24.2. Метод определения диэлектрической проницаемости
Для определения диэлектрической проницаемости ТГИ можно использовать методику, регламентируемую ГОСТ 25495-82 «Породы горные. Метод определения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь».
Данный метод разработан применительно к нормальным условиям: температура окружающей среды 15-25°С, относительная влажность 45-75%.Образцы изготавливают в виде дисков диаметром 40-50 мм (в исключительных случаях – квадратов размером 50х50 или 40х40 мм), толщиной не более 5 мм. Толщину образца измеряют с погрешностью не более 0,1% микрометром и определяют как среднее арифметическое результатов не менее пяти измерений в разных точках по поверхности образца. Диаметр или сторону квадрата измеряют штангенциркулем.
Образцы, предназначенные для испытания, сушат до постоянной массы в сушильном шкафу при температуре 105-110°С и охлаждают в эксикаторе с сухим хлористым кальцием. Перед проведением испытаний образцы оставляют на 24 ч в нормальных условиях (температура 15-25°С, относительная влажность воздуха 45-75%).
Для проведения испытаний применяют измеритель добротности (куметр) типа Е4-4, Е9-4 и конденсатор измерительный с микрометрическим винтом (рис. 24.1).
В начале испытаний измеритель добротности (куметр) подключают к сети, прогревают в течение 10-15 мин, проверяют установку нулей и калибровку прибора. Устанавливают на куметре требуемую частоту, подключают соответствующую катушку индуктивности и измеряют при максимальном отклонении стрелки на шкале добротности добротность Q1 и ёмкость С1.
Далее помещают в центр нижней пластины измерительного конденсатора исследуемый образец, вращением винта опускают верхнюю пластину до появления треска в микрометре (следя за тем, чтобы образец не сдвинулся в сторону) и отмечают показания микрометра. Для повышения надежности контакта между пластинами и образцом эту операцию повторяют два-три раза, следя за тем, чтобы образец не сдвинулся в сторону от центра измерительных пластин.
|
Рисунок 24.1.
Схема измерительного конденсатора1 - нижнее основание; 2 - фарфоровый фторо-пластовый изолятор; 3 - нижняя обкладка измерительного конденсатора; 4 - образец; 5 - верхняя подвижная обкладка измерительного конденсатора; 6 - подвижной шток микрометрического винта; 7 - верхняя плата; 8, 9 - микрометрический винт
Подключают к выводу куметра измерительный конденсатор с образцом и производят замер Q2 и С2.
Извлекают образец из измерительного конденсатора и устанавливают расстояние между пластинами микрометрическим винтом, равное толщине образца. Производят замер Q3 и С3 по шкале добротности.
Замеряют геометрические размеры образца – ширину b, длину l, толщину h и вычисляют его площадь S = b ? l. Рассчитывают ёмкость (в Ф) рабочего объёма конденсатора С0 по формуле:
С0 = εb ? ε0 ? S/h = 8,85?10-12 ? S/h, (24.4)
где εb – относительная диэлектрическая проницаемость воздуха, равная 1;
ε0 – электрическая постоянная, равная 8,85?10-12 Ф/м.
Значения диэлектрической проницаемости ε рассчитывают по формуле:
ε = (С1 – С3)/С2 + 1. (24.5)
Для определения тангенса угла диэлектрических потерь tgδ использую формулу:
tgδ = С1? (Q2 – Q3)/(C2 – C3 + C0) ? Q2 ? Q3. (24.6)
Результаты измерений каждой партии образцов статистически обрабатывают для выявления среднего значения параметра и доверительного интервала. Окончательные результаты записывают в виде:
ε = εср ± ∆ε,
tgδ = tgδср ± ∆tgδ.
Еще по теме 24.2. Метод определения диэлектрической проницаемости:
- 1.4 Нелинейная диэлектрическая проницаемость и методы её исследования
- Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Измерения диэлектрической проницаемости.
- Общий подход к описанию дисперсии диэлектрической проницаемости
- Исследования диэлектрической проницаемости
- Температурные зависимости диэлектрической проницаемости
- Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе BTS со слоистой структурой
- Глава 3. Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе титаната висмута со слоистой структурой
- Измерение диэлектрической проницаемости с помощью измерителя иммитанса Е7-20 и фазочувствительного измерителя Вектор-175
- Метод нелинейной диэлектрической спектроскопии
- Методика исследования сегнетоэлектрических материалов методом нелинейной диэлектрической спектроскопии
- Определение диэлектрических характеристик и электропроводности в переменном поле
- 4.4 Исследование поляризации методом петель диэлектрического гистерезиса.
- Глава 3. Исследование морфологии рельефа, фрактальных свойств поверхности и электрических характеристик контакта зонд-образец для наноразмерных металлических пленок на диэлектрических подложках методом сканирующей туннельной микроскопии