Получение экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.
Пленки для исследований получали методом магнетронного распыления мишени в атмосфере аргона на вакуумных установках УВН-2М-2 и УНИП 900. Установка УВН-2М- 2 была оснащена диффузионным насосом НД400, форвакуумным агрегатом АВР-50, регулятором расхода газа марки 179А с блоком управления PR 400 фирмы «MKS Instruments», датчиком давления в рабочей камере ПМИ-51, планарными системами магнетронного распыления и системой ионной очистки холловского типа с линейным размером зоны разряда 500 мм.
Установка УНИП 900 была оснащена турбомолекулярным насосом Alcatel PR2300, форвакуумным агрегатом ABP-150, регулятором расхода газа РРГ-9, датчиком давления в рабочей камере марки АР2004 фирмы «Adixen», планарнымисистемами несбалансированного магнетронного распыления и системой ионной очистки холловского типа с линейным размером зоны разряда 750 мм. Управление и контроль параметров процесса нанесения покрытия на установке УНИП 900 обеспечивались системой АСУТП Принципиальные схемы установок УВН-2М-2 и УНИП 900
Перед началом процесса нанесения покрытия проводили откачку рабочей камеры и определяли величину натекания. На первом этапе производили очистку мишени магнетрона (M) экранированной заслонкой (3), от вращающегося барабана (Б) с закрепленной на нем подложкой (П) На втором этапе проводили очистку поверхности подложки с помощью системы ионной очистки (ИИ) На третьем этапе выставляли технологические параметры и проводили нанесение пленок.
Полученные покрытия исследовали на величину удельного сопротивления и оптические свойства (коэффициент отражения в инфракрасной области спектра и оптические константы В видимой области спектра) Для сравнения СВОЙСТВ покрытий, полученных при разных режимах магнетронного нанесения, толщина покрытия всех образцов выдерживалась приблизительно одинаковой и составляла ≈20 нм. Чтобы обеспечить выбранную толщину покрытия при разных режимах нанесения были проведены предварительные эксперименты, в которых по каждому режиму из используемых режимов нанесения получали полупрозрачные покрытия. Затем оптическими методами определяли их толщину и рассчитывали скорость осаждения покрытия, соответствующую используемым режимам.
4.2.
Еще по теме Получение экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.:
- Результаты исследовательских испытаний экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.
- Глава 4. Проведение экспериментальных исследований образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников состава GST-225.
- Разработка макета установки для синтеза неупорядоченных полупроводников
- Глава 2. Исследование принципов функционирования стеклообразных халькогенидных полупроводников, легированных азотом и бором
- Глава 3. Разработка математической модели физических процессов в неупорядоченных полупроводниках структуры GST -225 и моделей массива ЯЭФП
- 3.3.2. Полученные образцы
- Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники
- 3.4.3. Полученные образцы
- Получение образцов поликристаллических алмазов. Их физико-химические свойства
- 2.1.5. Электронные структуры легированного аморфного Ge2Sb2Te5
- Методика отбора проб полученной бетонной смеси, оценка её качества при определении значений предела прочности на сжатие контрольных образцов бетона
- Исследование однородности полупроводника
- Вопросы организации экспериментального исследования. Этапы подготовки и проведения экспериментального исследования.