Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
За предшествующие годы было проведено большое количество работ по изучению характеристик материала и детекторов на основе CdTe и CdZnTe многочисленными исследовательскими группами в мире и в РФ.
По мере накопления знаний, совершенствования технологии выращивания и изготовления детекторов улучшались также их транспортные и спектрометрические характеристики. Улучшение технических характеристик монокристаллов и их размеров постоянно приводит к расширениювозможностей детекторов удовлетворять новым метрологическим задачам в различных областях науки, промышленности, медицины и безопасности. Эти обстоятельства, а также специфические свойства широкозонного материала, когда транспортные характеристики одного типа носителей, как правило дырок, существенно хуже, обусловили создание большого количества технологий изготовления детектирующих структур, различающихся по конструктивным, функциональным особенностям, способам формирования и обработки сигналов, пассивации рабочих поверхностей с целью уменьшения токов утечки, способам нанесения контактов, выполнения диффузии индия.
1.3.1.
Еще по теме Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe:
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
- Области применения детекторов CdTe, CdZnTe
- Ионизирующие излучения Общие сведения об ионизирующих излучениях. Источники ионизирующих излучений
- ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МИРОВОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe
- Тенденции развития мирового приборостроения на основе CdTe, CdZnTe
- 5.1. Измерение технических характеристик детекторов копланарной конструкции на основе CdZnTe
- Детекторы с преимущественно электронным сбором заряда. Квазиполусферические детекторы. Детекторы Фриша. Пиксельные детекторы
- ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК CdTe, CdZnTe
- Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe
- Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
- Дозы ионизирующих излучений
- СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
- ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe
- 3.11. Детекторы рентгеновского излучения
- Разработка комплексной методики исследования характеристик монокристаллов CdTe и CdZnTe
- Защита от ионизирующего излучения.