<<
>>

Принципы работы сканирующих зондовых микроскопов. Метод постоянного тока и метод постоянной высоты

В сканирующих зондовых микроскопах (СЗМ) исследование микрорельефа поверхности и ее локальных свойств проводится с помощью специальным образом приготовленных зондов в виде игл, имеющих размеры порядка десяти нанометров, в идеале на кончике зонда (острия) должен находиться один атом.

Характерное расстояние между зондом и поверхностью образцов в зондовых микроскопах, как правило, по порядку величин составляет 0,1-10 нм. Работа туннельного микроскопа основана на явлении протекания туннельного тока между металлической иглой и проводящим образцом; различные типы силового взаимодействия лежат в основе работы атомносилового, магнитосилового и электросилового микроскопов. Рассмотрим общие черты, присущие различным зондовым микроскопам [120,121]. Пусть взаимодействие зонда с поверхностью характеризуется некоторым параметром R. Если существует достаточно резкая и взаимно однозначная зависимость параметра Rот расстояния между зондом и образцом R = R(z),то данный параметр может быть использован для организации системы обратной связи (ОС), контролирующей расстояние между зондом и образцом с высокой точностью (R0-величина, задаваемая оператором). На рис. 14 схематично показан общий принцип организации обратной связи сканирующего зондового микроскопа [120].

В существующих зондовых микроскопах точность удержания расстояния зонд - поверхность достигает величины ~ 0,001 нм. При перемещении зонда вдоль поверхности образца происходит изменение параметра взаимодействия R, обусловленное изменением рельефа поверхности. Система ОС отрабатывает эти изменения, так что при перемещении зонда в плоскости X,Yсигнал на

исполнительном элементе оказывается пропорциональным рельефу поверхности. Для получения СЗМ изображения осуществляют специальным образом организованный процесс сканирования образца. При сканировании зонд вначале движется над образцом вдоль определенной линии (строчная развертка), при этом величина сигнала на исполнительном элементе, пропорциональная рельефу поверхности, записывается в память компьютера.

Затем зонд возвращается в исходную точку и переходит на следующую строку сканирования (кадровая развертка), и процесс повторяется вновь. Записанный таким образом при сканировании сигнал обратной связи обрабатывается компьютером, и затем СЗМ изображение рельефа поверхности z=f{x,y)строится с помощью средств компьютерной графики. Наряду с исследованием рельефа поверхности, зондовые микроскопы позволяют изучать различные свойства поверхности: механические, электрические, магнитные, оптические и многие другие.

Рис. 14. Схема организации системы обратной связи зондового микроскопа [120].

Для работы зондовых микроскопов необходимо контролировать рабочее расстояние зонд - образец и осуществлять перемещения зонда в плоскости образца с высокой точностью (на уровне долей ангстрема), для чего существуют специальные манипуляторы - сканирующие элементы (сканеры). Сканирующие элементы зондовых микроскопов изготавливаются из пьезоэлектриков -

76 материалов, обладающих пьезоэлектрическими свойствами. Пьезоэлектрики изменяют свои размеры во внешнем электрическом поле. Уравнение обратного пьезоэффекта для кристаллов записывается в виде

где uij- тензор деформаций, Ek- компоненты электрического поля, dijk- компоненты тензора пьезоэлектрических коэффициентов. Вид тензора пьезоэлектрических коэффициентов определяется типом симметрии кристаллов.

В различных технических приложениях широкое распространение получили преобразователи из пьезокерамических материалов [122]. Пьезокерамика представляет собой поляризованный поликристаллический материал, получаемый методами спекания порошков из кристаллических сегнетоэлектриков. Поляризация керамики производится следующим образом. Керамику нагревают выше температуры Кюри (для большинства пьезокерамик эта температура менее 300oC), а затем медленно охлаждают в сильном (порядка 3 кВ/см) электрическом поле.

