ПРИЛОЖЕНИЕ

Список сокращений и обозначений

БрХ - сплав медь — 0.3 вес.

BKP - вынужденное комбинационное рассеяние;

ВУФ - (излучение) вакуумного ультрафиолета;

ГМО - германий монокристаллический оптический;

ГПЗ - германий поликристаллический зонноочищенный;

ДЗЗ - дистанционное зондирование Земли из космоса;

ИК - инфракрасный;

ИС - интегрирующая сфера;

КГО - кристаллы германия оптические;

КЗ О - коэффициент зеркального отражения;

KHC структура - (кремний на сапфире);

KO-I - оптическая керамика из фторида магния;

КПД - коэффициент полезного действия;

КРС-5 - монокристалл твёрдого раствора TlBr - TlI;

КРС-6 - монокристалл твёрдого раствора TlCl - TlBr;

KTP - коэффициент термического расширения;

KP - комбинационное рассеяние (света);

ЛИ - лазерный импульс;

M - массовое число (в главе 2);

M - коэффициент увеличения сферической волны после полного прохода резонатора (в главе 8);

МОБ - марка бескислородной меди;

ОСЧ - особо чистое (вещество);

П - коэффициент Пуассона,

ПА - поликристаллические алмазы;

ПК - персональный компьютер;

ПЭВ - поверхностная электромагнитная волна;

ПОС - порог оптической стойкости;

ППЗО - полное подавление зеркального отражения;

ПС - периодические структуры;

РИЦ-822 - высокоскоростной цифровой регистратор;

СВЧ - сверхвысокочастотный диапазон;

ТГц - террагерцовый диапазон;

ТУ - технические условия;

УФ - ультрафиолетовое (излучение);

Φ_n- поток лазерного излучения, многократно отраженного между исследуемым и эталонным зеркалами,

Φ_i- поток, отраженный от исследуемого зеркала;

ФП - фотоприемник

ФЭУ - фотоэлектронный умножитель;

XMT - химико-механическая технология (полировки);

ЦЕНИ ИОФ РАН - центр естественно-научных исследований института общей физики РАН;

ЩГК - щёлочно-галоидные кристаллы;

ЭИЛ - электроионизационный лазер;

ЭРЛ - электроразрядный лазер;

А константа материала;

А - ,поглощательная способность;

A₀- поглощательная способность плоской металлической поверхности при θ=0^o без учёта влияния периодической структуры;

A_max- лазерный энерговклад;

А_=f(E) - функцией напряжённости электрического поля

а = к/рс - коэффициент температуропроводности;

ARDIS-100 - автоматизированный СВЧ - плазмохимический реактор

для выращивания микро- и нанокристаллических алмазных пленок и пластин;

с - скорость света;

C - удельная теплоемкость;

CVD - метод - («chemically vapor deposition») - метод получения плазмохимическим осаждением из газовой фазы;

d - толщина образца;

d∙_lφφ - эффективная толщина слоя, в котором происходит нелинейное поглощение (в общем случае d ≠ d₃φψ);

d_cp, - средний размер полости;

d_max- максимальный размер полости;

d_-период дифракционной решетки;

D - диаметр окна;

D₀- коэффициент диффузии хрома в меди;

dn∕dT - коэффициент термического изменения показателя преломления;

E - энергия лазерного импульса;

Е* - энергия в керне импульса одного из пучков;

е - заряд электрона;

E- модуль Юнга,

Е/р - удельная жесткость;

f - частота;

f - сила осциллятора: в ЩГК в случае F- центров её обычно принимают ≈ 0,8;

F- центры ^÷ M- центры ^÷ X- центры - центры окраски;

g=2π∕d - обратный вектор решетки;

Н_Б - твёрдость по Бринеллю;

H - полуширина F полосы (эВ);

h - амплитуда глубины решетки;

h₀- оптимальная глубина решетки, при которой в случае больших размеров пятна достигается практически полное поглощение падающего излучения;

ħ = h∕2π - постоянная Планка,

к - коэффициент теплопроводности;

к - постоянная Больцмана,

k = 2π∕λ - волновой вектор излучения;

K_ctv- коэффициент стоячей волны по напряжению (для нагрузки в дециметровом диапазоне частот);

L - длина рабочего монокристалла фотоприёмника, расстояние между зеркалами;

