только на первом этапе формирования пленки, при этом, например, как отмечено в работе [250] при моделировании эпитаксиального роста субмикронных островковых пленок характерно проявления механизма Фольмера-Вебера.

3.8.