После остывания пьезокерамика имеет наведенную поляризацию и приобретает способность изменять свои размеры (увеличивать или уменьшать в зависимости от взаимного направления вектора поляризации и вектора внешнего электрического поля).

В сканирующей зондовой микроскопии широкое распространение получили трубчатые пьзоэлементы [123], позволяющие получать достаточно большие перемещения объектов при относительно небольших управляющих напряжениях. Трубчатые пьезоэлементы представляют собой полые тонкостенные цилиндры, изготовленные из пьезокерамических материалов. Обычно электроды в виде тонких слоев металла наносятся на внешнюю и внутреннюю поверхности трубки, а торцы трубки остаются непокрытыми. Под действием разности потенциалов между внутренним и внешним электродами трубка изменяет свои продольные размеры. В этом случае продольная деформация под действием радиального электрического поля Erможет быть записана в виде

где I0- длина трубки в недеформированном состоянии. Абсолютное удлинение пьезотрубки равно

где h - толщина стенки пьезотрубки, У - разность потенциалов между внутренним и внешним электродами. Таким образом, при одном и том же напряжении V удлинение трубки будет тем больше, чем больше ее длина и чем меньше толщина ее стенки. Соединение трех трубок в один узел позволяет организовать прецизионные перемещения зонда микроскопа в трех взаимно перпендикулярных направлениях, такой сканирующий элемент называется триподом [124].

Недостатками данного сканера являются сложность изготовления и сильная асимметрия конструкции. На сегодняшний день в сканирующей зондовой микроскопии наиболее широко используются сканеры, изготовленные на основе одного трубчатого элемента [125]. Материал трубки имеет радиальное направление вектора поляризации.

Внутренний электрод обычно сплошной. Внешний электрод сканера разделен по образующим цилиндра на четыре секции. При подаче противофазных напряжений на противоположные секции внешнего электрода (относительно внутреннего) происходит сокращение участка трубки в том месте, где направление поля совпадает с направлением поляризации, и удлинение там, где они направлены в противоположные стороны. Это приводит к изгибу трубки в соответствующем направлении. Таким образом, осуществляется сканирование в плоскости X,Y.Изменение потенциала внутреннего электрода относительно всех внешних секций приводит к удлинению или сокращению трубки по оси Z. Таким образом, можно реализовать трехкоординатный сканер на базе одной пьезотрубки. Реальные сканирующие элементы имеют часто более сложную конструкцию, однако принципы их работы остаются теми же самыми.

Широкое распространение получили также сканеры на основе биморфных пьзоэлементов [126]. Биморф представляет собой две пластины пьезоэлектрика, склеенные между собой таким образом, что векторы поляризации в каждой из них

направлены в противоположные стороны. В реальных конструкциях биморфных элементов создается разность потенциалов между внутренним общим и внешними электродами так, чтобы в одном элементе поле совпадало с направлением вектора поляризации, а в другом было направлено противоположно. Изгиб биморфа под действием электрических полей положен в основу работы биморфных пьезосканеров [127]. Объединяя три биморфных элемента в одной конструкции, можно реализовать трипод на биморфных элементах.

В сканирующем туннельном микроскопе напряжение смещения прикладывается между остроконечной проводящей иглой и проводящим образцом. В результате, когда образец приближается к острию на расстояние порядка нескольких ангстрем, между ними начинает протекать туннельный ток, что с очень большой точностью указывает на близость острия к образцу. Метод постоянного тока (МПТ) предполагает поддержание в процессе сканирования постоянной величины туннельного тока с помощью системы обратной связи [128].