L₀- толщина закреплённого в оправе окна, необходимая для того, чтобы оптическая дисторсия в окне, вызванная действием перепада давлений, не привела к снижению вдвое плотности мощности излучения на поверхности удалённой мишени,

L₀^ss- толщина закрепленного окна,

L₁- длина облучённой зоны;

L₂- длина распространения возмущения за время нагрева t,

L_τp- длина трассы;

m_n Hm_p- эффективные массы электронов и дырок, соответственно;

m_cpи m_max- масса вещества, вынесенного из полости;

п - показатель преломления;

n₀- число центров окраски в 1 см³;

пит- оптические константы;

n_eи n_p- концентрация электронов и дырок, соответственно;

N - число интерференционых максимумов;

N - число отражений на эталонном зеркале;

N - числа воздействующих импульсов;

N_κpιιτ- концентрация частиц в плазме, при которой она становится непрозрачной;

Р_- давление на поверхность окна, на фронте волны;

Рразруш. - предельно допустимая выходная мощность лазера;

р - плотность;

q_v(f,t) - плотность мощности теплового источника,

q - расход воды (кг/с);

R- радиус окна (пятна);

R - коэффициент отражения;

R_ro- коэффициент отражения эталонного родиевого зеркала;

R₃- коэффициент зеркального отражения эталонного зеркала;

R_t- теплового сопротивления нагрузки,

RAP - (Reactive Atmosphere Processing) технология выращивания сверхчистых ЩРК;

S - площадь приёмной площадки;

t - время;

T - коэффициент пропускания;

T - температура;

T_e- температура свободных носителей заряда;

T_τp- коэффициент пропускания трассы;

t₃, - время нарастания оптической плотности плазмы;

tan δ - тангенс угла потерь,

TEA лазер - аббревиатура - английского термина «transversally excited atmospheric pressure laser» - электроразрядный лазер высокого давления с поперечным разрядом;

V - скорость звука;

We- средняя плотность энергии;

W_ei- плотность энергии воздействующего лазерного излучения;

We2- плотность энергии прошедшего лазерного излучения;

W_EoTp - плотность энергии отражённого лазерного излучения;

W_e∏ - плотность энергии возникновения плазменного образования перед поверхностью образца;

W_es- энергетический порог развития непрозрачности плазмы, обозначающий минимальную плотность энергии в импульсе;

W_p- плотность мощности воздействующего лазерного импульса;

Wpi - пиковая плотность мощности воздействующего лазерного импульса;

Wp₂- пиковая плотность мощности прошедшего лазерного импульса;

Wp₀,5 - плотность мощности на пологой части импульса через 0,5 мкс после его начала;

W_e- плотность энергии;

Wp_n- порог оптической стойкости;

W_ebx- порог повреждения входной поверхности;

WEBbix - порог выходной поверхности;

X - координата;

X₀- размер облучаемого пятна;

Xi - размер мишени;

а - коэффициент линейного расширения;

α_κ- коэффициент поглощения рабочего перехода;

a_max- коэффициент поглощения света в максимуме F- полосы (см'¹);

а_д - дифракционный угол;

β - линейная часть коэффициента поглощения;

β₀- решёточное поглощение;

β02 - поглощение на свободных носителях при комнатной температуре;

γ - константа материала;

ε = (w+im)²(и и т - оптические константы) - диэлектрическая проницаемость;

ε₀ = 1 - диэлектрическая проницаемость воздуха;

ΔE_g- ширина запрещённой зоны;

- абсолютное удлинение;

ΔT - разность температур;

λ - длина волны;

ω - угловая частота лазерного излучения;

соо - частота однофононного резонанса;

- среднее значение пьезооптического коэффициента;

р - удельное сопротивление;

p_cp- средняя концентрация пор в образце;

Tj₁и Tl- времена релаксации импульсов в двух системах дырок;

τ_oτc^-время отсечки излучения, при которой плазменное образование становится непрозрачным для используемого лазерного излучения;

т_и* - приведенная длительность импульса генерации (~10^⁶с);

θ - нелинейная часть коэффициента поглощения;

Pi - подвижность носителей заряда;

σ - расстояние между центрами пучков на зеркалах;

σ_c- предел прочности материала;

χ - параметр, описывающий оптическую дисторсию в окне;

V - полуширина полосы поглощения,

Vo - частота максимума полосы поглощения;

Vh и Vl- групповые скорости тяжёлых и лёгких дырок, соответственно;

ξ - энергия кристаллической решётки.