<<
>>

Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь

Автоматизированный измерительный стенд применялся для измерения вольт-фарадных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь. Нужно отметить, что предметный столик имел встроенную систему нагрева и контроля температуры, что позволяло проводить температурные измерения в интервале температур 20 - 500 0C.

В состав измерительного комплекса входил измеритель иммитанса МНИЛИ Е7-20, измерительный столик (рисунок 2.6), коммутатор сигнала, персональный компьютер с последовательным интерфейсом стандарта RS-232 и соединительные провода.

Рисунок 2.6 - Измерительный столик с возможностью нагрева, предназначенный

для проведения диэлектрических измерений

У измерителя иммитанса связь с компьютером реализована через порт RS - 232С. Использование интерфейсного устройства RS-232C обеспечивал согласование уровней сигналов и гальваническую развязку измерительных цепей прибора и подключаемой аппаратуры [138].

Измерение вольт-фарадных и частотных зависимостей происходило в автоматическом режиме, экспериментатору необходимо было лишь задавать интервал измерения и шаг. При измерении реверсивных характеристик диэлектрической проницаемости смена полярности также осуществлялась вручную. Измерение частотных зависимости проводились на частотах от 10 до IO6Гц.

C помощью Е7-20 проводились измерения емкости и тангенса диэлектрических потерь на частоте измерения - 10 кГц, с уровнем

измерительного сигнала 40 мВ. Для измерения вольт-фарадных характеристик прикладывалось постоянное напряжение на исследуемый конденсатор, шаг измерений составлял 0,2 В, а интервал напряжений -15 В ÷ 15 В. Измерение

56 температурных зависимостей проводилось на частоте 100 кГц, с уровнем сигнала 40 мВ. Показания заносились в память компьютера вручную, сопоставляя значения термоЭДС термопары с градуировочной таблицей.

Значение диэлектрической проницаемости рассчитывалось по формуле плоского конденсатора:

где ε - эффективная величина диэлектрической проницаемости, C - емкость плоского конденсатора, d- толщина пленки ЦТС, S - площадь верхнего электрода, £о - диэлектрическая постоянная (s-0=8,854?10^12Ф/м).

При приложении смещающих напряжений от 0 В до ± 15 В погрешность измерений составляла 0,5%.

<< | >>
Источник: Канарейкин Алексей Геннадьевич. Сегнетоэлектрические свойства наноструктурированных систем на основе цирконата-титаната свинца. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Санкт-Петербург - 2018. 2018

Еще по теме Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь:

  1. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
  2. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости
  3. Вольт-фарадные характеристики и тангенс угла диэлектрических потерь
  4. Измерения диэлектрической проницаемости.
  5. Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
  6. Измерение диэлектрической проницаемости с помощью измерителя иммитанса Е7-20 и фазочувствительного измерителя Вектор-175
  7. 24.2. Метод определения диэлектрической проницаемости
  8. Исследования диэлектрической проницаемости
  9. Общий подход к описанию дисперсии диэлектрической проницаемости
  10. Тангенс угла диэлектрических потерь
  11. Методика диэлектрических измерений
  12. 1.4 Нелинейная диэлектрическая проницаемость и методы её исследования
  13. Методика измерений диэлектрических свойств
  14. Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе BTS со слоистой структурой
  15. Измерение петель диэлектрического гистерезиса
  16. Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.