Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС

В работе [119] область фазовой границы между моноклинной и тетрагональной фазами в твердых растворах ЦТС определялась на основании температурной зависимости диэлектрической проницаемости ε (T), точнее - по изменению наклона обратной диэлектрической проницаемости l∕ε (T).

Измерения температурных зависимостей ε (T), а также диэлектрических потерь tg δ(T), проводились в интервале температур 20 - 500 ^oC на частоте измерительного поля 100 кГц. Зависимости ε (T), полученные для пленок, сформированных при Т_отж= 580 - 650 ⁰C, имели схожее поведение. Температурные зависимости ε (T) характеризовались максимумом диэлектрической проницаемости при T ≈ 580 ⁰C, что достаточно точно коррелирует со значениями температуры Кюри, отмеченными на фазовой диаграмме (рисунок 3.6).

Наиболее отчетливо аномалии диэлектрических свойств в низкотемпературной области наблюдались в пленках, отожженных при Т_отж= 600 и 620 °С, где перегибы на зависимостях ε (T) и изменения наклона на зависимостях l∕ε (T) проявлялись в районе 120-180 ^oC (рисунок 3.20). По температурным зависимостям диэлектрических потерь (в области температур ~ 150 ⁰C), где зависимости tg δ достигали максимума, также можно было судить о фазовой трансформации сегнетоэлектрической фазы (рисунок 3.21). Таким образом, область температур в интервале 150-180^oC соответствует области

температур, где, согласно данным ДОЭ, происходило изменение в соотношении объемов M- и T- фазы в пользу последней (рисунок 3.18).

Рисунок 3.20 Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и величины обратной диэлектрической проницаемости, характерные для пленок ЦТС толщиной ЮООнм, отожженных при температурах 600 ^oC а), в), 620 ^oC б), г).

Рисунок 3.21 Температурные зависимости величины диэлектрических потерь, характерные для пленок ЦТС толщиной ЮООнм, отожженных при температурах 600 ^oC а), 620 ^oC б).