<<
>>

Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.

Сравнительный анализ комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости проводился для образцов керамики BTS, содержащей два (Zl), три (D) и четыре (V) слоя с разной концентрацией олова, полученной методом спекания.

У образцов DhVдействительные части комплексной диэлектрической проницаемости fво всем исследуемом диапазоне частот слабо зависят от частоты (рис. 4.18), в отличие от образца Zl, у которого, как было показано выше, наблюдается уменьшение значений εна 40 % при увеличении частоты в исследуемом частотном диапазоне.

Различие трех- и четырехслойного образцов от двухслойного можно наблюдать и на графике зависимости ε'(/). У образцов DhVотсутствуют максимумы ε', в то время, как у образца Zl он четко выражен (рис. 4.18,6).

Проведем сравнение диаграмм ε'(ε). Как было показано на рис. (4.16,а), у двухслойного образца Zl на диаграмме ε' (ε) присутствуют две дуги полуокружностей и прямая линия в низкочастотной области спектра. На диаграммах ε4ε), построенной для образцов с тремя (D) и четырьмя (V) слоями, также обнаруживаются две дуги полуокружностей и прямая линия в низкочастотной области спектра. Однако в области высоких частот проводимость на постоянном токе также вносит существенный вклад в процессы релаксации в данных образцах, что выражается линейной зависимостью ε'(ε) в левой части диаграммы, соответствующей области высоких частот (рис. 4.19).

106

Рис. 4.18. Частотная зависимость действительной (а) и мнимой (б) частей комплексной диэлектрической проницаемости двухслойного Zl (кривая 1), трехслойного D (кривая 2) и четырехслойного V (кривая 3) образцов

Рис.

4.19. Диаграммы ε') для трехслойного D (а) и четырехслойного V (б) образцов.

Наиболее вероятные времена релаксации для образцов Zl, D и V представлены в таблице 4.1. Согласно расчетным данным, имеет место корреляция времен релаксации с количеством слоев в образце: с увеличением числа слоев с разной концентрацией олова, наблюдается тенденция к увеличению наиболее вероятного времени релаксации в области низких

частот. В области высоких частот увеличение наиболее вероятного времени релаксации выражено значительно сильнее.

Таблица 4.1.

Наиболее вероятные времена релаксации образцов с разным числом слоев.

образец Число слоев Наиболее вероятное время релаксации
Область низких частот, IO4с Область высоких частот, IO6с
Zl 2 5.2 5.9
D 3 5.6 6.6
V 4 5.9 11.4

Полученные на основании анализа диаграмм дисперсии комплексной диэлектрической проницаемости значения наиболее вероятных времен релаксации не зависят от числа слоев с разной концентрацией олова, и, согласно [97], соответствуют тепловой поляризации. Поскольку в отличие от рассмотренных ранее (Глава 3) соединений на основе титаната висмута, имеющих наноразмерную слоистую структуру, в данном случае, по всей видимости, основную роль в различии свойств играют макроскопические характеристики образцов.

Необходимо отметить, что различие диэлектрических свойств двухслойного образца керамики BTS от трех (D) и четырехслойного (V) проявляется не только в характере дисперсии комплексной диэлектрической проницаемости, но и в температурных зависимостях остаточной поляризации (рис.

4.2) и диэлектрической проницаемости (рис.4.1).

Таким образом, наблюдаемое различие диэлектрических свойств образцов D и V от свойств двухслойного образца Zl может быть обусловлено тем, что, как было показано в главе 1 (рис. 1.20), образец Zl имеет ступенчатый градиент концентрации олова, и, как следствие, ступенчатый профиль поляризации, а образец V - приближенный к линейному.

Поскольку существенных отличий между трех и четырехслойными образцами в диэлектрических свойствах не наблюдалось, по всей видимости, характер профиля концентрации олова у них также похож.

Не смотря на зависимость поведения комплексной диэлектрической проницаемости от числа слоев с разной концентрацией олова, частотные зависимости действительной компоненты проводимости σtf 1 для всех трех образцов похожи (рис. 4.20). У всех образцов имеет место рост проводимости с увеличением частоты приложенного поля. Значения проводимости для всех образцов совпадают по порядку величины во всем исследуемом частотном диапазоне.

Рис. 4.20. Зависимость σ(f) для двухслойного Zl (кривая 1), трехслойного D (кривая 2) и четырехслойного V (кривая 3) образцов.

4.2.2.3.

<< | >>
Источник: Шашков Максим Сергеевич. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК СЛОИСТЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТИТAHATА-СТАННАТА БАРИЯ И ТИТАНАТА ВИСМУТА. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.:

  1. Сравнение диэлектрических характеристик четырехслойных образцов BTS, с линейным (V) и ступенчатым (PG) градиентом олова.
  2. Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе BTS со слоистой структурой
  3. Сравнение диэлектрических характеристик двухслойных образцов, поляризованных в противоположном направлении.
  4. Сегнетоэлектрические свойства керамики BTS.
  5. Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
  6. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
  7. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости
  8. Глава 3. Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе титаната висмута со слоистой структурой
  9. Зависимость теплопроводности и температуропроводности от концентрации примеси (сурьмы)
  10. Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
  11. Глава 1. Теоретические подходы к исследованию структурных и термодинамических характеристик адсорбционных слоев
  12. Определение диэлектрических характеристик и электропроводности в переменном поле
  13. Характеристики исследуемых образцов
  14. Влияние условий синтеза пленок PZT(54∕46) на дисперсию диэлектрических характеристик и проводимость по переменному току
  15. Результаты анализа исследований зависимости предела прочности на сжатие образцов, от основных параметров установки
  16. Глава 3.Исследования диэлектрических и тепловых характеристик монокристаллов парателлурита
  17. Измерение транспортных и вольт-амперных характеристик образцов
  18. Приготовление и основные характеристики образцов
  19. Профиль поляризации слоистых структур на основе BTS