Глава 3. Исследование морфологии рельефа, фрактальных свойств поверхности и электрических характеристик контакта зонд-образец для наноразмерных металлических пленок на диэлектрических подложках методом сканирующей туннельной микроскопии
Физически адекватная конфигурация электронной схемы сканирующего туннельного микроскопа играет важную и во многом определяющую роль в формировании изображений поверхности с разрешением атомного масштаба.
Апробация устройства при туннельном контакте между сканирующим зондом и образцом может привести как к исследованию исходной поверхности, так и к ее механическому нарушению, а в некоторых случаях является методикой целенаправленного переноса одного или группы атомов [195]. Таким образом, использование моделирование электрических характеристик туннельного перехода делает тестирование электронной схемы более надежным и увеличивает повторяемость результатов.В работе [196] описан теоретический подход, позволяющий правильно подобрать схему электронных компонентов, который используется своего рода как симулятор туннельного контакта. Кроме того, в целях практического использования предлагаемого симулятора и его применение в метрологическом плане подробно описана структура (электронная схема) сканирующего туннельного микроскопа.
В ряде монографий и диссертаций зарубежных авторов (отметим в частности [197]) исследование BAX контакта зонд-образец (есть даже специальный термин tip spectroscopy)предваряют и являются необходимым для получения достаточного разрешения при изучении поверхности, оценки влияния шумов и настройки соответствующих фильтров в CTM.
Еще по теме Глава 3. Исследование морфологии рельефа, фрактальных свойств поверхности и электрических характеристик контакта зонд-образец для наноразмерных металлических пленок на диэлектрических подложках методом сканирующей туннельной микроскопии:
- О методике подготовки образцов для изучения фрактальной размерности и электрических свойств контакта зонд-образец с помощью сканирующего туннельного микроскопа
- Глава 1. Современное состояние исследованийв области изучения морфологических характеристик наночастиц и электрических характеристик туннельного контакта зонд-образец методами атомной, зондовой и туннельной микроскопии
- 3.3 Сопоставление результатов по исследованию фрактальных свойств наноразмерных пленок золота, серебра: атомно-силовая и туннельная микроскопия
- Исследование электрических характеристик туннельного контакта зонд-образец
- 3.1. Исследование морфологии рельефа и фрактальных свойств образца «золото на слюде»
- Исследование морфологии рельефа и фрактальных свойств образца «серебро на слюде»
- Оценка размерного и температурного интервала штатного функционирования сканирующего туннельного микроскопа для изучения отдельных участков поверхности
- Компьютерное моделирование процесса взаимодействия зонда силового туннельного микроскопа с образцом на примере системы медь (зонд) - золото (образец)
- Глава 2. Технологические основы современных сканирующих зондовых микроскопов. Обзор основных методик туннельной микроскопии. Нанотехнологический комплекс «YMKA-02G»
- Глава 4. Исследования диэлектрических, пироэлектрических и пьезоэлектрических свойств тонких пленок ЦТС
- 1.5 Об обработке изображений, полученных сканирующим туннельным микроскопом «УМКА - 02G»
- Оптическая микроскопия поверхности пленок
- 4.2 Исследование самополяризованного состояния и локальной поляризации тонких пленок ЦТС методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика.
- Принципы работы сканирующих зондовых микроскопов. Метод постоянного тока и метод постоянной высоты
- Расчет электрофизических характеристик многослойных наноразмерных пленок и покрытий
- О взаимосвязи между механизмом напыления наноразмерных пленок и их морфологическими характеристиками
- Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - золото
- Исследования поверхности с помощью растрового электронного микроскопа
- Исследование морфологии рельефа образца «хром на стекле»
- Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС