Температурные зависимости диэлектрической проницаемости
У всех исследуемых образцов слоистой керамики на основе BTS наблюдается существенно иная температурная зависимость относительной диэлектрической проницаемости (рис. 4.1) по сравнению с керамикой BTS однородного образца [15, 71, 72, 75-77].
Однородные составы BTS15, BTSlO и BTS 12.5 имеют только одну аномалию, соответствующую температуре сегнетоэлектрического фазового перехода данного состава: при 19, 36 и 560C; BTS7.5 - две аномалии при 44 (структурный фазовый переход из ромбической в тетрагональную фазу) и 70oC (сегнетоэлектрический фазовый переход) (рис.4.16). У слоистых структур на основе керамики BTS имеют место несколько аномалий. Первая аномалия проявляется приблизительно при температуре 20oC, для двухслойного (Zl) и трехслойного (D) образцов, а для четырехслойного (V) образца при температуре ≈ 36 0C. Ее интенсивность уменьшается с ростом числа слоев, используемых при спекании образца. При T ≈ 450C на температурной зависимости относительной диэлектрической проницаемости всех исследуемых образцов имеет место острый пик, величина которого для двухслойного образца практически в 2 раза меньше, чем для трехслойного. Еще один маленький пик наблюдается в области температур от 690C до 730C.
Рис. 4.1. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости (f=1кГц). а - градиентные образцы керамики BTS: кривая 1 - двухслойный образец (Zl), 2 - трехслойный (D) и 3 - четырехслойный (V); б - однородные: кривая 1 -BTS7.5, 2 -BTSlO, 3 -BTS12.5, 4 -BTS15.
4.1.2.
Еще по теме Температурные зависимости диэлектрической проницаемости:
- Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Измерения диэлектрической проницаемости.
- 24.2. Метод определения диэлектрической проницаемости
- Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
- Исследования диэлектрической проницаемости
- Общий подход к описанию дисперсии диэлектрической проницаемости
- 1.4 Нелинейная диэлектрическая проницаемость и методы её исследования
- Температурные зависимости остаточной поляризации
- Температурные зависимости пироэлектрического коэффициента
- Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе BTS со слоистой структурой
- З.1. Температурные зависимости пиротока кристаллов SBN различного состава
- Глава 3. Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе титаната висмута со слоистой структурой
- 3.3. Температурные зависимости пиротока кристаллов CBN различного состава
- Температурные зависимости ВАХ
- Измерение диэлектрической проницаемости с помощью измерителя иммитанса Е7-20 и фазочувствительного измерителя Вектор-175
- Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.
-
Альтернативные научные исследования по физике -
Основы физики -
Физика конденсированного состояния -
-
Архитектура и строительство -
Безопасность жизнедеятельности -
Библиотечное дело -
Бизнес -
Биология -
Военные дисциплины -
География -
Геология -
Демография -
Диссертации России -
Естествознание -
Журналистика и СМИ -
Информатика, вычислительная техника и управление -
Искусствоведение -
История -
Конфликтология -
Культурология -
Литература -
Маркетинг -
Математика -
Медицина -
Менеджмент -
Педагогика -
Политология -
Право России -
Право України -
Промышленность -
Психология -
Реклама -
Религиоведение -
Социология -
Страхование -
Технические науки -
Учебный процесс -
Физика -
Философия -
Финансы -
Химия -
Художественные науки -
Экология -
Экономика -
Энергетика -
Юриспруденция -
Языкознание -