Методика получения петель диэлектрического гистерезиса
Основой экспериментальной установки для получения петель диэлектрического гистерезиса является схема Сойера-Тауэра, модернизированная для исследования тонких пленок. Модернизированная схема Сойера-Тауэра изображена на рисунке 2.3.
Принцип ее действия тот же, что и у обычной схемы, но номиналы элементов подобраны для работы с тонкими пленками. Переменное напряжение с генератора подается на последовательно соединенные исследуемую пленку Cxи эталонный конденсатор Ciили C2- при таком соединении наблюдается петля заряда. Если поставить переключатель Riв левое положение, то последовательно с образцом включается эталонное сопротивление R3или R4- при этом наблюдается петля тока, являющаяся производной петли заряда. При включении, показанном на рисунке 2.3, напряжение U2с эталонного конденсатора C2подается на вход Y осциллографа. Это напряжение
Рисунок 2.3. Модернизированная схема Сойера-Тауэра Ri = 226 кОм, R2= 0...187 кОм, R3= 1,91 кОм, R4= 170 Ом, C1= 0,83 мкФ, C2 = 0,12 мкФ.
пропорционально заряду qна эталонном конденсаторе. Заряд q можно определить из
соотношения:
q = С2 U2 = Cχ Uχ, (2.1) где Ux- напряжение на образце. Известно, что заряд связан с поверхностной плотностью заряда σ соотношением:
q = σ S, (2.2)
где s - площадь поверхности образца. В случае, когда вектор поляризации Pперпендикулярен поверхности пластины, имеем:
σ = P. (2.3)
Подставляя (2.3) и (2.2) в (2.1),
получаем:
P = С2 U2 ∕ S. (2.4)
Отсюда следует, что значение поляризации pпрямо пропорционально напряжению на эталонном конденсаторе U2.
На вход χ осциллографа подается напряжение с делителя, состоящего из двух последовательно соединенных сопротивлений R1 и R2, пропорциональное приложенному к образцу напряжению.
Таким образом, на экране осциллографа (при выключенном генераторе развертки горизонтального отклонения) получается изображение петли гистерезиса:q = q(U). (2.5)
В соответствии с анализом, выполненным выше, получаем:
P = P(U). (2.6)
Если переключатель K1поставлен в левое положение, то на вертикальные пластины (вход Y) подается напряжение, пропорциональное
Рисунок 2.4. Фотография экспериментальной установки для получения петель диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектрических пленок.
силе тока, протекающего через сегнетоэлектрик. Полученная осциллограмма является петлей тока:
I = I(U). (2.7)
Вид экспериментальной установки для наблюдения петель диэлектрического гистерезиса в тонкопленочных конденсаторных структурах представлен на рисунке 2.4.
Данная установка состоит из держателя тонкопленочных образцов, ноутбука, цифровой приставки-осциллографа
Hantek DSO-2090,
модернизированной схемы Сойера-Тауэра и генератора треугольных импульсов с частотным диапазоном 70 - 1400 Гц. Форма сигнала, используемая при получении петель диэлектрического гистерезиса, показана на рисунке 2.5.
Для наблюдения используется ноутбук, так как он имеет гальваническую развязку от сети питания, что позволяет избавиться от наводок при измерениях на частотах, отличных от 50 Гц.
На рисунке 2.6 показана петля диэлектрического
Рисунок 2.5. Форма сигнала, используемая при получении петли диэлектрического гистерезиса динамическим методом.
гистерезиса,
анализируя
58 которую можно определить следующие характерные величины: Pr+- положительное значение остаточной поляризации, Pmax+- состояние поляризации, когда приложенное напряжение достигает своего максимального значения, - положительное значение поляризации насыщения,
- положительное коэрцитивное напряжение- напряжение, при котором петля гистерезиса пересекает ось х при увеличении значения внешнего
напряжения,
соответствующие величины для отрицательных значений приложенного напряжения и поляризации, Ucm- напряжение смещения центра петли относительно начала координат.
2.2.2.
Еще по теме Методика получения петель диэлектрического гистерезиса:
- Измерение петель диэлектрического гистерезиса
- Связь петель диэлектрического гистерезиса, пироотклика и барьерных явлений для пленок PZT(54∕46)
- 4.4 Исследование поляризации методом петель диэлектрического гистерезиса.
- Петли диэлектрического гистерезиса пленок PZT
- Петли диэлектрического гистерезиса
- 4.4.1 Петли диэлектрического гистерезиса кристаллов CBN.
- Влияние примеси Ей на диэлектрический гистерезис кристаллов SBN61
- Методика диэлектрических измерений
- Методика измерений диэлектрических свойств
- Методика исследования сегнетоэлектрических материалов методом нелинейной диэлектрической спектроскопии
- Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь