ГЛАВА 5 ПОГЛОЩАЮЩИЕ МИКРОНЕОДНОРОДНОСТИ В ЩГК И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ОПТИЧЕСКУЮ СТОЙКОСТЬ

При проведении экспериментов, ранее описанных в главе 3, было зафиксировано, что в объёме многих монокристаллов во время воздействия наблюдались центры свечения, а после воздействия в этих участках выявлялись характерные микродефекты (рисунки 3.9а, 3.11, 3.12) Эти дефекты - результат так называемых разрушений на «включениях» (см.

Проведённые до начала данной работы исследования (см., например, публикации [145, 147, 148, 331, 336-341]) не выявили однозначно особенностей этого явления, возникающего в прозрачных материалах при поражении излучением импульсного CO₂- лазера. Не были досконально изучены морфология повреждений, физико-химические особенности процесса их образования, влияние свойств кристаллической решётки на параметры возникающих повреждений, а также роль многочисленных дефектов структуры монокристалла. Не было ясности даже в таком сравнительно простом вопросе - являются ли эти дефекты полостями [331, 336-341] или включениями стеклообразного материала [147, 148]. Авторы работ [145, 331, 336-341] утверждали, что при воздействии излучения импульсного CO₂- лазера поры и трещины в объёме ЩГК появляются из-за нагрева поглощающих неоднородностей на ~ 50 ⁰C, а возникающее при этом свечение имеет триболюминесцентную природу.

В данной главе сообщаются полученные нами результаты исследования объёмных повреждений, возникающих в NaCl, KCl, KBr и RbI при воздействии на них излучения импульсного CO₂- лазера. Эти результаты опубликованы в работах [А2, А6- А8, А14, А26, А27, A16, А34, А51].

Выбор щёлочно-галоидных кристаллов в качестве объекта исследования обусловлен как тем, что монокристаллы NaCl и KCl широко используются для изготовления ИК - оптики и, в частности, лазерной оптики, так и тем, что ЩГК - это

кубические кристаллы, имеющие простую структуру кристаллической решётки.

Методами световой микроскопии были исследованы: процесс объёмного порообразования в ЩГК при поражении излучением импульсного СО2 - лазера; зависимость концентрации образовавшихся в результате этого полостей от содержания контролируемых и неконтролируемых примесей в монокристалле, от температуры его предварительного отжига, от облучения различными дозами ионизирующего излучения; взаимосвязь между параметрами пор и энергией решётки монокристалла. Обнаружен и исследован процесс залечивания «лазерных» полостей путём высокотемпературного отжига при атмосферном давлении воздуха.

Изложенные в данной главе результаты позволили сформулировать и апробировать новый способ определения оптической однородности в прозрачных материалах, основанный на локальном нагреве импульсным лазерным излучением микро- и наноразмерных поглощающих микронеоднородностей; нагретые дефекты выявляются с помощью тепловизионного прибора [А51].

5.1