Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.
Сравнительный анализ комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости проводился для образцов керамики BTS, содержащей два (Zl), три (D) и четыре (V) слоя с разной концентрацией олова, полученной методом спекания.
У образцов DhVдействительные части комплексной диэлектрической проницаемости fво всем исследуемом диапазоне частот слабо зависят от частоты (рис. 4.18), в отличие от образца Zl, у которого, как было показано выше, наблюдается уменьшение значений εна 40 % при увеличении частоты в исследуемом частотном диапазоне.Различие трех- и четырехслойного образцов от двухслойного можно наблюдать и на графике зависимости ε'(/). У образцов DhVотсутствуют максимумы ε', в то время, как у образца Zl он четко выражен (рис. 4.18,6).
Проведем сравнение диаграмм ε'(ε). Как было показано на рис. (4.16,а), у двухслойного образца Zl на диаграмме ε' (ε) присутствуют две дуги полуокружностей и прямая линия в низкочастотной области спектра. На диаграммах ε4ε), построенной для образцов с тремя (D) и четырьмя (V) слоями, также обнаруживаются две дуги полуокружностей и прямая линия в низкочастотной области спектра. Однако в области высоких частот проводимость на постоянном токе также вносит существенный вклад в процессы релаксации в данных образцах, что выражается линейной зависимостью ε'(ε) в левой части диаграммы, соответствующей области высоких частот (рис. 4.19).
106
Рис. 4.18. Частотная зависимость действительной (а) и мнимой (б) частей комплексной диэлектрической проницаемости двухслойного Zl (кривая 1), трехслойного D (кривая 2) и четырехслойного V (кривая 3) образцов
Рис.
4.19. Диаграммы ε') для трехслойного D (а) и четырехслойного V (б) образцов.Наиболее вероятные времена релаксации для образцов Zl, D и V представлены в таблице 4.1. Согласно расчетным данным, имеет место корреляция времен релаксации с количеством слоев в образце: с увеличением числа слоев с разной концентрацией олова, наблюдается тенденция к увеличению наиболее вероятного времени релаксации в области низких
частот. В области высоких частот увеличение наиболее вероятного времени релаксации выражено значительно сильнее.
Таблица 4.1.
Наиболее вероятные времена релаксации образцов с разным числом слоев.
| образец | Число слоев | Наиболее вероятное время релаксации | |
| Область низких частот, IO4с | Область высоких частот, IO6с | ||
| Zl | 2 | 5.2 | 5.9 |
| D | 3 | 5.6 | 6.6 |
| V | 4 | 5.9 | 11.4 |
Полученные на основании анализа диаграмм дисперсии комплексной диэлектрической проницаемости значения наиболее вероятных времен релаксации не зависят от числа слоев с разной концентрацией олова, и, согласно [97], соответствуют тепловой поляризации. Поскольку в отличие от рассмотренных ранее (Глава 3) соединений на основе титаната висмута, имеющих наноразмерную слоистую структуру, в данном случае, по всей видимости, основную роль в различии свойств играют макроскопические характеристики образцов.
Необходимо отметить, что различие диэлектрических свойств двухслойного образца керамики BTS от трех (D) и четырехслойного (V) проявляется не только в характере дисперсии комплексной диэлектрической проницаемости, но и в температурных зависимостях остаточной поляризации (рис.
4.2) и диэлектрической проницаемости (рис.4.1).Таким образом, наблюдаемое различие диэлектрических свойств образцов D и V от свойств двухслойного образца Zl может быть обусловлено тем, что, как было показано в главе 1 (рис. 1.20), образец Zl имеет ступенчатый градиент концентрации олова, и, как следствие, ступенчатый профиль поляризации, а образец V - приближенный к линейному.
Поскольку существенных отличий между трех и четырехслойными образцами в диэлектрических свойствах не наблюдалось, по всей видимости, характер профиля концентрации олова у них также похож.
Не смотря на зависимость поведения комплексной диэлектрической проницаемости от числа слоев с разной концентрацией олова, частотные зависимости действительной компоненты проводимости σtf 1 для всех трех образцов похожи (рис. 4.20). У всех образцов имеет место рост проводимости с увеличением частоты приложенного поля. Значения проводимости для всех образцов совпадают по порядку величины во всем исследуемом частотном диапазоне.
Рис. 4.20. Зависимость σ(f) для двухслойного Zl (кривая 1), трехслойного D (кривая 2) и четырехслойного V (кривая 3) образцов.
4.2.2.3.
Еще по теме Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.:
- Сравнение диэлектрических характеристик четырехслойных образцов BTS, с линейным (V) и ступенчатым (PG) градиентом олова.
- Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе BTS со слоистой структурой
- Сравнение диэлектрических характеристик двухслойных образцов, поляризованных в противоположном направлении.
- Сегнетоэлектрические свойства керамики BTS.
- Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Температурные зависимости диэлектрической проницаемости
- Глава 3. Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе титаната висмута со слоистой структурой
- Зависимость теплопроводности и температуропроводности от концентрации примеси (сурьмы)
- Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
- Глава 1. Теоретические подходы к исследованию структурных и термодинамических характеристик адсорбционных слоев
- Определение диэлектрических характеристик и электропроводности в переменном поле
- Характеристики исследуемых образцов
- Влияние условий синтеза пленок PZT(54∕46) на дисперсию диэлектрических характеристик и проводимость по переменному току
- Результаты анализа исследований зависимости предела прочности на сжатие образцов, от основных параметров установки
- Глава 3.Исследования диэлектрических и тепловых характеристик монокристаллов парателлурита
- Измерение транспортных и вольт-амперных характеристик образцов
- Приготовление и основные характеристики образцов
- Профиль поляризации слоистых структур на основе BTS