ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК CdTe, CdZnTe
Современные детекторы CdTe, CdZnTe по своим конструктивным и технологическим особенностям качественно отличаются от детекторов старого поколения, и их производство предполагает существенное повышение знаний о характеристиках материала, о технологических способах их обработки.
Поэтому при разработке новых приборов существует потребность в исследовании электрофизических характеристик CdTe, CdZnTe. При этом важно проводить такие работы комплексно, т.к. использование различных методов позволяет дополнять представления об исследуемых параметрах материала и о процессах, лежащих в основе функционирования приборов. Очевидно также, что конструирование приборов, работающих на новых принципах, трудно осуществимо без применения компьютерного моделирования аппаратурного спектра или функциональных процессов в полупроводнике.Для более эффективного использования методов исследований полупроводниковых материалов важна обратная связь с практическими сторонами изготовления и функционирования приборов. Это подразумевает также необходимость установления корреляций между характеристиками приборов и электрофизическими параметрами исследуемых материалов. Оценка характеристик материала от разных поставщиков может позволить определить критические параметры материала, конструктивных элементов, топологии электродов и деталей технологии изготовления, влияющих на качество детектирующих структур и приборов.
Существует богатый арсенал хорошо отработанных методов исследования полупроводниковых материалов. Измерение конкретных электрофизических параметров, как правило, можно проводить различными альтернативными способами. Поэтому всегда стоит проблема выбора той или иной методики.
2.1.
Еще по теме ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК CdTe, CdZnTe:
- Разработка комплексной методики исследования характеристик монокристаллов CdTe и CdZnTe
- СМИРНОВ Александр Александрович. Электрофизические характеристики детектирующих структур на основе CdTe и CdZnTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018
- ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe
- Транспортные характеристики детектирующих структур CdTe, CdZnTe
- Измерение спектрометрических характеристик детектирующих структур из CdTe и CdZnTe
- 2.2 Методы исследования электрофизических характеристик тонких пленок
- ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ МИРОВОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe
- Области применения детекторов CdTe, CdZnTe
- ГЛАВА 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА СБОРА ЗАРЯДА И ФОРМИРОВАНИЯ АМПЛИТУДНОГО СПЕКТРА В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ CdTe, CdZnTe ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-КВАНТАМИ
- Тенденции развития мирового приборостроения на основе CdTe, CdZnTe
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения CdTe, CdZnTe на основе структуры МПМ
- Анализ технологий изготовления детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe, CdZnTe
- Планарные детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе CdTe, CdZnTe с барьером Шоттки или р-п-переходом
- Смирнов Александр Александрович. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЕТЕКТИРУЮЩИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdTe и CdZnTe. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018, 2018