Измерение петель диэлектрического гистерезиса
Основные характеристики сегнетоэлектриков: спонтанную Psи остаточную Prполяризацию, величину коэрцитивного поля Ecможно определить, исследуя петли диэлектрического гистерезиса.
Для измерения использовалась схема Сойера и Тауэра [136], схема которой представлена на рисунке 2.4.
Рисунок 2.4 Схема установки Сойера-Тауэра для исследования петель диэлектрического гистерезиса.
Образец устанавливался на измерительный столик (рисунок 2.5), при помощи игольчатых электродов обеспечивался электрический контакт. Переменное напряжение с генератора подавалось на последовательно соединенные исследуемый конденсатор Cχ и эталонный конденсатор Сэ (переключатель П в положении 1). При таком соединении наблюдалась петля заряда. Если перевести переключатель П в положение 2, то последовательно с образцом включается сопротивление R3. При этом наблюдалась петля тока, являющаяся производной петли заряда. Напряжение U3с эталонного конденсатора C3подавалось на вход 3 осциллографа. Это напряжение пропорционально заряду q на эталонном конденсаторе.
Рисунок 2.5 Измерительный столик с двухкоординатной системой позиционирования верхней контактной иглы по плоскости пленки.
Заряд q можно определить из соотношения
Как известно, заряд связан с поверхностной плотностью заряда σ соотношением
где S - площадь поверхности образца. В случае, когда вектор поляризации P перпендикулярен поверхности образца, имеем
Поскольку величина заряда для двух последовательно соединенных конденсаторов одинакова
то справедливо выражение
Отсюда следует, что напряжение на эталонном конденсаторе Иэ прямо пропорционально поляризации Р.
На вход 1 осциллографа подавалось напряжение с делителя, состоящего из двух последовательно соединенных сопротивлений Riи R2, пропорциональное приложенному к образцу напряжению. Таким образом, на экране осциллографа (при выключенном генераторе развертки горизонтального отклонения) наблюдалось изображение петли гистерезиса
54
Что, в соответствии с (4), можно переписать как
где E - напряженность электрического поля, определяемая соотношением E = - U∕d, где d - толщина сегнетоэлектрического конденсатора.
Если переключатель П поставлен в положение 2, то на вертикальные пластины (вход 3) подается напряжение, пропорциональное силе тока, протекающего через сегнетоэлектрик. Полученная осциллограмма является петлей τoκa[137]
Коэрцитивное поле определялось по насыщенной петле гистерезиса при максимальном значении переменного напряжения.
2.2.2
Еще по теме Измерение петель диэлектрического гистерезиса:
- Методика получения петель диэлектрического гистерезиса
- Связь петель диэлектрического гистерезиса, пироотклика и барьерных явлений для пленок PZT(54∕46)
- 4.4 Исследование поляризации методом петель диэлектрического гистерезиса.
- Петли диэлектрического гистерезиса пленок PZT
- Петли диэлектрического гистерезиса
- 4.4.1 Петли диэлектрического гистерезиса кристаллов CBN.
- Влияние примеси Ей на диэлектрический гистерезис кристаллов SBN61
- Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Измерения диэлектрической проницаемости.
- Методика диэлектрических измерений
- Методика измерений диэлектрических свойств
- Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
- Измерение диэлектрической проницаемости с помощью измерителя иммитанса Е7-20 и фазочувствительного измерителя Вектор-175
- Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- 2.8. Сильномагнитные вещества. Кривая намагничивания, гистерезис
- 24.2. Метод определения диэлектрической проницаемости
- Общий подход к описанию дисперсии диэлектрической проницаемости
- Измерения. Погрешности измерений
- Метод нелинейной диэлектрической спектроскопии
- Эмпирическое описание диэлектрической релаксации