<<
>>

Результаты исследовательских испытаний экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.

Исследовательские испытаний проводились как для экспериментального образца нелегированного неупорядоченного полупроводника состава GST-225, так и для легированного

Методом рентгеноспектрального анализа установлено, что нелегированный образец имеет стехиометрический состав и чистота материала 99,9%.

Для нелегированного образца были получены следующие экспериментальные данные (табл. 4.1):

Табл. 4.1 Экспериментальные данные для нелегированного образца

Толщина пленки HM 24 ± 5,0
удельное сопротивление Ом-см 0,7∙106 ±0,5∙1011

транспортные свойства электронов (jιτe) cm2∕B 0,4-IO'3 ± 0,5∙l О’4
транспортные свойства дырок, (∕zr⅛) cm2∕B 0,4∙ IO'5 ±0,5∙ IO'4
энергетическое разрешение (для 662 кэВ) % l±0,3
Количество циклов перезаписи раз IO6± 10

Рис. 4.3 Топология нелегированного образца GST.

В легированном азотом образце концентрация легирующей примеси установлена -

5,2 ат.%. Для легированного азотом образца были получены следующие

экспериментальные данные (табл. 4.2):

Табл. 4.2 Экспериментальные данные для легированного азотом образца

Наименование характеристики Ед.
изм.
Значение
Толщина пленки HM 22 ± 5,0
удельное сопротивление Ом-см 1,1-10" ±0,5-10"
транспортные свойства электронов (μτe) cm2∕B 1,3-IO'4 ±0,5-IO'4
транспортные свойства дырок, (μz⅛) cm2∕B 1,3-IO'4 ±0,5-1 О'4
энергетическое разрешение (для 662 кэВ) % 1 ±0,3
количество циклов перезаписи раз 10"± 10

Рис. 4.5 Топология легированного азотом образца GST.

Анализ состава легированного бором образца показал что концентрация примеси составляет 5,3 ат.%. Для легированного бором образца были получены следующие экспериментальные данные (табл. 4.3):

В ходе испытаний были исследованы образцы ХСП нелегированные, легированные азотом и бором. Нелегированный образец получен в стехиометрическом составе и в результате этого обладает показателями, указанными в таблице 4.1.

Табл. 4.3 Экспериментальные данные для легированного бором образца

Наименование характеристики Ед. изм. Значение
Толщина пленки HM 24 ± 5,0
удельное сопротивление Ом-см 5,7-Ю11±0,5∙1011
транспортные свойства электронов (μ⅞) cm2∕B 0,8-IO'4 ±0,5∙10^4
транспортные свойства дырок, (μτ∕1) cm2∕B 0,97∙l О’4±0,5∙ IO'4
энергетическое разрешение (для 662 кэВ) % 1 ±0,3
количество циклов перезаписи раз IO8

В легированном азотом образце достигнута необходимая концентрация не менее 5 ат.%.

В результате образцы прошли исследовательские испытания по разработанным программам и методикам исследовательских испытаний и по некоторым показателям

превзошли ожидаемые характеристики. Образец выдержал IO11циклов перезаписи, что больше ожидаемого.

Рис. 4.6 Топология легированного бором образца GST.

Образец, легированный бором, в своем составе имеет так же не менее 5 ат.% атомов бора. В результате испытаний образец превзошел нелегированный. Он выдержал IOs циклов перезаписи. Это больше чем в нелегированном образце на IOzраз.

4.3.

<< | >>
Источник: Батуркин Сергей Александрович. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СОСТАВА GST-225, ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ И БОРОМ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме Результаты исследовательских испытаний экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.:

  1. Получение экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.
  2. Глава 4. Проведение экспериментальных исследований образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников состава GST-225.
  3. 4.1.2. Испытания и обработка экспериментальных результатов
  4. Глава 2. Исследование принципов функционирования стеклообразных халькогенидных полупроводников, легированных азотом и бором
  5. Разработка макета установки для синтеза неупорядоченных полупроводников
  6. Приложение Г. Результаты экспериментального исследования продолжительности фаз сгорания одноцилиндровой исследовательской установки УИТ - 85
  7. Глава 3. Разработка математической модели физических процессов в неупорядоченных полупроводниках структуры GST -225 и моделей массива ЯЭФП
  8. Отсутствие в России стендов для тепловых испытаний солнечных коллекторов и водонагревательных установок и необходимость реализации поставленных в диссертации задач потребовали создания экспериментального теплогидравлического стенда и оснащения его приборами, позволяющими при испытаниях СК и СВУ проводить измерения их теплотехнических параметров.
  9. Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники
  10. 3.4 Результаты испытаний
  11. 3.4 Результаты испытаний