При этом вертикальное смещение сканера (сигнал обратной связи) отражает рельеф поверхности. Туннельный микроскоп позволяет получать истинное атомарное разрешение даже в обычных атмосферных условиях. CTM может быть применена для изучения проводящих поверхностей или тонких непроводящих пленок и малоразмерных объектов на проводящих поверхностях. Скорость сканирования в МПТ ограничивается использованием системы обратной связи. Большие скорости сканирования могут быть достигнуты при использовании метода постоянной высоты (МПВ), однако МПТ позволяет исследовать образцы с развитым рельефом. При использовании МПВ сканер CTM перемещает зонд только в плоскости, так что изменения тока между острием зонда и поверхностью образца отражают рельеф поверхности. Поскольку по этому методу нет необходимости отслеживать зондом расстояние до поверхности образца, скорости сканирования могут быть более высокими. МПВ может быть применен, таким образом, к образцам с очень ровной поверхностью, поскольку неоднородности поверхности выше 0,5-1 нм будут приводить к разрушению кончика зонда. Для

79 исключения этого на практике все-таки используется слабая обратная связь, поддерживающая некоторое усредненное расстояние зонд - поверхность. При использовании MDB таким образом информация о структуре поверхности получается посредством токовых измерений, так что прямое измерение вариаций высоты невозможно.

Рис. 15. Формирование CTM изображений поверхности по методу постоянного туннельного тока (а) и постоянного среднего расстояния (б) [120].

CTM позволяет получать истинное атомарное разрешение даже в обычных атмосферных условиях. Характерные величины туннельных токов, регистрируемых в процессе измерений, являются достаточно малыми - вплоть до 0,03 нА (со специальными измерительными CTM головками - до 0,01 нА), что позволяет также исследовать плохо проводящие поверхности, в частности, биологические объекты [129].

Среди недостатков CTM можно упомянуть сложность интерпретации результатов измерений некоторых поверхностей, поскольку CTM изображение определяется не только рельефом поверхности, но и плотностью состояний, величиной и знаком напряжения смещения, величиной тока.

Например, на поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОНГ) можно видеть обычно только каждый второй атом (см. рис. 16). Это связано со спецификой распределения плотности состояний. Таким образом, образцы ВОПГ могут быть использованы для калибровки изображений CTM, калибровки цветовой палитры (резкость, контрастность, градиент цвета) с целью анализа изображений и оценки качества используемых зондов.

Рис. 16. CTM изображение ВОПГ с атомарным разрешением [130].

Еще в 2008 году в рамках диссертационной работы [131] была поставлена задача разработки высокочувствительной низкотоковой модификации сканирующего туннельного микроскопа «Умка-ОЗЬ» для неразрушающего контроля поверхности исследуемых материалов, позволяющей проводить исследования не только токопроводящих объектов, но и материалов обладающих поверхностной проводимостью. Созданная высокочувствительная модификация сканирующего туннельного микроскопа «Умка-02Е», применение которой позволило повысить достоверность полученных данных при обнаружении

дефектов, увеличить чувствительность и разрешающую способность прибора и позволило в дальнейшем проводить исследование нанокомпозиционных материалов, в том числе металлсодержащих полимерных нанокомпозитов. Кроме того, данная разработка позволила снизить уровень собственных шумов прибора и тем самым повысить качество получаемых изображений поверхности образца.

Позднее в работе [132] использовались нанотехнологический комплекс (НТК) «Умка» и Solver PRO. В отличие от Solver PRO НТК «Умка» позволяет исследовать отдельные нанотрубки с хорошим разрешением. Кроме того, НТК «Умка» не требует сложных манипуляций по приготовлению образца и дает больше возможностей для тестирования зондов с нанотрубками и проведения нанолитографии.

Наряду с физическими исследованиями, совершенствовались методы алгоритмического и программного обеспечения комплексов для зондовой микроскопии [133].

