Парателлурит

Для кристаллов парателлурита единая общепринятая методика травления до настоящего времени не выработана. Процедура селективного травления монокристалла TeCh, полученного методом Чохральского, предложенная в работе Grabmaier J.G.[174], включает предварительный этап химического полирования в 15%-ном водном растворе NaOH при 50°С в течение 1-3 минут с последующим травлением в 60%-ном растворе хлорной кислоты НСЮд при 30-50^oC в течение 60 минут.

модификацию базового рецепта Грабмаера - химическая полировка в 15%-ном водном растворе NaOH при 60^oC в течение 60 секунд с последующим травлением в HCIO4 при 30-50^oC в течение 60 минут. Было обнаружено, что формы ямок травления зависят от ориентации кристаллического образца (квадраты, парапелепипеды и параллелограммы соответственно для граней (001), (100) и (110) [174]. Yasukake [178] на предварительном этапе также применял химическую полировку (15%-ный водный раствор NaOH), но для селективного травления использовал раствор 50 мл H₂O + 25 г NaOH + 1 г I₂при 56⁰C в течение 2 минут (для граней {110} и 60% -ная хлорная кислота при 30^oC в течение 30 минут (для граней (001)).

Нами были исследованы образцы монокристаллов парателлурита, выращенных способом Чохрапьского в направлениях [110] и [001]. Для выявления дислокационных ямок TeO₂, ориентированного в [110] был применен одностадийный режим травления образца в 10%-ном растворе Na₂CO₂(кальцинированная сода) при 30-40"C в течение 5 минут.

Для выявления дислокационных ямок TeO₂, ориентированного в [001] использовался следующий режим травления образца: выдержка образца в 10%- ном растворе Na₂CO3 (кальцинированная сода) при 30-4O⁰C в течение 10 минут, затем химическая полировка в 15% NaOH при температуре 50°С в течение 2 мин.

Данные методики селективного травления кристаллов парателлурита были зарегистрированы диссертантом в соавторстве как ноу-хау.

Таким образом, в текущей главе нами получены рекомендации по оптимизации условий роста кристаллов германия и парателлурита; модифицирована рецептура селективного травления монокристаллов германия на плоскостях (100) и (110) и парателлурита на плоскостях (OOl) и (110), описана методика автоматической процедуры подсчета дислокационных ямок на монокристаллах германия и парателлурита, представлен новый метод определения плотности дислокаций в монокристаллах германия методом профил ометрии.