Полная вольт-амперная характеристика перехода

Полная вольт-амперная характеристика полупроводникового перехода приведена на рис. 2.4. От характеристики идеального диода она отличается наличием некоторого падения напряжения на приборе при пропускании прямого тока и обратного тока в случае приложения обратного напряжения.

Рис. 2.4. Идеализированная воль-амперная характеристика диода

Как известно, прямой ток перехода создается основными, а обратный — неосновными носителями заряда. Концентрация основных носителей заряда на несколько порядков превышает концентрацию неосновных носителей. Этим и обусловливаются вентильные свойства р-п-перехода.

Проведенному техническому анализу вольт-амперной характеристики перехода соответствует ее запись в аналитической форме:

, (2.6)

где Is = sJдр —ток насыщения (тепловой ток), создаваемый неосновными носителями заряда: φТ — тепловой потенциал.

При U = 0 согласно соотношению (2.6) Ia = 0. В случае приложения прямого напряжения (U = Ua > 0) в (2.6) единицей можно пренебречь и зависимость Ia(Ua) будет иметь экспоненциальный характер. В случае обратного напряжения (U = Ub < 0) можно не учитывать достаточно малую величину и тогда Ia = Ib = –Is