Кроме того, в докторской диссертации [134] исследования были начаты еще на базе оригинальных микроскопов с аналоговой петлей обратной связи «Литскан-1», «Литскан-2». В последующем методики были адаптированы и расширены для серийно выпускаемой установки «Умка» с микропроцессорным управлением. Отмечено, что все эти приборы имеют одинаковые принципы построения основного измерительного узла микроскопа (головки). При этом они по многим параметрам не уступают или даже превосходят возможности большинства представленных на рынке отечественных и даже импортных CTM- устройств, предназначенных для работы в ex situ конфигурации. Для обеспечения высококачественного и воспроизводимого сканирования, а также контролируемого измерения туннельных спектров было разработано оригинальное программное обеспечение (в том числе микропрограмма нижнего уровня для ADSP-контроллера), гарантирующее четкий контроль всех временных интервалов на любых этапах измерений. Отмечено, что анализ спектров дифференциальной проводимости позволяет получить значительно больше информации об исследуемой системе, чем обычные вольтамперные кривые, при

этом возможность реализации этих методик без привлечения дополнительного дорогостоящего оборудования появилась именно при переходе к CTM- контроллеру, работающему под управлением цифрового сигнального процессора (комплекс «Умка»),

НТК «Умка» апробировался в частности в работах [135,136,137], было показано, что наружная поверхность тонких плёнок и многослойных систем (толщиной до 100 нм), покрывающих образец опала, сохраняет форму и пространственную периодичность, характерную для границы раздела между опаловыми глобулами и нанесенным на них слоем вещества.

Также на наш взгляд эффективным использованием моделей НТК «Умка» можно признать результаты работы [138], в которой была описана методика цифровой обработки изображений, полученных на НТК «Умка-02-Е» и сканирующего электронного микроскопа Philips XL30, позволяющая эффективно устранять затрудняющие анализ факторы - слабую контрастность и фоновую неоднородность изображений. Вейвлет-обработке подвергались экспериментальные изображения нанокомпозитного материала о-InSb, содержащего в пористой диэлектрической матрице опала наночастицы антимонида индия. Кроме того, совместная цифровая обработка позволяет эффективно подавлять явление элайзинга.

2.2.

<< | >>
Источник: Антонов Александр Сергеевич. МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ФРАКТАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЯХ. ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2017. 2017

Еще по теме Принципы работы сканирующих зондовых микроскопов. Метод постоянного тока и метод постоянной высоты:

  1. Сканирующая зондовая микроскопия
  2. Глава 2. Технологические основы современных сканирующих зондовых микроскопов. Обзор основных методик туннельной микроскопии. Нанотехнологический комплекс «YMKA-02G»
  3. Метод постоянных раздражителей (метод констант).
  4. Метод постоянных раздражителей (метод констант).
  5. 24. Метод вариации произвольных постоянных.
  6. 5. Уравнения 1 порядка. Метод вариации произвольной постоянной.
  7. Глава 3. Исследование морфологии рельефа, фрактальных свойств поверхности и электрических характеристик контакта зонд-образец для наноразмерных металлических пленок на диэлектрических подложках методом сканирующей туннельной микроскопии
  8. Основные законы постоянного тока
  9. Интегрирование линейной однородной системы ДУ с постоянными коэффициентами методом Эйлера.
  10. §2. Постоянная рента Статья 589. Получатель постоянной ренты
  11. Глава 1. Современное состояние исследованийв области изучения морфологических характеристик наночастиц и электрических характеристик туннельного контакта зонд-образец методами атомной, зондовой и туннельной микроскопии
  12. 16. Линейные неоднородные дифференциальные уравнения высших порядков. Метод вариации произвольной постоянной
  13. Постоянная работа.
  14. 1.4. Метод теории государства и права. Принципы научного познания. Общенаучные методы. Частнонаучные методы
  15. Ситуация постоянного отношения. Употребление несов. вида при выражении ситуации постоянного отношения
  16. 1.5 Об обработке изображений, полученных сканирующим туннельным микроскопом «УМКА - 02G»
  17. О методике подготовки образцов для изучения фрактальной размерности и электрических свойств контакта зонд-образец с помощью сканирующего туннельного микроскопа
  18. 4.2 Исследование самополяризованного состояния и локальной поляризации тонких пленок ЦТС методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика.