<<
>>

Тангенс угла диэлектрических потерь

Значения тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) для исследуемых пленок при нулевом смещении не обнаруживают какой-либо определенной зависимости от температуры синтеза и колеблются в пределах от 2,5 до 7,5 %.

При приложении смещающего напряжения величина tgδ меняется. В данном параграфе приведены экспериментальные данные исследования зависимости величины тангенса угла диэлектрических потерь пленок PZT(54∕46) от смещающего поля.

На рисунке 3.21 представлена зависимость tgδ от напряжения смещения для пленки PZT(54∕46) с температурой синтеза 540 °C. Соответствующая данной контактной площадке вольт-фарадная характеристика приведена ранее на рисунке 3.12,а.

Рисунок 3.21. Зависимость tgδ(^) для пленки PZT(54∕46) с температурой синтеза 540 °C, полученная при ?7ИЗМ= 0,1 В, f = 1 кГц.

Как видно из зависимости, изображенной на рисунке 3.21, при уменьшении абсолютной величины отрицательного напряжения (переход с участка 1 на участок 2) наблюдается резкий скачок величины tgδ с последующим ее уменьшением при напряжениях смещения от -9,6 до -3 В. При остальных значениях приложенного внешнего электрического напряжения тангенс угла диэлектрических потерь не имеет каких-либо аномалий и изменяется в пределах 0,03÷0,07.

Для пленки с температурой синтеза 545 °C наиболее типичными являются зависимости tgδ от приложенного напряжения, представленные на рисунках 3.22 и 3.23.

Рисунок 3.22. Зависимость tgδ(U) для пленки PZT(54∕46) с температурой синтеза 545 °C, полученная при иИЗМ= 0,1 В, f = 1 кГц.

В приведенной на рисунке 3.22 зависимости при положительном напряжении смещения наблюдается картина, подобная описанной на рисунке 3.21, то есть tgδ изменяется в пределах 0,035÷0,06 без видимой закономерности.

В случае отрицательной полярности приложенного напряжения зависимость tgδ(U) практически совпадает с зависимостью емкости от приложенного напряжения смещения, представленной на рисунке 3.13,а. Следует отметить, что при прямом ходе (участок 1) напряжение, при котором наблюдается максимум C(U)зависимости, равно напряжению, соответствующему максимуму tgδ(U) зависимости, а при обратном ходе (участок 2) они различаются примерно на 1,5 В.

Рисунок 3.23. Зависимости tgδ (а) и емкости (б) от приложенного напряжения для пленки PZT(54∕46) с температурой синтеза 545 °C, полученные при ^иЗм = 0,1 В, f = 1 кГц.

В зависимости, изображенной на рисунке 3.23,а при отрицательной полярности напряжения, начиная с U ≈ -3,7 B, наблюдается резкий рост величины tgδ, в то время как C(U) зависимость не проявляет никаких аномалий при данном напряжении смещения. Экстремума тангенса угла диэлектрических потерь в данном случае не наблюдается, при уменьшении напряжения прямой и обратный ход не совпадают и наблюдается уменьшение величины tgδ. График tgδ(U) на участке 3 проходит через максимум при U ≈ 2 B, на ВФХ при данном напряжении максимума не обнаруживается, однако наблюдается «плечо», то есть в интервале напряжений от 1 до 2 В емкость практически не зависит от приложенного поля.. Поведение tgδ на участке 4 (0 B

<< | >>
Источник: Каменщиков Михаил Викторович. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И БАРЬЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2014. 2014

Еще по теме Тангенс угла диэлектрических потерь:

  1. Вольт-фарадные характеристики и тангенс угла диэлектрических потерь
  2. Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
  3. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
  4. Приложение Ж Таблица тангенсов углов
  5. Измерения диэлектрической проницаемости.
  6. Методика диэлектрических измерений
  7. 24.2. Метод определения диэлектрической проницаемости
  8. 7.3.3. Вычисление азимута и дирекционного угла светила
  9. Определение угла схода крупной частицы с поверхности криволинейной лопасти ротора
  10. 7.3.4.2. Определение дирекционного угла ориентирного направления с помощью азимутальной насадки к буссоли
  11. Четыре угла Космоса
  12. ЗАКЛЮЧЕНИЕЧТО ПОСТАВИТЬ ВО ГЛАВУ УГЛА?
  13. 3.2.Нахождение угла между прямыми.
  14. § 3. Установление угла взаимного расположения TC и направления удара в момент столкновения
  15. Петли диэлектрического гистерезиса
  16. 4.4.1 Петли диэлектрического гистерезиса кристаллов CBN.
  17. 3.3. Нахождение угла между прямой и плоскостью.
  18. 4.3. Нахождение угла между прямой и плоскостью.
  19. Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС