Результаты исследовательских испытаний экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.
Исследовательские испытаний проводились как для экспериментального образца нелегированного неупорядоченного полупроводника состава GST-225, так и для легированного
Методом рентгеноспектрального анализа установлено, что нелегированный образец имеет стехиометрический состав и чистота материала 99,9%.
Для нелегированного образца были получены следующие экспериментальные данные (табл. 4.1):
Табл. 4.1 Экспериментальные данные для нелегированного образца
| Толщина пленки | HM | 24 ± 5,0 |
| удельное сопротивление | Ом-см | 0,7∙106 ±0,5∙1011 |
| транспортные свойства электронов (jιτe) | cm2∕B | 0,4-IO'3 ± 0,5∙l О’4 |
| транспортные свойства дырок, (∕zr⅛) | cm2∕B | 0,4∙ IO'5 ±0,5∙ IO'4 |
| энергетическое разрешение (для 662 кэВ) | % | l±0,3 |
| Количество циклов перезаписи | раз | IO6± 10 |
Рис. 4.3 Топология нелегированного образца GST.
В легированном азотом образце концентрация легирующей примеси установлена -
5,2 ат.%. Для легированного азотом образца были получены следующие
экспериментальные данные (табл. 4.2):
Табл. 4.2 Экспериментальные данные для легированного азотом образца
| Наименование характеристики | Ед. изм. | Значение |
| Толщина пленки | HM | 22 ± 5,0 |
| удельное сопротивление | Ом-см | 1,1-10" ±0,5-10" |
| транспортные свойства электронов (μτe) | cm2∕B | 1,3-IO'4 ±0,5-IO'4 |
| транспортные свойства дырок, (μz⅛) | cm2∕B | 1,3-IO'4 ±0,5-1 О'4 |
| энергетическое разрешение (для 662 кэВ) | % | 1 ±0,3 |
| количество циклов перезаписи | раз | 10"± 10 |
Рис. 4.5 Топология легированного азотом образца GST.
Анализ состава легированного бором образца показал что концентрация примеси составляет 5,3 ат.%. Для легированного бором образца были получены следующие экспериментальные данные (табл. 4.3):
В ходе испытаний были исследованы образцы ХСП нелегированные, легированные азотом и бором. Нелегированный образец получен в стехиометрическом составе и в результате этого обладает показателями, указанными в таблице 4.1.
Табл. 4.3 Экспериментальные данные для легированного бором образца
| Наименование характеристики | Ед. изм. | Значение |
| Толщина пленки | HM | 24 ± 5,0 |
| удельное сопротивление | Ом-см | 5,7-Ю11±0,5∙1011 |
| транспортные свойства электронов (μ⅞) | cm2∕B | 0,8-IO'4 ±0,5∙10^4 |
| транспортные свойства дырок, (μτ∕1) | cm2∕B | 0,97∙l О’4±0,5∙ IO'4 |
| энергетическое разрешение (для 662 кэВ) | % | 1 ±0,3 |
| количество циклов перезаписи | раз | IO8 |
В легированном азотом образце достигнута необходимая концентрация не менее 5 ат.%.
В результате образцы прошли исследовательские испытания по разработанным программам и методикам исследовательских испытаний и по некоторым показателямпревзошли ожидаемые характеристики. Образец выдержал IO11циклов перезаписи, что больше ожидаемого.
Рис. 4.6 Топология легированного бором образца GST.
Образец, легированный бором, в своем составе имеет так же не менее 5 ат.% атомов бора. В результате испытаний образец превзошел нелегированный. Он выдержал IOs циклов перезаписи. Это больше чем в нелегированном образце на IOzраз.
4.3.
Еще по теме Результаты исследовательских испытаний экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.:
- Получение экспериментальных образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников.
- Глава 4. Проведение экспериментальных исследований образцов нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников состава GST-225.
- 4.1.2. Испытания и обработка экспериментальных результатов
- Глава 2. Исследование принципов функционирования стеклообразных халькогенидных полупроводников, легированных азотом и бором
- Разработка макета установки для синтеза неупорядоченных полупроводников
- Приложение Г. Результаты экспериментального исследования продолжительности фаз сгорания одноцилиндровой исследовательской установки УИТ - 85
- Глава 3. Разработка математической модели физических процессов в неупорядоченных полупроводниках структуры GST -225 и моделей массива ЯЭФП
- Отсутствие в России стендов для тепловых испытаний солнечных коллекторов и водонагревательных установок и необходимость реализации поставленных в диссертации задач потребовали создания экспериментального теплогидравлического стенда и оснащения его приборами, позволяющими при испытаниях СК и СВУ проводить измерения их теплотехнических параметров.
- Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники
- 3.4 Результаты испытаний
- 3.4 Результаты испытаний