<<
>>

Измерение петель диэлектрического гистерезиса

Основные характеристики сегнетоэлектриков: спонтанную Psи остаточную Prполяризацию, величину коэрцитивного поля Ecможно определить, исследуя петли диэлектрического гистерезиса.

Для измерения использовалась схема Сойера и Тауэра [136], схема которой представлена на рисунке 2.4.

Рисунок 2.4 Схема установки Сойера-Тауэра для исследования петель диэлектрического гистерезиса.

Образец устанавливался на измерительный столик (рисунок 2.5), при помощи игольчатых электродов обеспечивался электрический контакт. Переменное напряжение с генератора подавалось на последовательно соединенные исследуемый конденсатор Cχ и эталонный конденсатор Сэ (переключатель П в положении 1). При таком соединении наблюдалась петля заряда. Если перевести переключатель П в положение 2, то последовательно с образцом включается сопротивление R3. При этом наблюдалась петля тока, являющаяся производной петли заряда. Напряжение U3с эталонного конденсатора C3подавалось на вход 3 осциллографа. Это напряжение пропорционально заряду q на эталонном конденсаторе.

Рисунок 2.5 Измерительный столик с двухкоординатной системой позиционирования верхней контактной иглы по плоскости пленки.

Заряд q можно определить из соотношения

Как известно, заряд связан с поверхностной плотностью заряда σ соотношением где S - площадь поверхности образца. В случае, когда вектор поляризации P перпендикулярен поверхности образца, имеем

Поскольку величина заряда для двух последовательно соединенных конденсаторов одинаковато справедливо выражение

Отсюда следует, что напряжение на эталонном конденсаторе Иэ прямо пропорционально поляризации Р.

На вход 1 осциллографа подавалось напряжение с делителя, состоящего из двух последовательно соединенных сопротивлений Riи R2, пропорциональное приложенному к образцу напряжению. Таким образом, на экране осциллографа (при выключенном генераторе развертки горизонтального отклонения) наблюдалось изображение петли гистерезиса

54

Что, в соответствии с (4), можно переписать как

где E - напряженность электрического поля, определяемая соотношением E = - U∕d, где d - толщина сегнетоэлектрического конденсатора.

Если переключатель П поставлен в положение 2, то на вертикальные пластины (вход 3) подается напряжение, пропорциональное силе тока, протекающего через сегнетоэлектрик. Полученная осциллограмма является петлей τoκa[137]

Коэрцитивное поле определялось по насыщенной петле гистерезиса при максимальном значении переменного напряжения.

2.2.2

<< | >>
Источник: Канарейкин Алексей Геннадьевич. Сегнетоэлектрические свойства наноструктурированных систем на основе цирконата-титаната свинца. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Санкт-Петербург - 2018. 2018

Еще по теме Измерение петель диэлектрического гистерезиса:

  1. Методика получения петель диэлектрического гистерезиса
  2. Связь петель диэлектрического гистерезиса, пироотклика и барьерных явлений для пленок PZT(54∕46)
  3. 4.4 Исследование поляризации методом петель диэлектрического гистерезиса.
  4. Петли диэлектрического гистерезиса пленок PZT
  5. Петли диэлектрического гистерезиса
  6. 4.4.1 Петли диэлектрического гистерезиса кристаллов CBN.
  7. Влияние примеси Ей на диэлектрический гистерезис кристаллов SBN61
  8. Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
  9. Измерения диэлектрической проницаемости.
  10. Методика диэлектрических измерений
  11. Методика измерений диэлектрических свойств
  12. Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
  13. Измерение диэлектрической проницаемости с помощью измерителя иммитанса Е7-20 и фазочувствительного измерителя Вектор-175
  14. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
  15. 2.8. Сильномагнитные вещества. Кривая намагничивания, гистерезис
  16. 24.2. Метод определения диэлектрической проницаемости
  17. Общий подход к описанию дисперсии диэлектрической проницаемости
  18. Измерения. Погрешности измерений
  19. Метод нелинейной диэлектрической спектроскопии
  20. Эмпирическое описание диэлектрической релаксации