Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - серебро
Нами было изучено влияние параметров туннельной системы на вид BAX на примере модельной системы острие (вольфрам) - образец (серебро) при долговременном использовании зонда CTM. На рис.
70 приведены результаты серии измерений ВАХ, сделанных без замены острия. Черная кривая, соответствующая одному из первых сканов, оказалась асимметрична относительно знака напряжения, что свидетельствует о влиянии электронной структуры острия. При проведении многократных измерений C одним и тем же острием зависимость становится симметричной относительно знака напряжения, в диапазоне напряжений -O,5÷+O,5 В это особенно заметно.
Рис. 70. Кривые BAX серии измерений контакта вольфрам - серебро.
В отличие от измерений образца острие (вольфрам) - образец (золото) анализ статистики измерений показывает, что при U = ±0,5 В кривые BAX четко не разделяются, в связи с чем уменьшение силы тока (по абсолютному значению)
мы определяем при U = 0,8 В от значения, фиксируемого при начале измерений, что составляет 2,8 раза для положительной ветви.
Все это также позволяет сделать вывод об изменении электронной структуры острия при частичном массопереносе с образца на острие. Как уже отмечалось, в наиболее общем случае форма туннельного барьера зависит от работ выхода из материалов образца и острия, приложенного напряжения, расстояния между электродами, а также от учета потенциала сил зеркального изображения, изменяющего не только сами значения туннельного тока, но и форму кривых [241].
При этом анализ BAX показывает существование «запрещенной зоны» только у образцов серебра (это говорит о наличии оксидной плёнки на поверхности), ширина которой составляет порядка 1 эВ [245]. В каком-то смысле наличие оксидной пленки на поверхности серебра аналогично напылению слоя полимера.
Таким образом, можно ожидать особенности в поведении вольт- амперной характеристики, описанные в работе [246]. Для пленок серебра, в отличие от пленок золота (см. рис. 63), изменение BAX со временем идет более плавно, и лишь кривая, соответствующая наибольшему времени измерения, резко отличается при положительных напряжениях (см. рис. 70).Форма туннельного барьера и ее изменение от приложенного напряжения оказывает существенное влияние на получаемые в CTM данные. Для анализа экспериментальных данных необходим детальный учет прозрачности туннельного барьера. Причем нами ранее в работах [211,241] установлено, что эффект термического расширения острия оказывает существенное влияние на форму вольт-амперных характеристик системы даже при малых по сравнению с работой выхода напряжениях смещения.
Изменение длины острия происходит в основном за счет термического расширения. Причем вклад энергии Джоуля - Ленца пренебрежимо мал в сравнении с вкладом энергии Ноттингама. Тепловое расширение острия может достигать величин, сравнимых с шириной туннельного промежутка, и возможно возникновение лавинообразного процесса теплового расширения острия,
приводящего к возникновению контакта между острием зонда и поверхностью образца, что подтверждается данными компьютерного моделирования [10]. Определенным доказательством развиваемой нами теории могут служить экспериментальные результаты исследований [168] для системы вольфрам - золото. Расчеты [168] также подтверждают возможность лавинообразного увеличения тока, приводящего к образованию электрического контакта между острием зонда и поверхностью образца. При этом изменение температуры вершины острия остается невелико.
Рис. 71. BAX туннельного контакта системы вольфрам - серебро на слюде.
На рис. 71 приведены усредненные результаты измерений ВАХ. Анализ BAX показывает существование «запрещенной зоны», которая свидетельствует о наличии оксидной плёнки на поверхности серебра, ширина которой составляет порядка 0,5 эВ.
3.7.
Еще по теме Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - серебро:
- Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - хром
- Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта вольфрам - золото
- Измерение транспортных и вольт-амперных характеристик образцов
- Вольт-амперные характеристики пленок PZT
- Полная вольт-амперная характеристика перехода
- Глава 1. Современное состояние исследованийв области изучения морфологических характеристик наночастиц и электрических характеристик туннельного контакта зонд-образец методами атомной, зондовой и туннельной микроскопии
- Лекция 13. Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- Учет дополнительных факторов, влияющих на вольт-амперную характеристику перехода
- Обратная ветвь вольт-амперной характеристики перехода
- Исследование электрических характеристик туннельного контакта зонд-образец
- Сравнительный анализ вольт-амперных характеристик
- Глава 3. Исследование морфологии рельефа, фрактальных свойств поверхности и электрических характеристик контакта зонд-образец для наноразмерных металлических пленок на диэлектрических подложках методом сканирующей туннельной микроскопии
- 3.3 Сопоставление результатов по исследованию фрактальных свойств наноразмерных пленок золота, серебра: атомно-силовая и туннельная микроскопия
- О методике подготовки образцов для изучения фрактальной размерности и электрических свойств контакта зонд-образец с помощью сканирующего туннельного микроскопа
- 3.2.1. Вольт-фарадные характеристики
- Вольт-фарадные характеристики пленок PZT
- Измерение вольт-фарадных, частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь
- Вольт-фарадные характеристики и тангенс угла диэлектрических потерь
- § 3. Реализация деловых контактов Характеристика переговоров